Method for manufacturing an integrated circuit including a transistor

发明授权

US07718475B2 Method for manufacturing an integrated circuit including a transistor 有权

标题翻译：一种用于制造包括晶体管的集成电路的方法

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专利标题： Method for manufacturing an integrated circuit including a transistor
专利标题（中）： 一种用于制造包括晶体管的集成电路的方法
申请号： US11786822

申请日： 2007-04-13
公开(公告)号： US07718475B2

公开(公告)日： 2010-05-18
发明人: Matthias Goldbach , Erhard Landgraf , Michael Stadtmueller , Moritz Haupt , Sven Schmidbauer , Tobias Mono , Jorg Radecker
申请人： Matthias Goldbach , Erhard Landgraf , Michael Stadtmueller , Moritz Haupt , Sven Schmidbauer , Tobias Mono , Jorg Radecker
申请人地址： DE Munich
专利权人： Qimonda AG
当前专利权人： Qimonda AG
当前专利权人地址： DE Munich
代理机构： Fay Kaplun & Marcin, LLP
主分类号： H01L21/335
IPC分类号： H01L21/335 ; H01L29/76

Method for manufacturing an integrated circuit including a transistor

摘要：

The present invention relates to a transistor comprising a gate channel area and a gate stack having mechanical stress arranged on the gate channel area.

摘要（中）：

本发明涉及一种晶体管，其包括栅极沟道区和具有布置在栅极沟道区上的机械应力的栅极叠层。

公开/授权文献

US20080251815A1 Method for manufacturing a transistor 公开/授权日：2008-10-16

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管