发明授权
US08057600B2 Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
有权
等离子体处理系统中改进挡板的方法和装置
- 专利标题： Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
- 专利标题（中）： 等离子体处理系统中改进挡板的方法和装置
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申请号： US11745185申请日： 2007-05-07
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公开(公告)号： US08057600B2公开(公告)日： 2011-11-15
- 发明人: Shinya Nishimoto , Kouji Mitsuhashi , Hiroyuki Nakayama
- 申请人： Shinya Nishimoto , Kouji Mitsuhashi , Hiroyuki Nakayama
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Tokyo Electron Limited
- 当前专利权人： Tokyo Electron Limited
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
- 主分类号： C23C16/455
- IPC分类号： C23C16/455 ; H01L21/306
摘要：
The present invention presents an improved baffle plate for a plasma processing system, wherein the design and fabrication of the baffle plate advantageously provides for a uniform processing plasma in the process space with substantially minimal erosion of the baffle plate.
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