发明授权
- 专利标题： Method of process optimization for dual tone development
- 专利标题（中）： 双音发展的过程优化方法
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申请号： US12198853申请日： 2008-08-26
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公开(公告)号： US08257911B2公开(公告)日： 2012-09-04
- 发明人: Roel Gronheid , Sophie Bernard , Carlos A. Fonseca , Mark Somervell , Steven Scheer
- 申请人： Roel Gronheid , Sophie Bernard , Carlos A. Fonseca , Mark Somervell , Steven Scheer
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Tokyo Electron Limited
- 当前专利权人： Tokyo Electron Limited
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Wood, Herron & Evans, LLP
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20
摘要：
A method for patterning a substrate is described. In particular, the invention relates to a method for double patterning a substrate using dual tone development. Further, the invention relates to optimizing a dual tone development process.
公开/授权文献
- US20100055625A1 METHOD OF PROCESS OPTIMIZATION FOR DUAL TONE DEVELOPMENT 公开/授权日：2010-03-04
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IPC分类:
