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    Methods and heat treatment apparatus for uniformly heating a substrate during a bake process
    1.
    发明授权
    Methods and heat treatment apparatus for uniformly heating a substrate during a bake process 有权
    烘烤过程中均匀加热基材的方法和热处理装置

    公开(公告)号：US09383138B2

    公开(公告)日：2016-07-05

    申请号：US11693818

    申请日：2007-03-30

    申请人： Steven Scheer ,  Michael A. Carcasi

    发明人： Steven Scheer ,  Michael A. Carcasi

    IPC分类号： F27D11/00 ,  F27B17/00

    CPC分类号： F27B17/0025

    摘要： Methods and heat treatment apparatus for heating a substrate and any layer carried on the substrate during a bake process. A heat exchange gap between the substrate and a heated support is at least partially filled by a gas having a high thermal conductivity. The high thermal conductivity gas is introduced into the heat exchange gap by displacing a lower thermal conductivity originally present in the heat exchange gap when the substrate is loaded. Heat transfer across the heat exchange gap is mediated by the high thermal conductivity gas.

    摘要翻译： 用于在烘烤过程中加热基底和承载在基底上的任何层的方法和热处理装置。 衬底和加热的支撑件之间的热交换间隙至少部分地由具有高导热性的气体填充。 当加载基板时，通过置换最初存在于热交换间隙中的较低热导率，将高导热性气体引入热交换间隙。 通过热交换间隙的热传导是由高导热气体介导的。

    Line pattern collapse mitigation through gap-fill material application
    2.
    发明授权
    Line pattern collapse mitigation through gap-fill material application 有权
    通过间隙填充材料应用减少线路崩溃

    公开(公告)号：US08795952B2

    公开(公告)日：2014-08-05

    申请号：US13031112

    申请日：2011-02-18

    申请人： Mark H. Somervell ,  Benjamen M. Rathsack ,  Ian J. Brown ,  Steven Scheer ,  Joshua Hooge

    发明人： Mark H. Somervell ,  Benjamen M. Rathsack ,  Ian J. Brown ,  Steven Scheer ,  Joshua Hooge

    IPC分类号： G03F7/30

    CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0384 ,  G03F7/2024 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

    摘要： Disclosed is a method and apparatus for mitigation of photoresist line pattern collapse in a photolithography process by applying a gap-fill material treatment after the post-development line pattern rinse step. The gap-fill material dries into a solid layer filling the inter-line spaces of the line pattern, thereby preventing line pattern collapse due to capillary forces during the post-rinse line pattern drying step. Once dried, the gap-fill material is depolymerized, volatilized, and removed from the line pattern by heating, illumination with ultraviolet light, by application of a catalyst chemistry, or by plasma etching.

    摘要翻译： 公开了一种用于通过在显影后图案漂洗步骤之后施加间隙填充材料处理来减轻光刻工艺中的光致抗蚀剂线图案塌陷的方法和装置。 间隙填充材料干燥成填充线图案的间隔空间的固体层，从而防止在后冲洗线图案干燥步骤期间由于毛细管力引起的线图案塌陷。 一旦干燥，间隙填充材料通过加热，用紫外线照射，通过施加催化剂化学或通过等离子体蚀刻从线图案解聚，挥发和除去。

    Method for creating gray-scale features for dual tone development processes
    3.
    发明授权
    Method for creating gray-scale features for dual tone development processes 有权
    为双音发展过程创建灰度特征的方法

    公开(公告)号：US08283111B2

    公开(公告)日：2012-10-09

    申请号：US12334852

    申请日：2008-12-15

    申请人： Carlos A. Fonseca ,  Mark Somervell ,  Steven Scheer

    发明人： Carlos A. Fonseca ,  Mark Somervell ,  Steven Scheer

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/70283 ,  G03F5/16 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325

    摘要： A method of patterning a substrate using a dual-tone development process is described. The patterning method comprises forming a layer of radiation-sensitive material on a substrate, wherein the layer of radiation-sensitive material comprises a dual tone resist. Thereafter, the patterning method comprises performing one or more exposures of the layer of radiation-sensitive material to one or more patterns of radiation, wherein at least one of the one or more exposures comprises using a mask having a dual-tone mask pattern region configured for printing dual tone features and a half-tone mask pattern region configured for printing half-tone features. Furthermore, the half-tone mask pattern region is optimized for use with the dual tone resist.

    摘要翻译： 描述使用双音发展过程对衬底进行构图的方法。 图案化方法包括在衬底上形成辐射敏感材料层，其中辐射敏感材料层包括双色调抗蚀剂。 此后，图案化方法包括对辐射敏感材料层进行一次或多次曝光，以一个或多个辐射图案，其中一个或多个曝光中的至少一个曝光包括使用配置有双色调掩模图案区域的掩模 用于打印双色特征和配置用于打印半色调特征的半色调蒙版图案区域。 此外，半色调掩模图案区域被优化用于双色调抗蚀剂。

    METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERN
    5.
    发明申请
    METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERN 审中-公开
    形成自对准双模式的方法

    公开(公告)号：US20120045721A1

    公开(公告)日：2012-02-23

    申请号：US12858919

    申请日：2010-08-18

    申请人： Wallace P. Printz ,  Steven Scheer

    发明人： Wallace P. Printz ,  Steven Scheer

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/091 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38

    摘要： The invention can provide a method of processing a substrate using Double-Patterned-Shadow (D-P-S) processing sequences that can include (D-P-S) creation procedures, (D-P-S) evaluation procedures, and (D-P-S) transfer sequences. The (D-P-S) creation procedures can include deposition procedures, activation procedures, de-protecting procedures, sidewall angle (SWA) correction procedure, and Double Patterned (DP) developing procedures.

    摘要翻译： 本发明可以提供一种使用可以包括（D-P-S）产生程序（D-P-S）评估程序和（D-P-S）转移序列）的双图案阴影（D-P-S）处理序列来处理衬底的方法。 （D-P-S）创建程序可以包括沉积程序，激活程序，去保护程序，侧壁角（SWA）校正程序和双重图案（DP）开发程序。

    Using Electric-Field Directed Post-Exposure Bake for Double-Patterning (D-P)
    7.
    发明申请
    Using Electric-Field Directed Post-Exposure Bake for Double-Patterning (D-P) 有权
    使用电场定向后曝光烘烤进行双重图案化（D-P）

    公开(公告)号：US20100248152A1

    公开(公告)日：2010-09-30

    申请号：US12415505

    申请日：2009-03-31

    申请人： Steven Scheer ,  Mark Somervell

    发明人： Steven Scheer ,  Mark Somervell

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/0337

    摘要： The invention provides a method of processing a substrate using Double-Patterning (D-P) processing sequences and Electric-Field Enhanced Layers (E-FELs). The D-P processing sequences and E-FELs can be used to create lines, trenches, vias, spacers, contacts, and gate structures using a minimum number of etch processes.

    摘要翻译： 本发明提供使用双图案（D-P）处理序列和电场增强层（E-FEL）处理衬底的方法。 D-P处理序列和E-FEL可以用于使用最少数量的蚀刻工艺来产生线，沟槽，通孔，间隔物，接触和栅极结构。

    Method for Patterning a Semiconductor Wafer
    9.
    发明申请
    Method for Patterning a Semiconductor Wafer 有权
    半导体晶片图案化方法

    公开(公告)号：US20090220893A1

    公开(公告)日：2009-09-03

    申请号：US12041500

    申请日：2008-03-03

    申请人： Steven Scheer ,  Uwe Paul Schroeder

    发明人： Steven Scheer ,  Uwe Paul Schroeder

    IPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/26

    CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

    摘要： A method for etching a pattern on a surface is disclosed. A mask layer is disposed over a surface and a resist is disposed over the mask layer. The resist is exposed to light through the mask exposing primary pattern and sidelobe regions. The resist is developed and the mask layer is etched according to the resist pattern. A first material is deposited over the mask layer, wherein a gap is formed beneath the material and over the primary pattern region. The material is etched back so that the gap is exposed, and the primary pattern region is etched using the first material as a mask.

    摘要翻译： 公开了一种用于蚀刻表面上的图案的方法。 掩模层设置在表面上，并且抗蚀剂设置在掩模层上。 抗蚀剂通过暴露初级图案和旁瓣区域的掩模曝光。 抗蚀剂被显影，并且根据抗蚀剂图案蚀刻掩模层。 第一材料沉积在掩模层上，其中在材料之下和主要图案区域之上形成间隙。 蚀刻材料以使间隙暴露，并且使用第一材料作为掩模蚀刻初级图案区域。

    Optimized characterization of wafers structures for optical metrology
    10.
    发明授权
    Optimized characterization of wafers structures for optical metrology 失效
    光学测量的晶圆结构的优化表征

    公开(公告)号：US07444196B2

    公开(公告)日：2008-10-28

    申请号：US11408744

    申请日：2006-04-21

    申请人： Steven Scheer ,  Alan Nolet ,  Manuel Madriaga

    发明人： Steven Scheer ,  Alan Nolet ,  Manuel Madriaga

    IPC分类号： G06F19/00 ,  G01B11/14 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66

    CPC分类号： G01N21/4788 ,  G03F7/70625

    摘要： A patterned structure in a wafer is created using one or more fabrication treatment processes. The patterned structure has a treated and an untreated portion. One or more diffraction sensitivity enhancement techniques are applied to the structure, the one or more diffraction sensitivity enhancement techniques adjusting one or more properties of the patterned structure to enhance diffraction contrast between the treated portion and untreated portions. A first diffraction signal is measured off an unpatterned structure on the wafer using an optical metrology device. A second diffraction signal is measured off the patterned structure on the wafer using the optical metrology device. One or more diffraction sensitivity enhancement techniques are selected based on comparisons of the first and second diffraction signals.

    摘要翻译： 使用一个或多个制造处理工艺制造晶片中的图案化结构。 图案化结构具有经处理和未处理的部分。 将一种或多种衍射灵敏度增强技术应用于该结构，一种或多种衍射灵敏度增强技术调节图案化结构的一个或多个性质以增强经处理部分和未处理部分之间的衍射对比度。 使用光学测量装置从晶片上的未图案化结构测量第一衍射信号。 使用光学测量装置从晶片上的图案化结构测量第二衍射信号。 基于第一和第二衍射信号的比较来选择一种或多种衍射灵敏度增强技术。