发明授权
US08440260B2 Diruthenium complex, and material and method for chemical vapor deposition
有权
二钌络合物，以及用于化学气相沉积的材料和方法
- 专利标题： Diruthenium complex, and material and method for chemical vapor deposition
- 专利标题（中）： 二钌络合物，以及用于化学气相沉积的材料和方法
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申请号： US12933127申请日： 2008-09-04
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公开(公告)号： US08440260B2公开(公告)日： 2013-05-14
- 发明人: Tatsuya Sakai , Sanshiro Komiya , Naofumi Nomura
- 申请人： Tatsuya Sakai , Sanshiro Komiya , Naofumi Nomura
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： JSR Corporation
- 当前专利权人： JSR Corporation
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
- 优先权： JP2008-068102 20080317
- 国际申请： PCT/JP2008/066364 WO 20080904
- 国际公布： WO2009/116191 WO 20090924
- 主分类号： C23C16/00
- IPC分类号： C23C16/00 ; C07F15/00
摘要：
A diruthenium complex such as tetra(μ-formato)diruthenium(II,II) or tetra(μ-formato)(dehydrate)diruthenium(II,II), a material for chemical vapor deposition which comprises the complex, and a method of forming a ruthenium film from the material by chemical vapor deposition.
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