发明授权
- 专利标题： NAND step up voltage switching method
- 专利标题（中）： NAND升压电压切换方式
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申请号： US13366557申请日： 2012-02-06
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公开(公告)号： US08441860B2公开(公告)日： 2013-05-14
- 发明人: Akira Goda , Taehoon Kim , Doyle Rivers , Roger Porter
- 申请人： Akira Goda , Taehoon Kim , Doyle Rivers , Roger Porter
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 代理机构： Leffert Jay & Polglaze, P.A.
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04
摘要：
Methods and memories having switching points for changing Vstep increments according to a level of a multilevel cell being programmed include programming at a smaller Vstep increment in narrow threshold voltage situations and programming at a larger Vstep increment where faster programming is desired.
公开/授权文献
- US20120140567A1 NAND STEP UP VOLTAGE SWITCHING METHOD 公开/授权日：2012-06-07
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