发明授权
- 专利标题： Method of depositing a metal-containing dielectric film
- 专利标题（中）： 沉积含金属介电膜的方法
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申请号： US13009958申请日： 2011-01-20
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公开(公告)号： US08470402B2公开(公告)日： 2013-06-25
- 发明人: Christian Dussarrat , Nicolas Blasco , Audrey Pinchart , Christophe Lachaud
- 申请人： Christian Dussarrat , Nicolas Blasco , Audrey Pinchart , Christophe Lachaud
- 申请人地址： FR Paris
- 专利权人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 当前专利权人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 当前专利权人地址： FR Paris
- 代理商 Patricia E. McQueeney
- 优先权： WOPCT/EP2006/062893 20060602
- 主分类号： C23C16/40
- IPC分类号： C23C16/40
摘要：
Methods of depositing a metal containing dielectric film on a substrate are disclosed. The metal containing dielectric film has the formula (M11-a M2a) Ob Nc, wherein 0≦a
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