公开(公告)号：US08853075B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US12920026

申请日：2009-02-13

申请人： Satoko Gatineau ,  Christian Dussarrat ,  Christophe Lachaud ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Ziyun Wang ,  Jean-Marc Girard ,  Andreas Zauner

发明人： Satoko Gatineau ,  Christian Dussarrat ,  Christophe Lachaud ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Ziyun Wang ,  Jean-Marc Girard ,  Andreas Zauner

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01J31/12 ,  H01J29/86

CPC分类号： H01J29/86 ,  C07F17/00 ,  C23C16/405 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45553 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

摘要： Methods of forming titanium-containing layers on substrates are disclosed. In the disclosed methods, the vapor of a precursor compound having the formula Ti(Me5Cp)(OR)3, wherein R is selected from methyl, ethyl, or isopropyl is provided. The vapor is reacted with the substrate according to an atomic layer deposition process to form a titanium-containing complex on the surface of the substrate.

摘要翻译： 公开了在基底上形成含钛层的方法。 在所公开的方法中，提供了具有式Ti（Me 5 C p）（OR）3的前体化合物的蒸气，其中R选自甲基，乙基或异丙基。 根据原子层沉积工艺使蒸气与基底反应，以在基底表面上形成含钛复合物。

公开(公告)号：US08668957B2

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US12303169

申请日：2007-03-16

申请人： Christian Dussarrat ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Christophe Lachaud

发明人： Christian Dussarrat ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Christophe Lachaud

IPC分类号： C23C16/40

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C07F7/00 ,  C07F7/003 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

摘要： Method of deposition on a substrate, of a metal containing dielectric film comprising a compound of the formula (I): (M11-aM2a)ObNc,  (I) wherein 0≦a

摘要翻译： 包含式（I）化合物的含金属介电膜的基片沉积方法：（M11-aM2a）ObNc，（Ⅰ）其中0≤a≤1,0

公开(公告)号：US20110275215A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US12920026

申请日：2009-02-13

申请人： Satoko Gatineau ,  Christian Dussarrat ,  Christophe Lachaud ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Ziyun Wang ,  Jean-Marc Girard ,  Andreas Zauner

发明人： Satoko Gatineau ,  Christian Dussarrat ,  Christophe Lachaud ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Ziyun Wang ,  Jean-Marc Girard ,  Andreas Zauner

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01J29/86 ,  C07F17/00 ,  C23C16/405 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45553 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

摘要： A method for forming a titanium-containing layer on a substrate, the method comprising at least the steps of: a) providing a vapor comprising at least one precursor compound of the formula Ti(Me5Cp)(OR)3 (I), wherein R is selected in the group consisting in methyl, ethyl, isopropyl; or of the formula Ti(R1Cp)(OR2)3 (II), wherein R1 is selected from the group consisting in H, methyl, ethyl, isopropyl and R2 is independently selected from the group consisting in methyl, ethyl, isopropyl or tert-butyl; b) reacting the vapor comprising the at least one compound of formula (I) or (II) with the substrate, according to an atomic layer deposition process, to form a layer of a tantalum-containing complex on at least one surface of said substrate.

摘要翻译： 一种在基材上形成含钛层的方法，所述方法至少包括以下步骤：a）提供包含至少一种式Ti（Me 5 C p）（OR）3（I）的前体化合物的蒸气，其中R 选自甲基，乙基，异丙基; 其中R 1选自H，甲基，乙基，异丙基和R 2独立地选自甲基，乙基，异丙基或叔丁基， 丁基; b）根据原子层沉积工艺使包含至少一种式（I）或（II）化合物的蒸气与基材反应，以在所述基材的至少一个表面上形成含钽复合物层 。

公开(公告)号：US08470402B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US13009958

申请日：2011-01-20

申请人： Christian Dussarrat ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Christophe Lachaud

发明人： Christian Dussarrat ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Christophe Lachaud

IPC分类号： C23C16/40

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C07F7/00 ,  C07F7/003 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

摘要： Methods of depositing a metal containing dielectric film on a substrate are disclosed. The metal containing dielectric film has the formula (M11-a M2a) Ob Nc, wherein 0≦a

摘要翻译： 公开了在基片上沉积含金属介电膜的方法。 含金属的介电膜具有式（M11-a M2a）Ob Nc，其中0≤a<1,0

公开(公告)号：US20110207337A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13009958

申请日：2011-01-20

申请人： Christian DUSSARRAT ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Christophe Lachaud

发明人： Christian DUSSARRAT ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Christophe Lachaud

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C07F7/00 ,  C07F7/003 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

摘要： The application relates to a method of deposition on a substrate, of a metal containing dielectric film comprising a compound of the formula (M11-aM2a)ObNc, wherein 0≦a

摘要翻译： 本申请涉及一种沉积在基底上的包含式（M11-aM2a）ObNc化合物的含金属介电膜的方法，其中0＆lt; 1lE; a <1,0

公开(公告)号：US20090203222A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12303169

申请日：2007-03-16

申请人： Christian Dussarrat ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Christophe Lachaud

发明人： Christian Dussarrat ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Christophe Lachaud

IPC分类号： H01L21/31 ,  C07F7/00

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C07F7/00 ,  C07F7/003 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

摘要： Method of deposition on a substrate, of a metal containing dielectric film comprising a compound of the formula (I): (M11-aM2a)ObNc,  (I) wherein 0≦a

公开(公告)号：US08460989B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US13123013

申请日：2009-10-06

申请人： Nicolas Blasco ,  Anthony Correia-Anacleto ,  Audrey Pinchart ,  Andreas Zauner

发明人： Nicolas Blasco ,  Anthony Correia-Anacleto ,  Audrey Pinchart ,  Andreas Zauner

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/4763 ,  C23C16/00 ,  C07F9/00

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C07F9/00 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141

摘要： Disclosed are methods for forming a metal-containing layer on a substrate. A vapor comprising at least one precursor compound selected from the group consisting of (Cp)V(=NtBu)(NEt2)2; (Cp)V(=NtBu)(NMe2)2; (Cp)V(=NtBu)(NEtMe)2; (Cp)V(═NiPr)(NEt2)2; (Cp)V(═NiPr)(NMe2)2; (Cp)V(═NiPr)(NEtMe)2; (Cp)V(═NC5H11)(NEt2)2; (Cp)V(═NC5H11)(NMe2)2; (Cp)V(═NC5H11)(NEtMe)2; (Cp)Nb(=NtBu)(NEt2)2; (Cp)Nb(=NtBu)(NMe2)2; (Cp)Nb(=NtBu)(NEtMe)2; (Cp)Nb(═NiPr)(NEt2)2; (Cp)Nb(═NiPr)(NMe2)2; (Cp)Nb(═NiPr)(NEtMe)2; (Cp)Nb(═NC5H11)(NEt2)2; (Cp)Nb(═NC5H11)(NMe2)2; and (Cp)Nb(═NC5H11)(NEtMe)2 is provided. At least one reaction gas selected from the group consisting of ozone and water is provided. The vapor and the reaction gas react with the substrate according to a deposition process to form the metal-containing layer on at least one surface of the substrate.

摘要翻译： 公开了在基板上形成含金属层的方法。 包含至少一种选自（Cp）V（= NtBu）（NEt2）2）的前体化合物的蒸气; （Cp）V（= NtBu）（NMe2）2; （Cp）V（= NtBu）（NEtMe）2; （Cp）V（= NiPr）（NEt2）2; （Cp）V（= NiPr）（NMe2）2; （Cp）V（= NiPr）（NEtMe）2; （Cp）V（= NC5H11）（NEt2）2; （Cp）V（= NC5H11）（NMe2）2; （Cp）V（= NC5H11）（NEtMe）2; （Cp）Nb（= NtBu）（NEt2）2; （Cp）Nb（= NtBu）（NMe2）2; （Cp）Nb（= NtBu）（NEtMe）2; （Cp）Nb（= NiPr）（NEt2）2; （Cp）Nb（= NiPr）（NMe2）2; （Cp）Nb（= NiPr）（NEtMe）2; （Cp）Nb（= NC5H11）（NEt2）2; （Cp）Nb（= NC5H11）（NMe2）2; 和（Cp）Nb（= NC5H11）（NEtMe）2。 提供至少一种选自臭氧和水的反应气体。 蒸汽和反应气体根据沉积工艺与基底反应，以在基底的至少一个表面上形成含金属层。

公开(公告)号：US09085823B2

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：US13056934

申请日：2009-07-15

申请人： Nicolas Blasco ,  Anthony Correia-Anacleto ,  Audrey Pinchart ,  Andreas Zauner ,  Ziyun Wang

发明人： Nicolas Blasco ,  Anthony Correia-Anacleto ,  Audrey Pinchart ,  Andreas Zauner ,  Ziyun Wang

IPC分类号： H01L21/3205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/18

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/18

摘要： A method for forming a tantalum-containing layer on a substrate, the method comprising at least the steps of: a) providing a vapor comprising at least one precursor compound of the formula Cp(R1)mTa(NR22)2(═NR3) (I): wherein: R1 is an organic ligand, each one independently selected in the group consisting of H, linear or branched hydrocarbyl radical comprising from 1 to 6 carbon atoms; R2 is an organic ligand, each one independently selected in the group consisting of H, linear or branched hydrocarbyl radical comprising from 1 to 6 carbon atoms; R3 is an organic ligand selected in the group consisting of H, linear or branched hydrocarbyl radical comprising from 1 to 6 carbon atoms; b) reacting the vapor comprising the at least one compound of formula (I) with the substrate, according to an atomic layer deposition process, to form a layer of a tantalum-containing complex on at least one surface of said substrate.

摘要翻译： 一种在基底上形成含钽层的方法，所述方法至少包括以下步骤：a）提供包含至少一种式Cp（R1）mTa（NR22）2（= NR3）（= I）：其中：R 1是有机配体，每个独立地选自H，包含1至6个碳原子的直链或支链烃基; R2是有机配体，每个独立地选自H，包含1至6个碳原子的直链或支链烃基; R3是选自H，包含1至6个碳原子的直链或支链烃基的有机配体; b）根据原子层沉积方法使包含至少一种式（I）化合物的蒸气与基材反应，以在所述基材的至少一个表面上形成含钽复合物层。

公开(公告)号：US20110244681A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13056934

申请日：2009-07-15

申请人： Nicolas Blasco ,  Anthony Correia-Anacleto ,  Audrey Pinchart ,  Andreas Zauner ,  Ziyun Wang

发明人： Nicolas Blasco ,  Anthony Correia-Anacleto ,  Audrey Pinchart ,  Andreas Zauner ,  Ziyun Wang

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/18

摘要： A method for forming a tantalum-containing layer on a substrate, the method comprising at least the steps of: a) providing a vapor comprising at least one precursor compound of the formula Cp(R1)mTa(NR22)2(═NR3) (I): wherein: R1 is an organic ligand, each one independently selected in the group consisting of H, linear or branched hydrocarbyl radical comprising from 1 to 6 carbon atoms; R2 is an organic ligand, each one independently selected in the group consisting of H, linear or branched hydrocarbyl radical comprising from 1 to 6 carbon atoms; R3 is an organic ligand selected in the group consisting of H, linear or branched hydrocarbyl radical comprising from 1 to 6 carbon atoms; b) reacting the vapor comprising the at least one compound of formula (I) with the substrate, according to an atomic layer deposition process, to form a layer of a tantalum-containing complex on at least one surface of said substrate.

摘要翻译： 一种在基底上形成含钽层的方法，所述方法至少包括以下步骤：a）提供包含至少一种式Cp（R1）mTa（NR22）2（= NR3）（= I）：其中：R 1是有机配体，每个独立地选自H，包含1至6个碳原子的直链或支链烃基; R2是有机配体，每个独立地选自H，包含1至6个碳原子的直链或支链烃基; R3是选自H，包含1至6个碳原子的直链或支链烃基的有机配体; b）根据原子层沉积方法使包含至少一种式（I）化合物的蒸气与基材反应，以在所述基材的至少一个表面上形成含钽复合物层。

公开(公告)号：US20110195574A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：US13123013

申请日：2009-10-06

申请人： Nicolas Blasco ,  Anthony Correia-Anacleto ,  Audrey Pinchart ,  Andreas Zauner

发明人： Nicolas Blasco ,  Anthony Correia-Anacleto ,  Audrey Pinchart ,  Andreas Zauner

IPC分类号： H01L21/3205 ,  C07F9/92

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C07F9/00 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141

摘要： Compound of the formula Cp(R1)mM(NR22)2(═NR3) (I): Wherein: M is a metal independently selected from Vanadium (V) or Niobium (Nb) and m≦5; R1 is an organic ligand, each one independently selected in the group consisting of H, linear or branched hydrocarbyl radical comprising from 1 to 6 carbon atom; R2 is an organic ligand, each one independently selected in the group consisting of H, linear or branched hydrocarbyl radical comprising from 1 to 6 carbon atom; R3 is an organic ligand selected in the group consisting of H, linear or branched hydrocarbyl radical comprising from 1 to 6 carbon atom.

摘要翻译： 式（Cp）（R1）mM（NR22）2（= NR3）（I）的化合物：其中：M是独立地选自钒（V​​）或铌（Nb）和m＆lt; 1E; 5; R1是有机配体，每个独立地选自H，包含1至6个碳原子的直链或支链烃基; R2是有机配体，每个独立地选自H，包含1至6个碳原子的直链或支链烃基; R3是选自H，包含1至6个碳原子的直链或支链烃基的有机配体。