发明授权
US08492281B2 Liquid composition, method of producing silicon substrate, and method of producing liquid discharge head substrate
有权
液体组合物，硅基板的制造方法以及液体排出头基板的制造方法
- 专利标题： Liquid composition, method of producing silicon substrate, and method of producing liquid discharge head substrate
- 专利标题（中）： 液体组合物，硅基板的制造方法以及液体排出头基板的制造方法
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申请号： US13556991申请日： 2012-07-24
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公开(公告)号： US08492281B2公开(公告)日： 2013-07-23
- 发明人: Hiroyuki Abo , Taichi Yonemoto , Shuji Koyama , Kenta Furusawa , Keisuke Kishimoto
- 申请人： Hiroyuki Abo , Taichi Yonemoto , Shuji Koyama , Kenta Furusawa , Keisuke Kishimoto
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Canon U.S.A., Inc., IP Division
- 优先权： JP2010-017006 20100128
- 主分类号： H01L21/311
- IPC分类号： H01L21/311
摘要：
A liquid composition used to carry out crystal anisotropic etching of a silicon substrate provided with an etching mask formed of a silicon oxide film with the silicon oxide film used as a mask includes cesium hydroxide, an alkaline organic compound, and water.
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