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US08574525B2 Using boron-containing compounds, gasses and fluids during ammonothermal growth of group-III nitride crystals
失效
在III族氮化物晶体的氨热生长过程中，使用含硼化合物，气体和流体
- 专利标题： Using boron-containing compounds, gasses and fluids during ammonothermal growth of group-III nitride crystals
- 专利标题（中）： 在III族氮化物晶体的氨热生长过程中，使用含硼化合物，气体和流体
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申请号： US13128092申请日： 2009-11-04
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公开(公告)号： US08574525B2公开(公告)日： 2013-11-05
- 发明人: Siddha Pimputkar , Derrick S. Kamber , James S. Speck , Shuji Nakamura
- 申请人： Siddha Pimputkar , Derrick S. Kamber , James S. Speck , Shuji Nakamura
- 申请人地址： US CA Oakland
- 专利权人： The Regents of the University of California
- 当前专利权人： The Regents of the University of California
- 当前专利权人地址： US CA Oakland
- 代理机构： Gates & Cooper LLP
- 国际申请： PCT/US2009/063233 WO 20091104
- 国际公布： WO2010/053960 WO 20100514
- 主分类号： C01B21/06
- IPC分类号： C01B21/06 ; C01B21/072 ; C01B21/064 ; C30B7/00 ; C30B11/00 ; C30B21/02 ; B01J3/04 ; B01D9/00 ; H01B1/06 ; C09K5/00
摘要：
Boron-containing compounds, gasses and fluids are used during ammonothermal growth of group-Ill nitride crystals. Boron-containing compounds are used as impurity getters during the ammonothermal growth of group-Ill nitride crystals. In addition, a boron-containing gas and/or supercritical fluid is used for enhanced solubility of group-Ill nitride into said fluid.
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