发明授权
- 专利标题： Dopant-containing contact material
- 专利标题（中）： 含掺杂剂的接触材料
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申请号： US12793456申请日： 2010-06-03
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公开(公告)号： US08766088B2公开(公告)日： 2014-07-01
- 发明人: Long Cheng , Akhlesh Gupta , Anke Abken , Benyamin Buller
- 申请人： Long Cheng , Akhlesh Gupta , Anke Abken , Benyamin Buller
- 申请人地址： US OH Perrysburg
- 专利权人： First Solar, Inc.
- 当前专利权人： First Solar, Inc.
- 当前专利权人地址： US OH Perrysburg
- 代理机构： Dickstein Shapiro LLP
- 主分类号： H01L31/0224
- IPC分类号： H01L31/0224 ; H01L31/0296
摘要：
A photovoltaic device can include a doped contact layer adjacent to a semiconductor absorber layer, where the doped contact layer includes a metal base material and a dopant.
公开/授权文献
- US20100326491A1 DOPANT-CONTAINING CONTACT MATERIAL 公开/授权日：2010-12-30
信息查询
IPC分类:
