Extreme high mobility CMOS logic

发明授权

US08802517B2 Extreme high mobility CMOS logic 有权

标题翻译：极高移动性CMOS逻辑

请登陆查看更多内容

专利标题： Extreme high mobility CMOS logic
专利标题（中）： 极高移动性CMOS逻辑
申请号： US13962890

申请日： 2013-08-08
公开(公告)号： US08802517B2

公开(公告)日： 2014-08-12
发明人: Suman Datta , Mantu K. Hudait , Mark L. Doczy , Jack T. Kavalieros , Majumdar Amian , Justin K. Brask , Been-Yih Jin , Matthew V. Metz , Robert S. Chau
申请人： Suman Datta , Mantu K. Hudait , Mark L. Doczy , Jack T. Kavalieros , Majumdar Amian , Justin K. Brask , Been-Yih Jin , Matthew V. Metz , Robert S. Chau
申请人地址： US CA Santa Clara
专利权人： Intel Corporation
当前专利权人： Intel Corporation
当前专利权人地址： US CA Santa Clara
代理机构： Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP
主分类号： H01L21/338
IPC分类号： H01L21/338

摘要：

A CMOS device includes a PMOS transistor with a first quantum well structure and an NMOS device with a second quantum well structure. The PMOS and NMOS transistors are formed on a substrate.

摘要（中）：

CMOS器件包括具有第一量子阱结构的PMOS晶体管和具有第二量子阱结构的NMOS器件。 PMOS和NMOS晶体管形成在衬底上。

公开/授权文献

US20130328015A1 EXTREME HIGH MOBILITY CMOS LOGIC 公开/授权日：2013-12-12

信息查询

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/338	......带有肖特基栅的