发明授权
- 专利标题： Method for forming a titanium-containing layer on a substrate using an atomic layer deposition (ALD) process
- 专利标题（中）： 使用原子层沉积（ALD）工艺在衬底上形成含钛层的方法
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申请号： US12920026申请日： 2009-02-13
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公开(公告)号： US08853075B2公开(公告)日： 2014-10-07
- 发明人: Satoko Gatineau , Christian Dussarrat , Christophe Lachaud , Nicolas Blasco , Audrey Pinchart , Ziyun Wang , Jean-Marc Girard , Andreas Zauner
- 申请人： Satoko Gatineau , Christian Dussarrat , Christophe Lachaud , Nicolas Blasco , Audrey Pinchart , Ziyun Wang , Jean-Marc Girard , Andreas Zauner
- 申请人地址： FR Paris
- 专利权人： L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 当前专利权人： L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 当前专利权人地址： FR Paris
- 代理商 Patricia E. McQueeney
- 优先权： EP08305035 20080227
- 国际申请： PCT/EP2009/051683 WO 20090213
- 国际公布： WO2009/106433 WO 20090903
- 主分类号： H01L21/4763
- IPC分类号： H01L21/4763 ; H01J31/12 ; H01J29/86
摘要：
Methods of forming titanium-containing layers on substrates are disclosed. In the disclosed methods, the vapor of a precursor compound having the formula Ti(Me5Cp)(OR)3, wherein R is selected from methyl, ethyl, or isopropyl is provided. The vapor is reacted with the substrate according to an atomic layer deposition process to form a titanium-containing complex on the surface of the substrate.
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