公开(公告)号：US08853075B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US12920026

申请日：2009-02-13

申请人： Satoko Gatineau ,  Christian Dussarrat ,  Christophe Lachaud ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Ziyun Wang ,  Jean-Marc Girard ,  Andreas Zauner

发明人： Satoko Gatineau ,  Christian Dussarrat ,  Christophe Lachaud ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Ziyun Wang ,  Jean-Marc Girard ,  Andreas Zauner

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01J31/12 ,  H01J29/86

CPC分类号： H01J29/86 ,  C07F17/00 ,  C23C16/405 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45553 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

摘要： Methods of forming titanium-containing layers on substrates are disclosed. In the disclosed methods, the vapor of a precursor compound having the formula Ti(Me5Cp)(OR)3, wherein R is selected from methyl, ethyl, or isopropyl is provided. The vapor is reacted with the substrate according to an atomic layer deposition process to form a titanium-containing complex on the surface of the substrate.

摘要翻译： 公开了在基底上形成含钛层的方法。 在所公开的方法中，提供了具有式Ti（Me 5 C p）（OR）3的前体化合物的蒸气，其中R选自甲基，乙基或异丙基。 根据原子层沉积工艺使蒸气与基底反应，以在基底表面上形成含钛复合物。

公开(公告)号：US20110275215A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US12920026

申请日：2009-02-13

申请人： Satoko Gatineau ,  Christian Dussarrat ,  Christophe Lachaud ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Ziyun Wang ,  Jean-Marc Girard ,  Andreas Zauner

发明人： Satoko Gatineau ,  Christian Dussarrat ,  Christophe Lachaud ,  Nicolas Blasco ,  Audrey Pinchart ,  Ziyun Wang ,  Jean-Marc Girard ,  Andreas Zauner

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01J29/86 ,  C07F17/00 ,  C23C16/405 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45553 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

摘要： A method for forming a titanium-containing layer on a substrate, the method comprising at least the steps of: a) providing a vapor comprising at least one precursor compound of the formula Ti(Me5Cp)(OR)3 (I), wherein R is selected in the group consisting in methyl, ethyl, isopropyl; or of the formula Ti(R1Cp)(OR2)3 (II), wherein R1 is selected from the group consisting in H, methyl, ethyl, isopropyl and R2 is independently selected from the group consisting in methyl, ethyl, isopropyl or tert-butyl; b) reacting the vapor comprising the at least one compound of formula (I) or (II) with the substrate, according to an atomic layer deposition process, to form a layer of a tantalum-containing complex on at least one surface of said substrate.

摘要翻译： 一种在基材上形成含钛层的方法，所述方法至少包括以下步骤：a）提供包含至少一种式Ti（Me 5 C p）（OR）3（I）的前体化合物的蒸气，其中R 选自甲基，乙基，异丙基; 其中R 1选自H，甲基，乙基，异丙基和R 2独立地选自甲基，乙基，异丙基或叔丁基， 丁基; b）根据原子层沉积工艺使包含至少一种式（I）或（II）化合物的蒸气与基材反应，以在所述基材的至少一个表面上形成含钽复合物层 。

公开(公告)号：US10648087B2

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：US15774892

申请日：2016-09-01

申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude ,  Clément Lansalot-Matras ,  Jooho Lee ,  Jean-Marc Girard ,  Nicolas Blasco ,  Satoko Gatineau

发明人： Clément Lansalot-Matras ,  Jooho Lee ,  Jean-Marc Girard ,  Nicolas Blasco ,  Satoko Gatineau

IPC分类号： C23F1/12 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  C23C8/80 ,  H01L21/02 ,  B08B9/08

摘要： Disclosed are processes of removing layers from substrates using fluorinated reactants having the formula MFx(adduct)n, wherein x ranges from 2 to 6 inclusive; n ranges from 0 to 5 inclusive; M is selected from the group consisting of P, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, and W; and the adduct is a neutral organic molecule selected from THF, dimethylether, diethylether, glyme, diglyme, triglyme, polyglyme, dimethylsulphide, diethylsulphide, or methylcyanide. The fluorinated reactants dry etch the nitride layers without utilizing any plasma.

公开(公告)号：US10309010B2

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：US14765090

申请日：2014-01-31

申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude ,  Satoko Gatineau ,  Changhee Ko ,  Jean-Marc Girard ,  Julien Gatineau

发明人： Satoko Gatineau ,  Changhee Ko ,  Jean-Marc Girard ,  Julien Gatineau

IPC分类号： C23C16/06 ,  C07F15/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  C23C16/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

摘要： Cobalt-containing compounds, their synthesis, and their use for the deposition of cobalt containing films are disclosed. The disclosed cobalt-containing compounds have one of the following formulae: wherein each of R1, R2, R3, R4 and R5 is independently selected from the group consisting of hydrogen and linear, cyclic, or branched hydrocarbon groups; provided that (a) R1≠R2 and/or R3 when R1 and R2 and R3 are a hydrocarbon group; (b) R1 and R2 are a hydrocarbon group when R3 is H; or (c) R1 is a C2-C4 hydrocarbon group when R2 and R3 are H.

公开(公告)号：US08092721B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US12411782

申请日：2009-03-26

申请人： Satoko Gatineau ,  Julien Gatineau ,  Christian Dussarrat

发明人： Satoko Gatineau ,  Julien Gatineau ,  Christian Dussarrat

IPC分类号： H01B1/02 ,  H01B1/12 ,  H01B1/00 ,  B05D5/12 ,  B05D3/00 ,  C23C16/00 ,  C23C16/40 ,  H01T14/00 ,  H05H1/48 ,  H05B6/02 ,  H05B6/24 ,  H01L21/00 ,  H01L29/02

CPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/45553

摘要： Methods and compositions for the deposition of ternary oxide films containing ruthenium and an alkali earth metal.

摘要翻译： 用于沉积含有钌和碱土金属的三元氧化物膜的方法和组合物。

公开(公告)号：US08357614B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US12981798

申请日：2010-12-30

申请人： Satoko Gatineau

发明人： Satoko Gatineau

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01B1/24 ,  C07F15/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/16 ,  C23C16/30 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562

摘要： Disclosed are ruthenium-containing precursors and methods of using the same in CVD and ALD.

摘要翻译： 公开了含钌前体及其在CVD和ALD中的使用方法。