发明授权
US09153438B2 Sintered oxide body, target comprising the same, and oxide semiconductor thin film
有权
烧结氧化物体，包含该氧化物的靶和氧化物半导体薄膜
- 专利标题： Sintered oxide body, target comprising the same, and oxide semiconductor thin film
- 专利标题（中）： 烧结氧化物体，包含该氧化物的靶和氧化物半导体薄膜
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申请号： US13699851申请日： 2011-05-24
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公开(公告)号： US09153438B2公开(公告)日： 2015-10-06
- 发明人: Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Koki Yano , Kazuyoshi Inoue
- 申请人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Koki Yano , Kazuyoshi Inoue
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 当前专利权人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Foley & Lardner LLP
- 优先权： JP2010-121471 20100527
- 国际申请： PCT/JP2011/002873 WO 20110524
- 国际公布： WO2011/148614 WO 20111201
- 主分类号： C04B35/01
- IPC分类号： C04B35/01 ; H01L21/02 ; C04B35/622 ; C04B35/626 ; C23C14/08 ; C23C14/34 ; H01L21/00 ; H01B1/08 ; H01L29/786 ; B82Y30/00
摘要：
An oxide sintered body including an oxide of indium and aluminum and having an atomic ratio Al/(Al+In) of 0.01 to 0.08.
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