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1.发明申请SINTERED OXIDE MATERIAL, TARGET COMPRISING SAME, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM 有权烧结氧化物材料，包含其的目标物和氧化物半导体薄膜公开(公告)号：US20130082218A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：US13699851
申请日：2011-05-24
申请人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Koki Yano , Kazuyoshi Inoue
发明人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Koki Yano , Kazuyoshi Inoue
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02658 , B82Y30/00 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/62675 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3286 , C04B2235/3409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/963 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/7869 , Y10S977/755 , Y10S977/89
摘要： An oxide sintered body including an oxide of indium and aluminum and having an atomic ratio Al/(Al+In) of 0.01 to 0.08.
摘要翻译： 氧化物烧结体，其包含铟和铝的氧化物，其原子比Al /（Al + In）为0.01〜0.08。
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2.发明授权Sintered oxide body, target comprising the same, and oxide semiconductor thin film 有权烧结氧化物体，包含该氧化物的靶和氧化物半导体薄膜公开(公告)号：US09153438B2
公开(公告)日：2015-10-06
申请号：US13699851
申请日：2011-05-24
申请人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Koki Yano , Kazuyoshi Inoue
发明人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Koki Yano , Kazuyoshi Inoue
IPC分类号： C04B35/01 , H01L21/02 , C04B35/622 , C04B35/626 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/00 , H01B1/08 , H01L29/786 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L21/02658 , B82Y30/00 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/62675 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3286 , C04B2235/3409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/963 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/7869 , Y10S977/755 , Y10S977/89
摘要： An oxide sintered body including an oxide of indium and aluminum and having an atomic ratio Al/(Al+In) of 0.01 to 0.08.
摘要翻译： 氧化物烧结体，其包含铟和铝的氧化物，其原子比Al /（Al + In）为0.01〜0.08。
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公开(公告)号：US20140014500A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：US14006851
申请日：2012-03-26
申请人： Shigekazu Tomai , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano , Makoto Ando , Kazuaki Ebata , Masayuki Itose
发明人： Shigekazu Tomai , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano , Makoto Ando , Kazuaki Ebata , Masayuki Itose
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： A sintered body which includes at least indium oxide and gallium oxide and comprises voids each having a volume of 14000 μm3 or more in an amount of 0.03 vol % or less.
摘要翻译： 至少包含氧化铟和氧化镓的烧结体，其含有0.03体积％以下的体积为14000m 3以上的空隙。
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4.发明申请In-Ga-O OXIDE SINTERED BODY, TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR 审中-公开In-Ga-O氧化物烧结体，靶，氧化物半导体薄膜及其制造方法公开(公告)号：US20120292617A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：US13522198
申请日：2011-01-14
申请人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Koki Yano
发明人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Koki Yano
CPC分类号： C04B35/01 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/664 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/35 , C23C14/5806 , C23C14/5813 , C23C14/5826 , C23C14/5873 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： An oxide sintered body including indium oxide of which the crystal structure substantially includes a bixbyite structure, wherein gallium atoms are solid-saluted in the indium oxide, and an atomic ratio Ga/(Ga+In) is 0.10 to 0.15.
摘要翻译： 氧化物烧结体，其包含氧化铟，其晶体结构基本上包含双氧晶体结构，其中镓原子在氧化铟中固体致冷，原子比Ga /（Ga + In）为0.10〜0.15。
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公开(公告)号：US20140145185A1
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：US14130857
申请日：2012-06-28
申请人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Kota Terai , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
发明人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Kota Terai , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/786 , H01L27/12 , C23C14/08
CPC分类号： H01L21/02565 , C01G15/00 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6585 , C04B2235/664 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要： A sputtering target including a sintered body including In, Ga and Mg, the sintered body including one or more compounds selected from a compound represented by In2O3, a compound represented by In(GaMg)O4, a compound represented by Ga2MgO4 and a compound represented by In2MgO4, and having an atomic ratio In/(In+Ga+Mg) of 0.5 or more and 0.9999 or less and an atomic ratio (Ga+Mg)/(In+Ga+Mg) of 0.0001 or more and 0.5 or less.
摘要翻译： 包括In，Ga和Mg的烧结体的溅射靶，所述烧结体包含一种或多种选自In2O3，In（GaMg）O4表示的化合物，由Ga2MgO4表示的化合物和由 InMgO 4，原子比In /（In + Ga + Mg）为0.5以上且0.9999以下，原子比（Ga + Mg）/（In + Ga + Mg）为0.0001以上且0.5以下。
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公开(公告)号：US20130140502A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：US13700789
申请日：2011-06-01
申请人： Shigekazu Tomai , Kazuaki Ebata , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
发明人： Shigekazu Tomai , Kazuaki Ebata , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
CPC分类号： H01L49/02 , C04B35/01 , C04B35/6262 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6583 , C04B2235/6588 , C04B2235/665 , C04B2235/666 , C04B2235/70 , C04B2235/728 , C04B2235/761 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： An oxide sintered body including an oxide of indium (In), gallium (Ga), and positive trivalent and/or positive tetravalent metal X, wherein the amount of the metal X relative to the total amount of In and Ga is 100 to 10000 ppm (weight).
摘要翻译： 包含铟（In），镓（Ga）和正三价和/或正四价金属X的氧化物的氧化物烧结体，其中金属X相对于In和Ga的总量的量为100至10000ppm （重量）。
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公开(公告)号：US09039944B2
公开(公告)日：2015-05-26
申请号：US14130857
申请日：2012-06-28
申请人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Kota Terai , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
发明人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Kota Terai , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
IPC分类号： H01L21/283 , H01L29/788 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/02 , C01G15/00 , H01B1/08 , H01L29/786 , C04B35/01 , C04B35/626 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02565 , C01G15/00 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6585 , C04B2235/664 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要： A sputtering target including a sintered body including In, Ga and Mg, the sintered body including one or more compounds selected from a compound represented by In2O3, a compound represented by In(GaMg)O4, a compound represented by Ga2MgO4 and a compound represented by In2MgO4, and having an atomic ratio In/(In+Ga+Mg) of 0.5 or more and 0.9999 or less and an atomic ratio (Ga+Mg)/(In+Ga+Mg) of 0.0001 or more and 0.5 or less.
摘要翻译： 包括In，Ga和Mg的烧结体的溅射靶，所述烧结体包含一种或多种选自In2O3，In（GaMg）O4表示的化合物，由Ga2MgO4表示的化合物和由 InMgO 4，原子比In /（In + Ga + Mg）为0.5以上且0.9999以下，原子比（Ga + Mg）/（In + Ga + Mg）为0.0001以上且0.5以下。
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8.发明申请LAMINATE STRUCTURE INCLUDING OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM LAYER, AND THIN FILM TRANSISTOR 有权包括氧化物半导体薄膜层和薄膜晶体管的层压结构公开(公告)号：US20130221351A1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：US13881032
申请日：2011-12-27
申请人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Yuki Tsuruma , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
发明人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Yuki Tsuruma , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
摘要： A stacked layer structure including an oxide layer and an insulating layer, the oxide layer having a carrier concentration of 1018/cm3 or less and an average crystal diameter of 1 μm or more; and the crystals of the oxide layer being arranged in a columnar shape on the surface of the insulating layer.
摘要翻译： 包括氧化物层和绝缘层的堆叠层结构，所述氧化物层的载流子浓度为1018 / cm3以下，平均结晶直径为1μm以上; 并且氧化物层的晶体在绝缘层的表面上以柱状排列。
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公开(公告)号：US09243318B2
公开(公告)日：2016-01-26
申请号：US14006851
申请日：2012-03-26
申请人： Shigekazu Tomai , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano , Makoto Ando , Kazuaki Ebata , Masayuki Itose
发明人： Shigekazu Tomai , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano , Makoto Ando , Kazuaki Ebata , Masayuki Itose
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： A sintered body which includes at least indium oxide and gallium oxide and comprises voids each having a volume of 14000 μm3 or more in an amount of 0.03 vol % or less.
摘要翻译： 至少包含氧化铟和氧化镓的烧结体，其含有0.03体积％以下的体积为14000μm3以上的空隙。
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10.发明授权Laminate structure including oxide semiconductor thin film layer, and thin film transistor 有权叠层结构包括氧化物半导体薄膜层和薄膜晶体管公开(公告)号：US08785927B2
公开(公告)日：2014-07-22
申请号：US13881032
申请日：2011-12-27
申请人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Yuki Tsuruma , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
发明人： Kazuaki Ebata , Shigekazu Tomai , Yuki Tsuruma , Shigeo Matsuzaki , Koki Yano
IPC分类号： H01L29/12
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
摘要： A stacked layer structure including an oxide layer and an insulating layer, the oxide layer having a carrier concentration of 1018/cm3 or less and an average crystal diameter of 1 μm or more; and the crystals of the oxide layer being arranged in a columnar shape on the surface of the insulating layer.
摘要翻译： 包括氧化物层和绝缘层的堆叠层结构，所述氧化物层的载流子浓度为1018 / cm3以下，平均晶体直径为1μm以上; 并且氧化物层的晶体在绝缘层的表面上以柱状排列。
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