发明授权
- 专利标题： Resistance-based memory cells with multiple source lines
- 专利标题（中）： 具有多个源极线的基于电阻的存储单元
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申请号： US14041868申请日： 2013-09-30
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公开(公告)号： US09196339B2公开(公告)日： 2015-11-24
- 发明人: Xiangyu Dong
- 申请人： QUALCOMM Incorporated
- 申请人地址： US CA San Diego
- 专利权人： QUALCOMM Incorporated
- 当前专利权人： QUALCOMM Incorporated
- 当前专利权人地址： US CA San Diego
- 代理机构： Toler Law Group, PC
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16 ; G11C7/10 ; G11C8/16 ; G11C11/00 ; G11C11/56 ; G11C13/00 ; G11C17/02 ; G11C17/14
摘要：
In a particular embodiment, a device includes a resistance-based memory cell having multiple source lines and multiple access transistors. A coupling configuration of the multiple access transistors to multiple source lines encodes a data value.
公开/授权文献
- US20150092479A1 RESISTANCE-BASED MEMORY CELLS WITH MULTIPLE SOURCE LINES 公开/授权日：2015-04-02
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