发明授权
US09318659B2 Nitride semiconductor light emitting element having light emitting layer including INxGa1-xN well layer and LED system
有权
氮化物半导体发光元件具有包括INxGa1-xN阱层和LED系统的发光层
- 专利标题： Nitride semiconductor light emitting element having light emitting layer including INxGa1-xN well layer and LED system
- 专利标题（中）： 氮化物半导体发光元件具有包括INxGa1-xN阱层和LED系统的发光层
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申请号： US13974211申请日： 2013-08-23
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公开(公告)号： US09318659B2公开(公告)日： 2016-04-19
- 发明人: Akira Inoue , Shunji Yoshida , Toshiya Yokogawa
- 申请人： Panasonic Corporation
- 申请人地址： JP Osaka
- 专利权人： Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd.
- 当前专利权人： Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Osaka
- 代理机构： Renner, Otto, Boisselle & Sklar, LLP
- 优先权： JP2011-215130 20110929; JP2011-215206 20110929
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/32 ; H01L33/16 ; H05B33/08 ; H01L33/02 ; H01L21/02
摘要：
A nitride semiconductor light emitting element includes a light emitting layer. The light emitting layer includes an InxGa1-xN well layer (0
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