发明授权
- 专利标题： Method for producing an optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor chip
- 专利标题（中）： 光电子半导体芯片和光电子半导体芯片的制造方法
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申请号： US14345852申请日： 2012-08-23
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公开(公告)号： US09343615B2公开(公告)日： 2016-05-17
- 发明人: Joachim Hertkorn , Karl Engl , Berthold Hahn , Andreas Weimar
- 申请人： Joachim Hertkorn , Karl Engl , Berthold Hahn , Andreas Weimar
- 申请人地址： DE
- 专利权人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- 当前专利权人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- 当前专利权人地址： DE
- 代理机构： DLA Piper LLP (US)
- 优先权： DE102011114671 20110930
- 国际申请： PCT/EP2012/066459 WO 20120823
- 国际公布： WO2013/045181 WO 20130404
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L33/00 ; H01L21/02 ; H01L33/22 ; H01L33/02 ; H01L33/12 ; H01L33/24 ; H01L33/32
摘要：
A method of producing an optoelectronic semiconductor chip includes providing a growth substrate, producing a III nitride nucleation layer on the growth substrate by sputtering, wherein a material of the growth substrate differs from a material of the nucleation layer, and growing a III nitride semiconductor layer sequence having an active layer onto the nucleation layer.
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