公开(公告)号：US20140346541A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：US14345852

申请日：2012-08-23

申请人： Joachim Hertkorn ,  Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Andreas Weimar

发明人： Joachim Hertkorn ,  Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Andreas Weimar

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/24

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of producing an optoelectronic semiconductor chip includes providing a growth substrate, producing a III nitride nucleation layer on the growth substrate by sputtering, wherein a material of the growth substrate differs from a material of the nucleation layer, and growing a III nitride semiconductor layer sequence having an active layer onto the nucleation layer.

摘要翻译： 制造光电子半导体芯片的方法包括提供生长衬底，通过溅射在生长衬底上产生III族氮化物成核层，其中生长衬底的材料与成核层的材料不同，以及生长III族氮化物半导体层 序列在成核层上具有活性层。

公开(公告)号：US09343615B2

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：US14345852

申请日：2012-08-23

申请人： Joachim Hertkorn ,  Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Andreas Weimar

发明人： Joachim Hertkorn ,  Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Andreas Weimar

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of producing an optoelectronic semiconductor chip includes providing a growth substrate, producing a III nitride nucleation layer on the growth substrate by sputtering, wherein a material of the growth substrate differs from a material of the nucleation layer, and growing a III nitride semiconductor layer sequence having an active layer onto the nucleation layer.

摘要翻译： 制造光电子半导体芯片的方法包括提供生长衬底，通过溅射在生长衬底上产生III族氮化物成核层，其中生长衬底的材料与成核层的材料不同，以及生长III族氮化物半导体层 序列在成核层上具有活性层。

公开(公告)号：US20140342484A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：US14344825

申请日：2012-08-28

申请人： Joachim Hertkorn ,  Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Andreas Weimar ,  Peter Stauss

发明人： Joachim Hertkorn ,  Karl Engl ,  Berthold Hahn ,  Andreas Weimar ,  Peter Stauss

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  C23C14/0617 ,  C30B23/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00

摘要： A method of producing a semiconductor chip includes providing a silicon growth substrate, producing a III nitride buffer layer on the growth substrate by sputtering, and growing a III nitride semiconductor layer sequence having an active layer above the buffer layer.

摘要翻译： 一种制造半导体芯片的方法包括提供硅生长衬底，通过溅射在生长衬底上产生III族氮化物缓冲层，以及在缓冲层上方生长具有活性层的III族氮化物半导体层序列。

公开(公告)号：US20140203413A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：US13883730

申请日：2011-12-16

申请人： Johannes Baur ,  Berthold Hahn ,  Volker Härle ,  Karl Engl ,  Joachim Hertkorn ,  Tetsuya Taki

发明人： Johannes Baur ,  Berthold Hahn ,  Volker Härle ,  Karl Engl ,  Joachim Hertkorn ,  Tetsuya Taki

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/78 ,  H01L24/73 ,  H01L29/02 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/46 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： A composite substrate has a carrier and a utility layer. The utility layer is attached to the carrier by means of a dielectric bonding layer and the carrier contains a radiation conversion material. Other embodiments relate to a semiconductor chip having such a composite substrate, a method for producing a composite substrate and a method for producing a semiconductor chip with a composite substrate.

摘要翻译： 复合衬底具有载体和效用层。 实用层通过介电粘合层附着到载体上，载体包含辐射转换材料。 其他实施方式涉及具有这种复合基板的半导体芯片，复合基板的制造方法以及具有复合基板的半导体芯片的制造方法。

公开(公告)号：US09123528B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US13883730

申请日：2011-12-16

申请人： Johannes Baur ,  Berthold Hahn ,  Karl Engl ,  Ann-Kathrin Haerle ,  Jakob Johannes Haerle ,  Johanna Magdalena Haerle ,  Joachim Hertkorn ,  Tetsuya Taki

发明人： Johannes Baur ,  Berthold Hahn ,  Karl Engl ,  Volker Haerle ,  Joachim Hertkorn ,  Tetsuya Taki

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/78 ,  H01L24/73 ,  H01L29/02 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/46 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： A composite substrate has a carrier and a utility layer. The utility layer is attached to the carrier by means of a dielectric bonding layer and the carrier contains a radiation conversion material. Other embodiments relate to a semiconductor chip having such a composite substrate, a method for producing a composite substrate and a method for producing a semiconductor chip with a composite substrate.

摘要翻译： 复合衬底具有载体和效用层。 实用层通过介电粘合层附着到载体上，载体包含辐射转换材料。 其他实施方式涉及具有这种复合基板的半导体芯片，复合基板的制造方法以及具有复合基板的半导体芯片的制造方法。

公开(公告)号：US09373747B2

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：US14344573

申请日：2012-09-12

申请人： Joachim Hertkorn ,  Tetsuya Taki ,  Karl Engl ,  Johannes Baur ,  Berthold Hahn ,  Volker Haerle ,  Ann-Kathrin Haerle ,  Jakob Johannes Haerle ,  Johanna Magdalena Haerle

发明人： Joachim Hertkorn ,  Tetsuya Taki ,  Karl Engl ,  Johannes Baur ,  Berthold Hahn ,  Volker Haerle

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/762 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/76254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： A method for producing an optoelectronic component is provided. A transfer layer, containing InxGa1-xN with 0 x, is grown onto the previously grown transfer layer, ions are implanted into the further transfer layer to form a separation zone, a further carrier substrate is applied, and the further transfer layer is separated by way of heat treatment. Subsequently, a semiconductor layer sequence, containing an active layer, is grown onto the surface of the further transfer layer facing away from the further carrier substrate.

摘要翻译： 提供了一种制造光电子元件的方法。 将含有0 x的InyGa1-yN的另一转印层生长到预先生长的转印层上，将离子注入到另外的转印层中以形成分离区，施加另外的载体衬底， 并且通过热处理分离进一步的转印层。 随后，将含有活性层的半导体层序列生长到背离另外的载体衬底的另一转印层的表面上。

公开(公告)号：US08526476B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12598747

申请日：2008-04-24

申请人： Karl Engl ,  Lutz Hoeppel ,  Christoph Eichler ,  Matthias Sabathil ,  Andreas Weimar

发明人： Karl Engl ,  Lutz Hoeppel ,  Christoph Eichler ,  Matthias Sabathil ,  Andreas Weimar

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/387 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18391 ,  H01S5/3095 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor chip with a semiconductor body has a semiconductor layer sequence with an active region provided for generating radiation. A mirror structure that includes a mirror layer and a dielectric layer that is arranged at least in regions between the mirror layer and semiconductor body is arranged on the semiconductor body.

摘要翻译： 具有半导体本体的半导体芯片具有提供用于产生辐射的有源区的半导体层序列。 至少在镜面层和半导体本体之间的区域中配置有镜面层和电介质层的镜面结构配置在半导体本体上。

公开(公告)号：US08530923B2

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US12922830

申请日：2009-04-28

申请人： Matthias Sabathil ,  Lutz Hoeppel ,  Andreas Weimar ,  Karl Engl ,  Johannes Baur

发明人： Matthias Sabathil ,  Lutz Hoeppel ,  Andreas Weimar ,  Karl Engl ,  Johannes Baur

IPC分类号： H01L33/38

CPC分类号： H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/641 ,  H01L33/642 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A light-emitting diode chip (1) with a semiconductor layer sequence (2) is described, which is contacted electrically by contacts (5) via a current spreading layer (3). The contacts (5) cover around 1%-8% of the surface of the semiconductor layer sequence (2). The contacts (5) consist for example of separate contact points (51), which are arranged at the nodes of a regular grid (52) with a grid constant of 12 μm. The current spreading layer (3) contains for example indium-tin oxide, indium-zinc oxide or zinc oxide and has a thickness in the range from 15 nm to 60 nm.

摘要翻译： 描述了具有半导体层序列（2）的发光二极管芯片（1），其经由电流扩展层（3）由触点（5）电接触。 触点（5）覆盖半导体层序列（2）的表面的约1％-8％。 触点（5）例如由单独的接触点（51）组成，它们布置在栅格常数为12μm的规则网格（52）的节点处。 电流扩展层（3）包含例如氧化铟锡，氧化铟锌或氧化锌，其厚度在15nm至60nm的范围内。

公开(公告)号：US20110114988A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12922830

申请日：2009-04-28

申请人： Matthias Sabathil ,  Lutz Hoeppel ,  Andreas Weimar ,  Karl Engl ,  Johannes Baur

发明人： Matthias Sabathil ,  Lutz Hoeppel ,  Andreas Weimar ,  Karl Engl ,  Johannes Baur

IPC分类号： H01L33/38

CPC分类号： H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/641 ,  H01L33/642 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A light-emitting diode chip (1) with a semiconductor layer sequence (2) is described, which is contacted electrically by contacts (5) via a current spreading layer (3). The contacts (5) cover around 1%-8% of the surface of the semiconductor layer sequence (2). The contacts (5) consist for example of separate contact points (51), which are arranged at the nodes of a regular grid (52) with a grid constant of 12 μm. The current spreading layer (3) contains for example indium-tin oxide, indium-zinc oxide or zinc oxide and has a thickness in the range from 15 nm to 60 nm.

摘要翻译： 描述了具有半导体层序列（2）的发光二极管芯片（1），其经由电流扩展层（3）由触点（5）电接触。 触点（5）覆盖半导体层序列（2）的表面的约1％-8％。 触点（5）例如分开接触点（51），它们布置在格子常数为12μm的规则网格（52）的节点处。 电流扩展层（3）包含例如氧化铟锡，氧化铟锌或氧化锌，其厚度在15nm至60nm的范围内。

公开(公告)号：US08866175B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13821554

申请日：2011-08-22

申请人： Karl Engl ,  Markus Maute ,  Andreas Weimar ,  Lutz Hoeppel ,  Patrick Rode ,  Juergen Moosburger ,  Norwin von Malm

发明人： Karl Engl ,  Markus Maute ,  Andreas Weimar ,  Lutz Hoeppel ,  Patrick Rode ,  Juergen Moosburger ,  Norwin von Malm

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/22 ,  H01L33/20

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor chip includes a semiconductor layer sequence and a carrier substrate. A first and a second electrical contact layer are arranged at least in regions between the carrier substrate and the semiconductor layer sequence and are electrically insulated from one another by an electrically insulating layer. A mirror layer is arranged between the semiconductor layer sequence and the carrier substrate. The mirror layer adjoins partial regions of the first electrical contact layer and partial regions of the electrically insulating layer. The partial regions of the electrically insulating layer which adjoin the mirror layer are covered by the second electrical contact layer in such a way that at no point do they adjoin a surrounding medium of the optoelectronic semiconductor chip.

摘要翻译： 光电子半导体芯片包括半导体层序列和载体基板。 第一和第二电接触层至少布置在载体衬底和半导体层序列之间的区域中，并且通过电绝缘层彼此电绝缘。 半导体层序列和载体基板之间布置有镜层。 镜层邻接第一电接触层的部分区域和电绝缘层的部分区域。 邻接镜面层的电绝缘层的部分区域被第二电接触层覆盖，使得它们不会与光电子半导体芯片的周围介质邻接。