发明授权
- 专利标题： Transistor having metal diffusion barrier
- 专利标题（中）： 具有金属扩散阻挡层的晶体管
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申请号： US13948925申请日： 2013-07-23
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公开(公告)号： US09443969B2公开(公告)日： 2016-09-13
- 发明人: King-Yuen Wong , Po-Chih Chen , Chen-Ju Yu , Fu-Chih Yang , Jiun-Lei Jerry Yu , Fu-Wei Yao , Ru-Yi Su , Yu-Syuan Lin
- 申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
- 申请人地址： TW
- 专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
- 当前专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
- 当前专利权人地址： TW
- 代理机构： Hauptman Ham, LLP
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778
摘要：
A transistor includes a substrate, a channel layer over the substrate, an active layer over the channel layer, a metal diffusion barrier over the active layer, and a gate over the metal diffusion barrier. The active layer has a band gap discontinuity with the channel layer.
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