Photovoltaic device and method of manufacture

Invention Grant

US09508874B2 Photovoltaic device and method of manufacture 有权

Title translation: 光伏器件及其制造方法

Patent Title: Photovoltaic device and method of manufacture
Patent Title (中): 光伏器件及其制造方法
Application No.: US13790645

Application Date: 2013-03-08
Publication No.: US09508874B2

Publication Date: 2016-11-29
Inventor: Benyamin Buller , Chungho Lee , Rui Shao , Gang Xiong , Zhibo Zhao
Applicant: FIRST SOLAR, INC.
Applicant Address: US OH Perrysburg
Assignee: FIRST SOLAR, INC.
Current Assignee: FIRST SOLAR, INC.
Current Assignee Address: US OH Perrysburg
Agency: Blank Rome LLP
Main IPC: H01L31/00
IPC: H01L31/00 ; H01L31/0216 ; H01L31/0445 ; H01L31/073 ; H01L31/0749 ; H01L31/0224

Abstract:

A photovoltaic module including a dielectric tunneling layer and methods of forming a photovoltaic module with a dielectric tunneling layer.

Abstract(Chinese):

包括电介质隧道层的光伏模块和形成具有介电隧道层的光伏模块的方法。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00	对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）