- 专利标题： Method of manufacturing a magnetoresistive memory device
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申请号： US14645239申请日： 2015-03-11
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公开(公告)号： US09640584B2公开(公告)日： 2017-05-02
- 发明人: Makoto Nagamine , Youngmin Eeh , Koji Ueda , Daisuke Watanabe , Kazuya Sawada , Toshihiko Nagase
- 申请人： Makoto Nagamine , Youngmin Eeh , Koji Ueda , Daisuke Watanabe , Kazuya Sawada , Toshihiko Nagase
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Holtz, Holtz & Volek PC
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L43/00 ; H01L27/22 ; H01L43/08 ; H01L43/12
摘要：
According to one embodiment, a magnetoresistive memory device, includes a metal buffer layer provided on a substrate, a crystalline metal nitride buffer layer provided on the metal buffer layer, and a magnetoresistive element provided on the metal nitride buffer layer. The metal nitride buffer layer and the metal buffer layer contain a same material.
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