- 专利标题： Solid source and method for the synthesis of silicon-containing precursors for chemical vapor deposition
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申请号： US15030003申请日： 2014-10-22
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公开(公告)号： US09944532B2公开(公告)日： 2018-04-17
- 发明人: Mihai Scarlete , Cetin Aktik
- 申请人： SOCPRA Science et Genie S.E.C. , UNIVERSITÉ DE BISHOP
- 申请人地址： CA Sherbrooke
- 专利权人： SOCPRA Science et Génie S.E.C.
- 当前专利权人： SOCPRA Science et Génie S.E.C.
- 当前专利权人地址： CA Sherbrooke
- 代理机构： Benoit & Cote, Inc.
- 代理商 C. Marc Benoit
- 国际申请： PCT/CA2014/000766 WO 20141022
- 国际公布： WO2015/058285 WO 20150430
- 主分类号： C23C16/00
- IPC分类号： C23C16/00 ; C01B33/04 ; C23C16/22 ; C23C16/448 ; C09D5/24 ; C09K5/14
摘要：
The present document described a solid source and a method for synthesis of silicon-containing precursors for chemical vapor deposition. The solid source comprises a solid polysilane; an energy coupling agent distributed in the solid polysilane; and hydrogen, mixed with the solid polysilane and the energy coupling agent distributed in the solid polysilane, in a necessary amount to satisfy a hydrogen deficiency during a hydrogenolysis reaction.
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