- 专利标题： Ion source cleaning in semiconductor processing systems
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申请号： US13201188申请日： 2009-08-12
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公开(公告)号： US09991095B2公开(公告)日： 2018-06-05
- 发明人: Joseph D. Sweeney , Sharad N. Yedave , Oleg Byl , Robert Kaim , David Eldridge , Lin Feng , Steven E. Bishop , W. Karl Olander , Ying Tang
- 申请人： Joseph D. Sweeney , Sharad N. Yedave , Oleg Byl , Robert Kaim , David Eldridge , Lin Feng , Steven E. Bishop , W. Karl Olander , Ying Tang
- 申请人地址： US MA Danbury
- 专利权人： Entegris, Inc.
- 当前专利权人： Entegris, Inc.
- 当前专利权人地址： US MA Danbury
- 代理机构： Entegris, Inc.
- 国际申请： PCT/US2009/053520 WO 20090812
- 国际公布： WO2010/093380 WO 20100819
- 主分类号： B05D5/12
- IPC分类号： B05D5/12 ; H01J37/317 ; C23C14/48 ; C23C14/54 ; C23C14/56 ; H01J37/08 ; H01J37/16 ; H01J37/18
摘要：
Cleaning of an ion implantation system or components thereof, utilizing temperature and/or a reactive cleaning reagent enabling growth/etching of the cathode in an indirectly heated cathode for an ion implantation system by monitoring the cathode bias power and taking corrective action depending upon compared values to etch or regrow the cathode.
公开/授权文献
- US20120058252A1 ION SOURCE CLEANING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS 公开/授权日：2012-03-08
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