Invention Application
- Patent Title: シリコンドット形成方法及びシリコンドット形成装置
- Patent Title (English): Method and apparatus for forming silicon dots
- Patent Title (中): 形成硅胶的方法和装置
-
Application No.: PCT/JP2005/005662Application Date: 2005-03-22
-
Publication No.: WO2005093798A1Publication Date: 2005-10-06
- Inventor: 高橋 英治 , 三上 隆司 , 岸田 茂明 , 加藤 健治 , 東名 敦志 , 林 司 , 緒方 潔
- Applicant: 日新電機株式会社 , 高橋 英治 , 三上 隆司 , 岸田 茂明 , 加藤 健治 , 東名 敦志 , 林 司 , 緒方 潔
- Applicant Address: 〒615-8686 京都府 京都市 右京区梅津高畝町47番地 Kyoto JP
- Assignee: 日新電機株式会社,高橋 英治,三上 隆司,岸田 茂明,加藤 健治,東名 敦志,林 司,緒方 潔
- Current Assignee: 日新電機株式会社,高橋 英治,三上 隆司,岸田 茂明,加藤 健治,東名 敦志,林 司,緒方 潔
- Current Assignee Address: 〒615-8686 京都府 京都市 右京区梅津高畝町４７番地 Kyoto JP
- Agency: 谷川 昌夫
- Priority: JP2004-93472 20040326
- Main IPC: H01L21/203
- IPC: H01L21/203
Abstract:
A method for forming silicon dots, wherein a hydrogen gas (or and also a silane type gas) is introduced to a vacuum chamber (1), a plasma exhibiting a ratio of the luminous intensity of a silicon atom at a wave length of 288 nm to the luminous intensity of a hydrogen atom at a wave length of 484 nm of 10.0 or less is generated in the chamber, and silicon dots having a particle diameter of 20 nm or less are formed by the chemical sputtering under said plasma on a substrate.
Information query
IPC分类:
