公开(公告)号：WO2010082340A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：PCT/JP2009/050559

申请日：2009-01-16

Applicant: 日新電機株式会社 ,  大丸 智弘 ,  三上 隆司

Inventor： 大丸 智弘 ,  三上 隆司

IPC: C23F4/00

CPC classification number: C23C14/022

Abstract: 　真空チャンバー内に電子を放出して導入されたガスをイオン化し、真空チャンバー内に設けられた回転台に載置された基材をエッチングして清浄化する真空プロセス装置に用いられる基材エッチング機構であって、電子源としてのフィラメントに電力を導入するための一対の電力導入端子と、一対の電力導入端子間に並列に接続された複数本のフィラメントと、を備えている基材エッチング機構。複数本のフィラメントは回転台の回転軸に対して直交する面内で回転軸方向に直交する方向に配置されている基材エッチング機構。前記エッチング機構を用いた真空プロセス装置。前記基材エッチング機構、真空プロセス装置を用いる基材エッチング方法。

Abstract translation: 公开了一种在真空处理装置中使用的基材蚀刻机构，其通过将电子放电到真空室中来电离引入的气体，并对安装在设置在真空室中的转台上的基材进行蚀刻和清洁。 基材蚀刻机构包括一对用于将电力作为电子源引入电力的功率引入端子，以及多个细丝并联连接在一对电力引入端子之间。 基材蚀刻机构中的多个长丝在与旋转轴线的方向垂直的平面中与转盘的旋转轴线的方向垂直的方向配置。 还公开了使用蚀刻机构的真空处理装置和使用基材蚀刻机构和真空处理装置的基材蚀刻方法。

公开(公告)号：WO2010082345A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：PCT/JP2009/050630

申请日：2009-01-19

Applicant: 日新電機株式会社 ,  林 司 ,  東名 敦志 ,  加藤 建治 ,  高橋 英治 ,  三上 隆司

Inventor： 林 司 ,  東名 敦志 ,  加藤 建治 ,  高橋 英治 ,  三上 隆司

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/047 ,  C23C16/24 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3266

Abstract: 　シリコンドット形成対象基体上に粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成でき、耐熱性の点で基体材料の選択可能範囲が広いシリコンドット形成方法及びシリコンドット形成装置を提供する。　プラズマ生成室内にシリコン含有ガスを導入し、プラズマ生成装置により該ガスからプラズマを発生させ、基体設置電極に第１の正パルス電圧を印加することで、該電極上の基体へシリコンを含む負イオンを第１のイオンエネルギで照射して核を形成し、次いで該電極に第２の正パルス電圧を印加することで、基体へシリコンを含む負イオンを第２のイオンエネルギで照射して該核をもとにシリコンドットを成長させるシリコンドット形成方法及び該方法を実施する装置。

Abstract translation: 公开了一种在要形成硅点的物体基板上形成均匀密度分布的规则直径的硅点的硅点形成方法，其中该方法包括在热量方面选择基板材料的范围广泛 抵抗性; 以及用于执行该方法的硅点形成装置。 将含硅气体引入等离子体发生室，通过等离子体产生装置从气体产生等离子体。 将第一正脉冲电压施加到基板安装电极，使得电极上的基板通过第一离子能量照射含有硅的负离子，从而产生核。 接下来，向电极施加第二正脉冲电压，使得通过第二离子能使含有硅离子的负离子被照射基板，从而基于核而使硅点生长。

公开(公告)号：WO2004090519A1

公开(公告)日：2004-10-21

申请号：PCT/JP2003/004405

申请日：2003-04-07

Applicant: 株式会社 サタケ ,  三上 隆司 ,  川上 晃司 ,  越智 龍彦

Inventor： 三上 隆司 ,  川上 晃司 ,  越智 龍彦

IPC: G01N21/78

CPC classification number: G01N21/314 ,  G01N21/78 ,  G01N21/80 ,  G01N33/10 ,  G01N2021/1751 ,  G01N2021/3166 ,  G01N2021/7733 ,  G01N2021/7783 ,  G01N2021/8466 ,  G01N2021/8592

Abstract: 　特定の試薬液が入った試験管内に穀粒を入れて撹拌して、出来た反応溶液をセルに入れる。そのセルに光を照射して、吸光度ピーク値を示す波長での吸光度と、吸光度がほとんど変化しない波長領域の吸光度とを検出する。そして、これら二つの吸光度の差に基づいて穀類及び豆類の新鮮度を判定する。

Abstract translation: 将谷粒放入含有特定试剂溶液的试管中并搅拌。 将由此获得的反应溶液引入电池。 然后用光照射细胞，并检测出在吸光度几乎不变化的波长内的峰值吸光度和吸光度的波长处的吸光度。 基于这些吸光度值之间的差异，判断谷物或豆的新鲜度。

公开(公告)号：WO2011021281A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：PCT/JP2009/064485

申请日：2009-08-19

Applicant: 日新電機株式会社 ,  大丸 智弘 ,  三上 隆司

Inventor： 大丸　智弘 ,  三上　隆司

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C14/325 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/3266

Abstract: 　カソード蒸発面でのアークスポット位置制御のための、該蒸発面に交差する磁力線を発生させる、磁場形成用の環状磁石を含んでおり、該環状磁石は、内径がカソードの外径より大きく、カソード蒸発面に垂直な方向からみるとカソード中心軸線を一致させて外嵌するように配置され、且つ、カソード蒸発面とは反対側の背面部の後方において大気中に配置されており、中心軸線方向において片側に第１磁極を、反対側に第１磁極とは逆極性の第２磁極を提供できる磁石であるアーク蒸発源及び該アーク蒸発源を備えた真空蒸着装置。

Abstract translation: 提供了一种电弧蒸发源，其包括用于产生与阴极蒸发表面相交并且控制蒸发表面上的电弧点位置的磁场线的磁场产生环形磁体。 环形磁体的内径大于阴极的外径。 从与阴极蒸镀面垂直的方向观察，环状磁铁配置成与阴极中心轴对准而与阴极对准，并配置在与阴极蒸发面相反的背面背面的大气中。 电弧蒸发源作为能够在中心轴方向的一侧提供第一磁极的磁体和在另一侧具有与第一磁极的极性相反的极性的第二磁极。 还提供了一种装有电弧蒸发源的真空蒸发装置。

公开(公告)号：WO2005093798A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：PCT/JP2005/005662

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新電機株式会社 ,  高橋 英治 ,  三上 隆司 ,  岸田 茂明 ,  加藤 健治 ,  東名 敦志 ,  林 司 ,  緒方 潔

Inventor： 高橋 英治 ,  三上 隆司 ,  岸田 茂明 ,  加藤 健治 ,  東名 敦志 ,  林 司 ,  緒方 潔

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02631

Abstract: A method for forming silicon dots, wherein a hydrogen gas (or and also a silane type gas) is introduced to a vacuum chamber (1), a plasma exhibiting a ratio of the luminous intensity of a silicon atom at a wave length of 288 nm to the luminous intensity of a hydrogen atom at a wave length of 484 nm of 10.0 or less is generated in the chamber, and silicon dots having a particle diameter of 20 nm or less are formed by the chemical sputtering under said plasma on a substrate.

Abstract translation: 一种形成硅点的方法，其中将氢气（或硅烷型气体）引入真空室（1）中，显示波长为288nm的硅原子的发光强度的比例的等离子体 在室内产生波长484nm的氢原子的发光强度为10.0以下，通过在基板上的等离子体下进行化学溅射，形成粒径为20nm以下的硅点。

公开(公告)号：WO2013015280A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/JP2012/068707

申请日：2012-07-24

Applicant: 日新電機株式会社 ,  三上 隆司 ,  孫 ▲王奇▼ ,  ▲高▼橋 正人 ,  大丸 智弘 ,  林 司

Inventor： 三上　隆司 ,  孫　▲王奇▼ ,  ▲高▼橋　正人 ,  大丸　智弘 ,  林　司

IPC: C23C14/24 ,  C01B31/02 ,  C23C14/00 ,  C23C14/06 ,  C23C16/26 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C14/0605 ,  C23C14/325 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255

Abstract: 　プラズマ装置（１０）は、真空容器（１）と、アーク式蒸発源（３）と、陰極部材（４）と、シャッター（５）と、電源（７）とを備える。アーク式蒸発源（３）は、真空容器（１）の側壁に基板（２０）に対向して固定される。陰極部材（４）は、層状構造のカーボンからなり、アーク式蒸発源（３）に取り付けられる。電源（７）は、アーク式蒸発源（３）に負の電圧を印加する。アーク式蒸発源（３）の近傍でアーク放電が開始されると、アークスポットが陰極部材（４）の表面を移動する。その後、アークスポットが移動しなくなると、シャッター（５）を開け、カーボン薄膜を基板（２０）上に形成する。

Abstract translation: 该等离子体装置（10）设置有真空容器（1），电弧蒸发源（3），负极构件（4），快门（5）和电源（7）。 电弧蒸发源（3）固定在面向衬底（20）的真空容器（1）的侧壁上。 负极构件（4）包括层状碳并且附着到电弧蒸发源（3）。 电源（7）向电弧蒸发源（3）施加负电压。 当在电弧蒸发源（3）附近开始电弧放电时，电弧点越过负极部件（4）的表面移动。 之后，一旦电弧点停止移动，则打开快门（5），并在基板（20）上形成碳薄膜。

公开(公告)号：WO2004111294A1

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：PCT/JP2004/008018

申请日：2004-06-02

Applicant: 日新電機株式会社 ,  村上 泰夫 ,  三上 隆司

Inventor： 村上 泰夫 ,  三上 隆司

IPC: C23C14/24

CPC classification number: H01J37/32055 ,  C23C14/325 ,  H01J37/3266

Abstract: 偏向磁場型真空アーク蒸着装置は蒸着ユニット(UN1、UN2)を備え、それらユニットは蒸発源(3、3')と、磁場形成コイル(400、42、42')が付設された湾曲フィルターダクト(4、4')とを含んでいる。ダクト(4、4')は、被成膜物品支持ホルダ(2)に臨むダクト端部(40)が共通に形成され、各ダクトの反対側端部(41、41')に蒸発源(3、3')が設置されている。ダクト端部(40)に共通のコイル(400)が設置されているとともに各ダクトにもう一つの磁場形成コイル(42、42')が設置されている。各コイルに対し設置状態の調整装置(モータm1、m2及び駆動装置PC、モータM1、M2及び駆動装置PC1、モータM1'、M2'及び駆動装置PC1')が設けられている。この蒸着装置は被成膜物体上に所望構造の良質の薄膜を生産性良好に形成することができる。

Abstract translation: 偏转磁场型真空电弧气相沉积装置具有气相沉积单元（UN1，UN2），这些单元包括蒸发源（3,3'），以及具有磁场形成线圈（400,400）的弯曲过滤管道（4,4' 42，42'）。 管道（4,4'）形成有面向成膜物品支撑保持器（2）的公共管道端（40），并且蒸气源（3,3'）安装在相对端（41,41） '）的管道。 公共线圈（400）安装在管道端（40）处，并且为每个管道安装另一个磁场形成线圈（42,42'）。 安装状态调整装置（马达（m1，m2），驱动装置（PC），马达（M1，M2），驱动装置（PC1），马达（M1'，M2'）和驱动装置（PC1' 对于每个线圈 该蒸镀装置能够有效地在成膜体上形成所需结构的高品质薄膜。