公开(公告)号：WO2011102263A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：PCT/JP2011/052623

申请日：2011-02-08

Applicant: シャープ株式会社 ,  奈須野 善之 ,  東名 敦志

Inventor： 奈須野　善之 ,  東名　敦志

IPC: C23C16/46 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/28 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/67109

Abstract: 　加熱と冷却とをバランスさせて、真空処理用電極を一定の温度範囲に保持するとともに、効率的なメンテナンス性を確保することのできる真空処理装置を提供すること。　アノード電極７の内部には、被処理用基板５を加熱する加熱部が設けられている。加熱部は、互いに並列状に設けられた棒状ヒータ３１からなる。アノード電極７の内部には、アノード電極７を冷却する管状冷却部３２も設けられている。冷却部３２は、それぞれのヒータ３１の外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられ、内部へ導入された冷却用媒体を流通させた後に外部へ排出することのできる冷却管３２からなる。冷却管３２は、冷却用媒体の導入部３２ａおよび排出部３２ｂがアノード電極７の一方端部側に偏在して設けられている。また、冷却用媒体の流れる方向が隣り合う冷却管３２どうしの間で逆になるようにされている。

Abstract translation: 公开了一种真空处理装置，其可以确保有效的维护性能并且可以平衡加热和冷却以在特定温度范围内保持用于真空处理的电极。 在阳极电极（7）的内部设置加热用于被处理的基板（5）的加热单元。 加热单元包括彼此平行设置的棒状加热器（31）。 阴极电极（7）的管状冷却单元（32）也设置在阳极电极（7）的内部。 冷却单元（32）包括冷却管（32），其沿着每个加热器（31）的外部相邻并且彼此平行地设置，并且可以循环引入到内部的冷却介质，然后将冷却介质排出到外部。 在冷却管（32）中，设置有用于冷却介质的导入部（32a）和排出部（32b），位于阳极电极（7）的一端。 而且，相邻的冷却管对（32）之间的冷却介质的流动方向也相反。

公开(公告)号：WO2010082345A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：PCT/JP2009/050630

申请日：2009-01-19

Applicant: 日新電機株式会社 ,  林 司 ,  東名 敦志 ,  加藤 建治 ,  高橋 英治 ,  三上 隆司

Inventor： 林 司 ,  東名 敦志 ,  加藤 建治 ,  高橋 英治 ,  三上 隆司

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/047 ,  C23C16/24 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3266

Abstract: 　シリコンドット形成対象基体上に粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成でき、耐熱性の点で基体材料の選択可能範囲が広いシリコンドット形成方法及びシリコンドット形成装置を提供する。　プラズマ生成室内にシリコン含有ガスを導入し、プラズマ生成装置により該ガスからプラズマを発生させ、基体設置電極に第１の正パルス電圧を印加することで、該電極上の基体へシリコンを含む負イオンを第１のイオンエネルギで照射して核を形成し、次いで該電極に第２の正パルス電圧を印加することで、基体へシリコンを含む負イオンを第２のイオンエネルギで照射して該核をもとにシリコンドットを成長させるシリコンドット形成方法及び該方法を実施する装置。

Abstract translation: 公开了一种在要形成硅点的物体基板上形成均匀密度分布的规则直径的硅点的硅点形成方法，其中该方法包括在热量方面选择基板材料的范围广泛 抵抗性; 以及用于执行该方法的硅点形成装置。 将含硅气体引入等离子体发生室，通过等离子体产生装置从气体产生等离子体。 将第一正脉冲电压施加到基板安装电极，使得电极上的基板通过第一离子能量照射含有硅的负离子，从而产生核。 接下来，向电极施加第二正脉冲电压，使得通过第二离子能使含有硅离子的负离子被照射基板，从而基于核而使硅点生长。

公开(公告)号：WO2013105416A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：PCT/JP2012/083204

申请日：2012-12-21

Applicant: シャープ株式会社 ,  奈須野 善之 ,  東名 敦志

Inventor： 奈須野　善之 ,  東名　敦志

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 　シリコン含有膜（１）の製造方法は、フッ素含有ガスを用いてチャンバ（２）内をドライクリーニングする第１の工程と、チャンバ（２）内に基板（１０）を搬入する第２の工程と、基板（１０）をチャンバ（２）内に設けた状態でチャンバ（２）内をシラン系ガスでパージする第３の工程と、第３の工程の後に基板（１０）の上にシリコン含有膜（１）を形成する第４の工程とを備えている。

Abstract translation: 该含硅膜（1）的制造方法包括：使用含氟气体对室（2）的内部进行干洗的第一工序; 第二步骤，其中将基板（10）带入所述室（2）中; 第三步骤，其中在将基板（10）保持在室（2）内的同时，用硅烷基气体吹扫室（2）的内部; 以及在第三步骤之后在基板（10）上形成含硅膜（1）的第四步骤。

公开(公告)号：WO2009057469A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：PCT/JP2008/068929

申请日：2008-10-14

Applicant: 日新電機株式会社 ,  東名 敦志 ,  可貴 裕和 ,  高橋 英治

Inventor： 東名 敦志 ,  可貴 裕和 ,  高橋 英治

IPC: H01L21/205 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C01B33/02 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 比較的低温下で、形成すべきシリコンドット粒径に応じてシリコンドットの粒径の制御性良好に、シリコンドットを形成できるシリコンドット形成方法を提供する。プラズマ生成室内に設置された低インダクタンス化されたアンテナに高周波電力を印加して該室内に供給されるシリコンドット形成用ガスから誘導結合プラズマを生成させ、該誘導結合プラズマのもとで該室内に配置された基板Ｓにシリコンドットを形成するシリコンドット形成方法。シリコンドットの粒径に応じて、シリコンドット形成前の基板前処理条件、シリコンドット形成時の基板温度及びシリコンドット形成時のプラズマ生成室内ガス圧を制御する。

Abstract translation: 根据要在相对低的温度下形成的硅点的粒径，形成能够形成具有硅点粒径的良好可控性的硅点的硅点的方法。 一种形成硅点的方法包括以下步骤：向安装在等离子体发生室中的电感降低的天线施加高频电力，以产生用于形成供应到室中的硅点的气体的电感耦合等离子体，并形成硅点 在放置在感应耦合等离子体中的腔室中的衬底（S）上。 根据硅点的粒径，控制形成硅点之前的基板预处理条件，形成硅点时的基板温度，形成硅点的等离子体发生室内的气体压力。

公开(公告)号：WO2008056556A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：PCT/JP2007/070992

申请日：2007-10-29

Applicant: 日新電機株式会社 ,  東名 敦志 ,  可貴 裕和 ,  高橋 英治

Inventor： 東名 敦志 ,  可貴 裕和 ,  高橋 英治

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/586 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C23C16/56 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 　比較的低温下で、シリコンドットの欠陥発生や集合、プラズマダメージを抑制して、粒径の制御性よく、基板間での再現性よくシリコンドットを形成する。また、比較的低温下で、シリコンドット粒径の制御性及び絶縁膜厚さの制御性良好に基板間での再現性よくシリコンドット及び絶縁膜を形成する。 　低インダクタンス内部アンテナ１２（２２）にてシリコンドット形成用ガス（絶縁膜形成用ガス）から誘導結合プラズマを生成させ、該誘導結合プラズマのもとで基板ＳにシリコンドットＳｉＤ（絶縁膜Ｆ）を形成し、且つ、プラズマが不安定状態にある間は基板Ｓを不安定プラズマに曝さない状態におき、プラズマが安定化すると基板Ｓを安定化プラズマに臨ませてシリコンドット形成（絶縁膜形成）を開始させるシリコンドット形成方法及び装置１（シリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法及び装置Ａ）。

Abstract translation: 通过抑制硅点中的缺陷的产生或聚集或在相对低的温度下的等离子体损伤，形成具有良好的粒度可控性和基板之间良好再现性的硅点。 形成硅点和绝缘膜，其具有硅点粒径和绝缘膜厚度的良好可控性，并且在较低温度下在基板之间具有良好的再现性。 一种用于形成硅点的方法和装置（1），用于形成硅点的方法和装置A和具有绝缘膜的基板，其中由用于形成硅点的气体（用于形成的气体）产生电感耦合等离子体 绝缘膜）通过低电感内部天线12（22），在电感耦合等离子体下的基板S上形成硅点SiD（绝缘膜F），并且当等离子体等离子体时基板S保持不暴露于不稳定的等离子体 在不稳定状态下，但是当等离子体稳定化时，使衬底S面对稳定的等离子体，从而开始形成硅点（形成绝缘膜）。

公开(公告)号：WO2005093798A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：PCT/JP2005/005662

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新電機株式会社 ,  高橋 英治 ,  三上 隆司 ,  岸田 茂明 ,  加藤 健治 ,  東名 敦志 ,  林 司 ,  緒方 潔

Inventor： 高橋 英治 ,  三上 隆司 ,  岸田 茂明 ,  加藤 健治 ,  東名 敦志 ,  林 司 ,  緒方 潔

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02631

Abstract: A method for forming silicon dots, wherein a hydrogen gas (or and also a silane type gas) is introduced to a vacuum chamber (1), a plasma exhibiting a ratio of the luminous intensity of a silicon atom at a wave length of 288 nm to the luminous intensity of a hydrogen atom at a wave length of 484 nm of 10.0 or less is generated in the chamber, and silicon dots having a particle diameter of 20 nm or less are formed by the chemical sputtering under said plasma on a substrate.

Abstract translation: 一种形成硅点的方法，其中将氢气（或硅烷型气体）引入真空室（1）中，显示波长为288nm的硅原子的发光强度的比例的等离子体 在室内产生波长484nm的氢原子的发光强度为10.0以下，通过在基板上的等离子体下进行化学溅射，形成粒径为20nm以下的硅点。

公开(公告)号：WO2005093797A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：PCT/JP2005/005660

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新電機株式会社 ,  東名 敦志 ,  高橋 英治

Inventor： 東名 敦志 ,  高橋 英治

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01J37/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3471 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631

Abstract: シリコンスパッタターゲット(2)と被成膜基板(S)を設置した成膜室(10)内に水素ガスを導入し、該ガスに高周波電力を印加することで該成膜室内にHα/SiH * が0.3～1.3であるプラズマを発生させ、該プラズマにてシリコンスパッタターゲット(2)をケミカルスパッタリングして基板(S)上に結晶性シリコン薄膜を形成する。比較的低温下で、安価に、安全に、良質の結晶性シリコン薄膜を形成できる。

Abstract translation: 将氢气引入到其中将形成硅溅射靶（2）和衬底（S）的薄膜形成室（10），其中布置有膜，对气体施加高频功率，并且具有 在成膜室中产生0.3〜1.3的值Halpha / SiH *。 硅溅射靶（2）由等离子体化学溅射，在基板（S）上形成晶体硅薄膜。 高质量的结晶硅薄膜可以以较低的成本在较低的温度下安全地形成。

公开(公告)号：WO2013015017A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/JP2012/064107

申请日：2012-05-31

Applicant: シャープ株式会社 ,  東名 敦志 ,  奈須野 善之

Inventor： 東名　敦志 ,  奈須野　善之

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C26/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 　シリコン含有膜の製造方法は、基板の搬入工程（Ｓ１０１）と、シリコン含有膜の形成工程（Ｓ１０２）と、基板の搬出工程（Ｓ１０３）と、ドライクリーニング工程（Ｓ１０４）と、フッ化物の還元工程（Ｓ１０５）と、排気工程（Ｓ１０６）とを備えている。フッ化物の還元工程（Ｓ１０５）では、排気工程（Ｓ１０６）の終了時におけるチャンバ内のＣＦ 4 ガスの分圧がＡ×（２．０×１０ -4 ）Ｐａ以下となるまで還元ガスをチャンバ内に供給する。

Abstract translation: 该制造含硅膜的方法设置有基板搬运步骤（S101），含硅膜形成步骤（S102），基板搬出步骤（S103），干燥步骤（S104） ，氟化物还原步骤（S105）和排气步骤（S106）。 在氟化物还原工序（S105）中，向室内供给还原气体，使空气排出工序（S106）使室内的CF 4气体分压为A×（2.0×10 -4）Pa以下 ） 完成了。

公开(公告)号：WO2005093119A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：PCT/JP2005/005661

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新電機株式会社 ,  東名 敦志 ,  高橋 英治 ,  藤原 将喜 ,  小寺 隆志 ,  小野田 正敏

Inventor： 東名 敦志 ,  高橋 英治 ,  藤原 将喜 ,  小寺 隆志 ,  小野田 正敏

IPC: C23C14/14

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3471

Abstract: 成膜室(10)と、該室内に設置されたシリコンスパッタターゲット(2)と、該室内へ水素ガスを供給する水素ガス供給回路(102又は102')と、成膜室(10)内に供給される水素ガスに高周波電力を印加して誘導結合プラズマを発生させる高周波電力印加装置(アンテナ1、1'、電源PW等)とを備え、該プラズマによりターゲット(2)をケミカルスパッタリングして基板S上にシリコン膜を形成するシリコン膜形成装置。シランガスを併用してもよい。シランガス供給回路(101)にはガス溜め部(GR)を設けてもよい。比較的低温下で、安価に、さらに高速に所望のシリコン膜を形成できる。

Abstract translation: 硅成膜设备设置有成膜室（10），设置在室中的硅溅射靶（2），用于向室供应氢气的氢气供应回路（102或102'）， 用于向在所述成膜室（10）中供应的氢气施加高频电力以产生电感耦合等离子体的高频电力施加装置（天线（1,1'），电源PW等）。 硅膜形成设备通过用等离子体化学溅射靶（2）在衬底S上形成硅膜。 硅烷气可以同时使用。 可以在硅烷气体供给回路（101）上设置储气罐（GR）。 可以以较低的成本和较高的速度在较低的温度下形成所需的硅膜。