公开(公告)号：WO2005093798A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：PCT/JP2005/005662

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新電機株式会社 ,  高橋 英治 ,  三上 隆司 ,  岸田 茂明 ,  加藤 健治 ,  東名 敦志 ,  林 司 ,  緒方 潔

Inventor： 高橋 英治 ,  三上 隆司 ,  岸田 茂明 ,  加藤 健治 ,  東名 敦志 ,  林 司 ,  緒方 潔

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02631

Abstract: A method for forming silicon dots, wherein a hydrogen gas (or and also a silane type gas) is introduced to a vacuum chamber (1), a plasma exhibiting a ratio of the luminous intensity of a silicon atom at a wave length of 288 nm to the luminous intensity of a hydrogen atom at a wave length of 484 nm of 10.0 or less is generated in the chamber, and silicon dots having a particle diameter of 20 nm or less are formed by the chemical sputtering under said plasma on a substrate.

Abstract translation: 一种形成硅点的方法，其中将氢气（或硅烷型气体）引入真空室（1）中，显示波长为288nm的硅原子的发光强度的比例的等离子体 在室内产生波长484nm的氢原子的发光强度为10.0以下，通过在基板上的等离子体下进行化学溅射，形成粒径为20nm以下的硅点。