本発明は、ウェハと、該ウェハ上に形成されたフォーカスモニタリングパターンとを有し、該フォーカスモニタリングパターンは、少なくとも１対の第１及び第２のパターンを有し、該第１のパターンは露光領域で囲まれた非露光領域を有し、前記第２のパターンは非露光領域で囲まれた露光領域を有する半導体装置である。また、本発明は、露光領域で囲まれた非露光領域を有する第１のパターンと、非露光領域で囲まれた露光領域を有する第２のパターンとの対を少なくとも１つ有するフォーカスモニタリングパターンをウェハ上に形成するステップと、前記形成された第１及び第２のパターンの夫々の幅を計測することで、露光のフォーカス状態をチェックするステップとを有する半導体装置の製造方法である。