第１の半導体層８上に、導電型が異なる第２の半導体層９が、誘電体膜１１を介して積層されてリブ導波路が形成され、 半導体層８および９が、高ドープ部４および１０を介して外部端子に接続可能であり、　半導体層８および９は、誘電体膜１１との接触面付近の領域において、前記外部端子からの電気信号による自由キャリアの蓄積、除去、または反転により、光信号電界領域の前記自由キャリア濃度が変調され、光信号の位相変調が可能であり、　半導体層８および９の少なくとも一方が、前記積層部分よりも広い幅を有し、高ドープ部４および１０の少なくとも一方が、前記積層部分の外側に設けられていることを特徴とする電気光学変調器。