公开(公告)号：WO2012008272A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/JP2011/064191

申请日：2011-06-15

Applicant: 日本電気株式会社 ,  岡本 大典 ,  藤方 潤一

Inventor： 岡本　大典 ,  藤方　潤一

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/108

CPC classification number: G02B6/12004 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/4246 ,  G02F1/00 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1085

Abstract: 受光素子の感度が低いという課題を解決する受光素子及びそれを備えた光通信デバイス、並びに受光素子の製造方法及び光通信デバイスの製造方法を提供する。受光素子は、基板と、基板上に位置する下クラッド層と、下クラッド層上に位置する光導波路と、光導波路上に位置する中間層と、中間層上に位置する光吸収層と、光吸収層上に位置する一対の電極と、を有し、光吸収層は単結晶構造のＩＶ族半導体又はＩＩＩ－Ｖ族半導体からなり、光吸収層は、前記光導波路を伝播する光信号を吸収する。

Abstract translation: 提供：光接收元件，其可以克服常规光接收元件的灵敏度差的问题; 配备有光接收元件的光通信装置; 光接收元件的制造方法; 以及光通信装置的制造方法。 光接收元件包括基板，布置在基板上的下包层，布置在下包层上的光波导，布置在光波导上的中间层，布置在中间层上的光吸收层，以及 布置在光吸收层上的一对电极，其中所述光吸收层包括具有单晶结构的IV族或III-V族半导体，并且所述光吸收层可以吸收通过所述光吸收层传播的光信号 光波导。

公开(公告)号：WO2010146926A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：PCT/JP2010/056644

申请日：2010-04-14

Applicant: 日本電気株式会社 ,  牛田 淳 ,  藤方 潤一

Inventor： 牛田　淳 ,  藤方　潤一

IPC: G02B6/122 ,  G02F1/025

CPC classification number: G02B6/12004 ,  G02B6/122 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12195 ,  G02F1/025 ,  G02F1/2257 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/12 ,  G02F2202/104 ,  Y10T29/49826

Abstract: 作製裕度があり、光損失が抑制可能であり、さらには接続路の信頼性を向上させる、光学装置と光導波路とを接続する接続路を提供する。 本発明の接続路は、接続路の長手方向に延びているリブ形状部(３')を有する第１のシリコン層(３)と、一部がリブ形状部３'の上に重なるように第１のシリコン層(３)の上層に積層され、長手方向に延びている第２のシリコン層(６)とを有している。第２のシリコン層(６)は長手方向の一端部に向かって先細になるテーパー形状部(Ｗ)を有し、長手方向の一端部の端面ではリブ形状部(３')の上方から離れた位置に位置している。

Abstract translation: 提供了具有制造公差的连接通道，可以抑制光损失，并且具有提高的可靠性，并且连接光学器件和光波导。 连接通道具有第一硅层（3），其具有在连接通道的纵向方向上延伸的肋状部分（3'）和第二硅层（6），其被层压在 所述第一硅层（3）使得所述第二硅层的一部分与所述肋状部分（3'）重叠，并且在所述纵向方向上延伸。 第二硅层（6）具有锥形部（W），该锥形部在长度方向朝向一端部逐渐变细，端部的长度方向的端面配置在与上部 的肋状部分（3'）。

公开(公告)号：WO2010098248A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：PCT/JP2010/052430

申请日：2010-02-18

Applicant: 日本電気株式会社 ,  藤方 潤一 ,  牛田 淳 ,  戸田 昭夫 ,  西藤 哲史

Inventor： 藤方　潤一 ,  牛田　淳 ,  戸田　昭夫 ,  西藤　哲史

IPC: G02F1/025

CPC classification number: G02F1/025

Abstract: 　下部クラッド層（１０２）と、下部クラッド層（１０２）の上に形成され、コア（１０４）およびコア（１０４）の両脇に配置されてコアに接続するスラブ領域（１０５）とを備えて第１導電型のシリコンから一体に形成された第１シリコン層（１０３）と、コア（１０４）の上面に形成された凹部（１０４ａ）と、凹部（１０４ａ）の内部に誘電体層（１０８）を介して凹部（１０４ａ）の内部を充填するように形成された第２導電型の第２シリコン層（１０９）とを備える。

Abstract translation: 这些部件是下包层（102），第一硅层（103），其形成在下包层（102）上，作为由第一导电类型的硅制成的单体，并且具有板区域（105），该区域 设置在芯部（104）上并且在芯部（104）的两侧并且连接到芯部，形成在芯部（104）的顶表面中的凹部（104a）和第二硅层（ 109a），其形成在凹部（104a）的内部，并具有用于填充凹部（104a）的内部的中间介电层（108）。

公开(公告)号：WO2005098966A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：PCT/JP2005/006660

申请日：2005-04-05

Applicant: 日本電気株式会社 ,  大橋 啓之 ,  石 勉 ,  馬場 寿夫 ,  藤方 潤一 ,  牧田 紀久夫

Inventor： 大橋 啓之 ,  石 勉 ,  馬場 寿夫 ,  藤方 潤一 ,  牧田 紀久夫

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L31/108

Abstract: 　ショットキーフォトダイオードは、半導体層と、半導体層に接して設けられた導電膜と、を有する。導電膜は、穴と、穴の周囲に設けられ、導電膜の膜面に対する入射光によって、励起された表面プラズモンによる共鳴状態を膜面に生じさせる周期構造とを有する。フォトダイオードは、励起された表面プラズモンによって導電膜と半導体層との界面に発生する近接場光を検出する。穴は、入射光の波長より小さな直径を有する。

Abstract translation: 肖特基光电二极管包括半导体层和与半导体层接触的导电膜。 导电膜具有孔，并且周围结构设置在孔的周围，并且通过入射光激发的表面等离子体激元在导电膜的表面上在膜表面上产生共振状态。 光电二极管感测由激发的表面等离子体激元在导电膜和半导体层之间的界面上产生的ev逝光。 孔的直径小于入射光的波长。

公开(公告)号：WO2013146406A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：PCT/JP2013/057622

申请日：2013-03-18

Applicant: 日本電気株式会社 ,  藤方 潤一 ,  中村 隆宏

Inventor： 藤方　潤一 ,  中村　隆宏

IPC: H01L31/108 ,  G02B6/42

CPC classification number: H01L31/1085 ,  G02B6/12004 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376

Abstract: 　半導体光吸収層と光導波路コア層が隣接して光結合された構造からなり、前記半導体光吸収層上に間隔をおいて配置されたＭＳＭ（金属－半導体－金属）接合を形成したフォトダイオードであり、前記間隔をおいて配置されたＭＳＭ電極のうち、光入射側に配置されたＭＳＭ電極に逆バイアスがかかるように電圧設定されることを特徴とする導波路結合ＭＳＭ型フォトダイオード。

Abstract translation: 本发明的波导耦合MSM型光电二极管包括其中半导体光吸收层和光波导芯层相邻并且光学耦合的结构，已形成金属 - 半导体 - 金属（MSM）结，其中 在半导体光吸收层上以间隔排列，其特征在于以间隔布置的MSM电极的电压被设定为使得反向偏压施加到布置在光入射侧的那些MSM电极 。

公开(公告)号：WO2013146317A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：PCT/JP2013/057270

申请日：2013-03-14

Applicant: 日本電気株式会社 ,  藤方 潤一 ,  高橋 重樹

Inventor： 藤方　潤一 ,  高橋　重樹

IPC: G02F1/025

CPC classification number: G02F1/025 ,  G02F1/225 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/0152 ,  G02F2001/212 ,  G02F2202/104

Abstract: 　第１および第２の導電タイプを呈するシリコン半導体層が積層された領域において、前記第１のシリコン半導体層表面にＳｉ １－ｘ Ｇｅ ｘ （ｘ＝０．０１～０．９）層からなる凹凸が設けられており、この上に比較的薄い誘電体が形成され、さらに前記第２の導電タイプを呈するシリコン半導体層が積層されていることを特徴とする。

Abstract translation: 该硅基电光器件的特征在于，在第一和第二导体类型的硅半导体层被层压的区域中，包含Si1-xGex层（x = 0.01-0.9）的不平坦部分设置在 第一硅半导体层的表面，在其上形成比较薄的感应体，并且进一步层压为第二导体类型的硅半导体层。

公开(公告)号：WO2011030593A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：PCT/JP2010/059675

申请日：2010-06-08

Applicant: 日本電気株式会社 ,  藤方 潤一 ,  牛田 淳 ,  戸田 昭夫 ,  西藤 哲史

Inventor： 藤方　潤一 ,  牛田　淳 ,  戸田　昭夫 ,  西藤　哲史

IPC: G02F1/025

CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0152 ,  G02F2201/066 ,  G02F2201/07 ,  G02F2202/105

Abstract: 　第１の半導体層８上に、導電型が異なる第２の半導体層９が、誘電体膜１１を介して積層されてリブ導波路が形成され、 半導体層８および９が、高ドープ部４および１０を介して外部端子に接続可能であり、　半導体層８および９は、誘電体膜１１との接触面付近の領域において、前記外部端子からの電気信号による自由キャリアの蓄積、除去、または反転により、光信号電界領域の前記自由キャリア濃度が変調され、光信号の位相変調が可能であり、　半導体層８および９の少なくとも一方が、前記積層部分よりも広い幅を有し、高ドープ部４および１０の少なくとも一方が、前記積層部分の外側に設けられていることを特徴とする電気光学変調器。

Abstract translation: 电光调制器包括由第一半导体层（8）和通过电介质膜（11）堆叠在其上的第二半导体层（9）的层叠体形成的肋波导，所述半导体层的导电类型彼此不同 。 半导体层（8,9）可以分别经由高掺杂部分（4,10）连接到外部端子。 半导体层（8,9）可以调制光信号的相位，因为光信号的电场区域中的自由载流子的浓度在半导体层和电介质膜的接触表面附近的区域中被调制 （11）由于来自外部端子的电信号引起的自由载波的累积，去除或反转。 半导体层（8,9）中的至少一个具有比层叠部分大的宽度，并且在层叠部分的外部形成至少一个高掺杂部分（4,10）。

公开(公告)号：WO2009088071A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：PCT/JP2009/050203

申请日：2009-01-09

Applicant: 日本電気株式会社 ,  岡本 大典 ,  藤方 潤一 ,  西 研一

Inventor： 岡本 大典 ,  藤方 潤一 ,  西 研一

IPC: H01L31/105

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/02165 ,  Y02E10/50

Abstract: 　大受光面積・高速・高効率の半導体受光素子及び該半導体受光素子を備える光通信デバイスを提供する。半導体受光素子は、基板と、基板上に形成されている第１導電型半導体層と、第１導電型半導体層上に形成されているノンドープ型半導体光吸収層と、ノンドープ型半導体光吸収層上に形成されている第２導電型半導体層と、第２導電型半導体層上に形成されている導電層と、を備える。導電層、第２導電型半導体層及びノンドープ型半導体光吸収層からなる積層体には、周期的に配列された複数の開口が形成されている。開口の幅は、入射光の波長以下であり、開口は、導電層及び第２導電型半導体層を貫通し、ノンドープ型半導体光吸収層に達する。複数の開口は、導電層と第２導電型半導体層との界面における表面プラズモン共鳴を生じさせるような周期的配列を有する。

Abstract translation: 具有大的光接收面积的高速，高效的半导体光接收元件和具有半导体光接收元件的光通信装置。 半导体光接收元件包括基板，形成在基板上的第一导电类型的半导体层，形成在第一导电类型的半导体层上的非掺杂半导体光吸收层，形成在第二导电类型的半导体层上的半导体层 非掺杂半导体光吸收层和形成在第二导电类型的半导体层上的导电层。 在由导电层，第二导电类型的半导体层和非掺杂半导体光吸收层组成的多层体中形成周期性的开口阵列。 开口的宽度小于入射光的波长。 开口延伸穿过导电层和第二导电类型的半导体层并到达非掺杂半导体光吸收层。 定期排列开口，以便产生在导电层和第二导电类型的半导体层之间的界面处的表面等离子体共振。

公开(公告)号：WO2011108508A1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：PCT/JP2011/054563

申请日：2011-03-01

Applicant: 日本電気株式会社 ,  藤方 潤一 ,  西藤 哲史 ,  牛田 淳 ,  戸田 昭夫

Inventor： 藤方　潤一 ,  西藤　哲史 ,  牛田　淳 ,  戸田　昭夫

IPC: G02F1/025 ,  G02B6/12

CPC classification number: G02F1/035 ,  G02F1/025 ,  H01L21/02

Abstract: 　小型化及び省電力化し、かつ導波路との接続を容易に行うことができる、光変調器とその製造方法を提供する。本発明の光変調器は、リブ形状部を有し、第１導電型を呈するようにドープ処理された半導体層（８）と、第１導電型の半導体層（８）に積層された誘電体層（１１）と、誘電体層（１１）に積層され、誘電体層（１１）とは反対側の幅が、リブ形状部の幅よりも大きい、第２導電型を呈するようにドープ処理された半導体層（９）とを少なくとも有する。

Abstract translation: 提供一种能够容易地连接到波导并且能够小型化并节省功率的光调制器装置。 还提供了一种制造光调制器件的方法。 光调制装置至少包括：半导体层（8），其具有肋状部分并被掺杂以呈现出第一导电类型; 层叠在第一导电型半导体层（8）上的电介质层（11）。 以及掺杂以显示第二导电类型的半导体层（9），并且层叠在电介质层（11）上，使得与电介质层（11）相对的宽度大于肋状部分的宽度。

公开(公告)号：WO2008102511A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：PCT/JP2007/074813

申请日：2007-12-25

Applicant: 日本電気株式会社 ,  岡本 大典 ,  中田 正文 ,  藤方 潤一

Inventor： 岡本 大典 ,  中田 正文 ,  藤方 潤一

IPC: G02F1/025 ,  G02F1/035

CPC classification number: G02B6/1226 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/12007 ,  G02F1/015 ,  G02F1/025 ,  G02F2202/20 ,  G02F2203/10 ,  G02F2203/50

Abstract: 　小型の光位相変調素子およびこれを用いた光変調器を提供する。 　本発明の光位相変調素子は、使用波長において複素誘電率の実部が負である金属材料をクラッドとし、複素誘電率の実部が正である誘電体材料をコアとするプラズモン導波路とを備える。このプラズモン導波路には、複素誘電率の実部が正である誘電体材料をクラッドおよびコアとする光導波路が接続されている。プラズモン導波路のコアと光導波路のコアの少なくとも一部が、同一の半導体材料で構成されている。そして、プラズモン導波路が電圧印加により入射光を位相変調する機能を有する。

Abstract translation: 提供了一种小尺寸光相位调制元件和使用它的光调制器。 光学相位调制元件包括等离子体波导，其具有由金属材料形成的包层，该金属材料具有在所使用的波长中具有负实部的复介电常数，以及由具有正实部的复介电常数的介电金属材料形成的芯 在使用的波长。 等离子体波导连接到包括具有正实部的复介电常数的包层和芯的光波导。 等离子体波导的核心和光波导的核心至少部分地由相同的半导体材料形成。 等离子体波导具有在施加电压时对入射光进行相位调制的功能。