Invention Application
- Patent Title: 電子放出素子およびこれを備えた撮像装置
- Patent Title (English): Electron-emitting element and image pickup device provided with same
- Patent Title (中): 电子发射元件和图像提取装置
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Application No.: PCT/JP2010/000069Application Date: 2010-01-07
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Publication No.: WO2011083512A1Publication Date: 2011-07-14
- Inventor: 吉成正樹 , 秋山周哲 , 中井淳
- Applicant: パイオニア株式会社 , パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 , 吉成正樹 , 秋山周哲 , 中井淳
- Applicant Address: 〒2120031 神奈川県川崎市幸区新小倉1番1号 Kanagawa JP
- Assignee: パイオニア株式会社,パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社,吉成正樹,秋山周哲,中井淳
- Current Assignee: パイオニア株式会社,パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社,吉成正樹,秋山周哲,中井淳
- Current Assignee Address: 〒2120031 神奈川県川崎市幸区新小倉1番1号 Kanagawa JP
- Agency: 落合稔
- Main IPC: H01J1/312
- IPC: H01J1/312 ; H01J29/04 ; H01J31/28
Abstract:
本発明は、集束電極層(8)を設けても、ゲート電極層(6)および集束電極層が炭素層(11)によって導通することのない面放出型の電子放出素子(1)およびこれを備えた撮像装置を提供することを課題としている。上記の課題の解決手段として、電子放出素子は、面放出部(9)から電子を放出する電子放出層(3)と、第1絶縁体層(5)を介して電子放出層の表面に成膜されたゲート電極層と、第2絶縁体層(7)を介してゲート電極層の表面に成膜され、放出された電子を集束させる集束電極層と、集束電極層、第2絶縁体層、ゲート電極層および第1絶縁体層を貫通して、面放出部の表面に凹状に開口する放出凹部(10)と、集束電極層の表面から放出凹部の内周面に亘って成膜された炭素層と、を備え、炭素層は、第2絶縁体層の層端が臨む放出凹部の成膜部分に、環状の不連続部(11a)を有している。
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