公开(公告)号：WO2016088216A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/JP2014/081955

申请日：2014-12-03

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社

Inventor： 埴原　甲二 ,  松本　耕

IPC: G02B5/28

CPC classification number: G02B5/28

Abstract: 　本発明は、ワークに対しスパッタマスクを容易に且つ精度良く位置合わせすることができ、複数のフィルター部を構成する光学フィルターを容易に且つ精度良く形成することができる光学フィルターの製造方法を提供することを課題としている。　本発明は、受光素子アレイ１５上にスペーサー層６１を成膜するスペーサー層成膜工程と、スペーサー層６１上にマスク層６２を成膜するマスク層成膜工程と、マスク層６２に、複数の開口部３３を形成する開口部形成工程と、スペーサー層６１の、複数の開口部３３に対応する部分を除去する部分除去工程と、誘電体多層膜１６ａを、マスク層６２を介して受光素子アレイ１５上に気相成長させる多層膜成長工程と、を実行することを特徴とする。

Abstract translation: 本发明解决了提供一种滤光器制造方法的问题，其中溅射掩模可以容易且准确地与工件对准，并且可以容易且精确地形成构成多个过滤器部分的滤光器。 本发明的特征在于：在受光元件阵列15上形成间隔层61的间隔层成膜工序; 用于在间隔层61上成膜掩模层62的掩模层成膜步骤; 用于在掩模层62中形成多个开口33的开口形成步骤; 去除与开口33相对应的间隔层61的部分去除步骤; 以及用于通过掩模层62在光接收元件阵列15上气相生长电介质多层膜16a的多层膜生长步骤。

公开(公告)号：WO2014033783A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：PCT/JP2012/005488

申请日：2012-08-30

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  埴原 甲二

Inventor： 埴原　甲二

IPC: G01J3/36 ,  G01J3/51 ,  G02B5/28

CPC classification number: G02B5/285 ,  G01J3/2803 ,  G01J3/513 ,  G01J2003/1234 ,  G01J2003/2806

Abstract: 　本発明は、各色の波長の強度分布を、簡単な構成で且つ精度良く測定することを課題としている。　本発明は、１８色各色の波長をそれぞれ透過ピークとする１８個のフィルター部２８と、１８個のフィルター部２８を通過した入射光を、それぞれ受光して光電流値を出力する１８個の受光素子２５と、相違した特定の強度分布を有する１８種の校正光を個々に入射させて得られたフィルター部２８毎且つ色毎の透過係数の係数行列を、逆行列に変換して成る補正行列を記憶する記憶部３１と、１８個の受光部の各光電流値と補正行列との乗算処理によって、強度分布を算出する算出部３２と、を備えたことを特徴とする。

Abstract translation: 本发明解决的问题是以精确的方式并且通过简单的配置来测量每种颜色的波长的强度分布。 本发明的特征在于具有：分别具有18种颜色的波长的18个滤光单元（28）作为透射峰; 18个光接收元件（25），分别接收已经通过18个滤波器单元（28）的入射光，并输出光电流值; 记录单元（31），其将从转换为逆矩阵得到的校正矩阵记录为用于每种颜色的传输系数的系数矩阵和每个滤波器单元（28），并且通过使18种类型的具有不同的校准光 具体强度分布进入每个; 以及计算单元（32），其通过校正矩阵和18个光接收元件的每个光电流值之间的乘法处理来计算强度分布。

公开(公告)号：WO2013150562A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：PCT/JP2012/002282

申请日：2012-04-02

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  吉成 正樹 ,  大塚 正志

Inventor： 吉成　正樹 ,  大塚　正志

IPC: H01J1/304 ,  H01J31/26

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J31/127 ,  H01J2203/0208 ,  H01J2203/0248 ,  H01J2203/026

Abstract: 　本発明は、電子放出層から放出された電子ビームを十分に且つ効率良く絞り込むことができる電子放出素子アレイおよびこれを備えた撮像装置を提供することを課題としている。　上記の課題の解決手段として、電子放出素子アレイは、表面に複数のエミッションサイトを有する電子放出部と、電子放出部の上方に配設した電界機能部と、を備え、電界機能部は、各エミッションサイトに対応して設けられ、複数のエミッションサイトから放出された電子ビームを個々に集束させる個別集束電極層と、複数のエミッションサイトに対応して設けられ、複数のエミッションサイトから放出された電子ビームを一括して集束させる一括集束電極層と、を有している。

Abstract translation: 本发明解决了提供以下问题：电子发射器阵列，其能够充分且有效地会聚从电子发射层发射的电子束; 以及设置有电子发射器阵列的成像装置。 作为解决上述问题的手段，该电子发射器阵列具有：在表面上具有多个发射部位的电子发射部; 以及布置在电子发射部分上方的电场功能部分。 电场功能部分包括：分离的聚焦电极层，其被布置为对应于各个发射部位，以便分开地会聚从多个发射部位发射的电子束; 以及集中聚焦电极层，其被布置为对应于所述多个发射部位，以便共同地会聚从所述多个发射部位发射的所有电子束。

公开(公告)号：WO2013111266A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：PCT/JP2012/051385

申请日：2012-01-24

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  藤本 健二郎 ,  山村 雄一

Inventor： 藤本　健二郎 ,  山村　雄一

IPC: B06B1/04 ,  B81B3/00 ,  G02B26/10 ,  G02B27/01

CPC classification number: G02B27/0101 ,  B81B3/0045 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0154 ,  G02B26/085 ,  G02B26/105 ,  G02B27/0176

Abstract: 　アクチュエータ（１）は、可動部（１２０）と、可動部を支持する支持部（１１０）と、長手方向に沿った回転軸を中心として可動部が揺動可能なように、長手方向に沿って可動部と支持部とを接続するトーションバー（２３０）とを備えており、トーションバーのうち回転軸から相対的に遠い第１バー部分の密度は、トーションバーのうち回転軸に相対的に近い第２バー部分の密度よりも小さい。

Abstract translation: 一个致动器（1）设置有可移动部分（120），支撑所述可移动部分的支撑部分（110）和扭力杆（230），其将可移动部分和支撑部分沿着长方向彼此连接 使得可移动部件能够围绕所述长方向的旋转轴线摆动。 扭杆的第一部分，所述第一部分相对于旋转轴线相对较远，与扭杆的第二部分相比较不致密，所述第二部分相对于旋转轴线相对较近。

公开(公告)号：WO2013076755A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：PCT/JP2011/006483

申请日：2011-11-22

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  埴原 甲二

Inventor： 埴原　甲二

IPC: H02N13/00

CPC classification number: B81B3/0008 ,  B81B2201/0221 ,  H01G5/16

Abstract: 　簡単な構成で、スティクションを防止することができる。　下部駆動電極２１および上部駆動電極２２にそれぞれ配設されると共に、空隙を介して相互に対面し、静電吸引力を生じさせる一対の低抵抗層２１ａ、２２ａと、下部駆動電極２１および上部駆動電極２２に配設され、近接時に相互に接触して、下部駆動電極２１および上部駆動電極２２上に一対の低抵抗層２１ａ、２２ａを介した電荷の導通路Ａを形成する一対の接触部と、上部駆動電極２２に配設されると共に、導通路Ａに介設され、所定の駆動電圧を印加したときに一対の低抵抗層２１ａ、２２ａに静電吸引力を付与するための電位差を生じさせる高抵抗層２２ａと、を備えた。

Abstract translation: 在本发明中可以使用简单的结构来防止静电。 提供：一对低电阻层（21a，22a），用于产生分别设置在下驱动电极（21）和上驱动电极（22）上的静电吸引力，并且设置成相对于间隙 ; 一对接触部，用于当通过下驱动电极（21）和上驱动电极（22）上的一对低电阻层（21a，22a）形成用于充电的通电路径（A）时， ），分别设置在下驱动电极（21）和上驱动电极（22）上的一对接触部分。 以及用于产生设置在所述上​​驱动电极（22）上并沿着连接路径（A）设置的电位差的高电阻层（22a），所述高电阻层适于对所述一对低电阻施加静电引力 当施加指定的驱动电压时，层（21a，22a）。

公开(公告)号：WO2012168959A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：PCT/JP2011/003169

申请日：2011-06-06

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  長谷川 勝久

Inventor： 長谷川　勝久

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　本発明は、簡単な加工により、二次実装により生ずる半導体チップへの応力の影響を軽減することができる半導体チップ、これを備えた半導体装置および半導体チップの製造方法を提供することを課題としている。　本発明の半導体チップは、ダイボンド材を介して、チップ支持基板上に接着固定される半導体チップであって、チップ支持基板に接着固定される半導体チップの裏面側が、接着部と非接着部とから成る凹凸形状に形成されていることを特徴とする。

Abstract translation: 本发明解决了提供半导体芯片的问题，其中通过简单的工艺来减小对半导体芯片的应力的影响，所述应力由于二次安装而产生，设置有半导体芯片的半导体器件以及用于 制造半导体芯片。 本发明的半导体芯片通过使用管芯接合材料的接合固定在芯片支撑基板上，半导体芯片的特征在于，通过接合固定在芯片支撑基板上的半导体芯片的背面侧 形成为由接合部和非接合部构成的凹凸形状。

公开(公告)号：WO2012111150A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：PCT/JP2011/053537

申请日：2011-02-18

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  杉浦 聡 ,  吉沢 勝美 ,  糟谷 孝幸

Inventor： 杉浦　聡 ,  吉沢　勝美 ,  糟谷　孝幸

IPC: G11B5/02 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B13/08 ,  F21K9/60 ,  G11B5/02 ,  G11B5/4886 ,  G11B9/1409 ,  G11B2005/0021

Abstract: 　本発明は、量子ドットを用いてエネルギー変換効率が高く、高密度記録や高解像度を実現できる近接場光デバイス及びエネルギー移動方法を提供することを課題とする。本発明に係る近接場光デバイス（１、１００、２００、３００、４００、５００）は、光源（１１、１０１、２０４、３０３、４０２、５０３）と、該光源からの出射された光に基づいて近接場光を発生する量子ドット（１５、１０５ａ、１０５ｂ、１０８、２０１、２０２、２０３、３０１、３０２、４０１、５０１、５０２）と、該近接場光のエネルギーの少なくとも一部を外部へ出力可能な出力端（１７、１１０、２０５、３０４、４０３、５０４）と、を備える。

Abstract translation: 本发明解决了提供近场光学器件和能量传递控制方法的问题，其能够使用量子点来提高能量转换效率，并且能够实现高密度记录和高分辨率。 这些近场光学器件（1,100,200,300,400,500）设置有光源（11,101,204,303,402,503），量子点（15,105a，105b，108,201） ，202,203,301,302,301,501,502,502），其基于从所述光源发射的光产生近场光，以及输出端（17,110,205,304,403,504），其为 能够将近场光的能量的至少一部分输出到外部。

公开(公告)号：WO2012004825A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：PCT/JP2010/004379

申请日：2010-07-05

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  伊藤三朗 ,  杉田哲郎 ,  山村雄一

Inventor： 伊藤三朗 ,  杉田哲郎 ,  山村雄一

IPC: G01C19/56 ,  G01P9/04

CPC classification number: G01C19/5712

Abstract: 　本発明は、精度よく角速度検出することのできる回転振動型ジャイロを提供することを課題とする。　本発明の回転振動型ジャイロ１は、基板２上にリリースされた円板状の可動錘４と、可動錘４をその重心を通るＺ軸周り回転振動させる駆動電極３と、検出軸を中心にコリオリ力により揺動する可動錘４の変位を検出する検出電極９と、基板に突設され、可動錘４を支持するアンカー６と、アンカー６と可動錘４との間に掛け渡され、回転振動の吸収機能および検出軸のヒンジとして機能する支持ばね７と、を備え、支持ばね７の延在方向が、検出軸の軸方向に平行であることを特徴とする。

Abstract translation: 提供能够精确地检测角速度的旋转振动陀螺仪。 公开了一种旋转振动陀螺仪（1），其特征在于具有在基板（2）上方释放的盘形可动重物（4），驱动电极（3），可动重物围绕 Z轴，检测电极（9），其检测由科里奥利力围绕检测轴摆动的可动重物（4）的位移;锚（6），其设置成投影 并且支撑可移动重物（4），并且悬挂在锚固件（6）和可移动重物（4）之间的支撑弹簧（7）具有吸收旋转振动的功能，并且用作铰链 检测轴，支撑弹簧（7）的延伸方向与检测轴的轴向平行。

公开(公告)号：WO2011161717A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：PCT/JP2010/004129

申请日：2010-06-21

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  野田直樹 ,  小荒井満 ,  横内敏夫 ,  石杜昌弘

Inventor： 野田直樹 ,  小荒井満 ,  横内敏夫 ,  石杜昌弘

IPC: H01L25/16 ,  B81B7/00 ,  B81C3/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/5384 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00238 ,  B81C2203/035 ,  H01L21/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、薄型化を実現すると共に、接合された２つの半導体基板の導通配線を簡単に行うことができる電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。　本発明の電子デバイス１は、絶縁膜４１を介して、接合突部４２が突設された第１半導体基板２と、導電性接合材料を介して、第１半導体基板２の接合突部４２に溶着接合された第２半導体基板３と、接合方向において、接合突部４２および絶縁膜４１に貫通形成されたスルーホール５４と、溶着接合に伴ってスルーホール５４に充填された導電性接合材料により構成され、第１半導体基板２と第２半導体基板３とが同電位となるように導通する導通配線部４４と、を備えたことを特徴とする。

Abstract translation: 公开了一种电子器件，其实现了减小的厚度，并且具有容易形成在彼此接合的两个半导体衬底上的导电布线。 还公开了一种用于制造电子设备的方法。 电子设备（1）设置有：第一半导体衬底（2），接合突起（42）之间由绝缘膜（41）突出; 第二半导体衬底（3），其通过焊接而在第一半导体衬底（2）的接合突起（42）之间具有导电接合材料; 在所述接合方向上形成为穿过所述接合突起（42）和所述绝缘膜（41）的通孔（54）; 以及导电布线部分（44），其在通过焊接进行接合时施加到通孔（54）上的导电接合材料构成，并且其承载电流，使得第一半导体基板（2）和第二半导体基板 半导体衬底（3）具有相同的电位。

公开(公告)号：WO2009122581A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：PCT/JP2008/056692

申请日：2008-04-03

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  大塚 正志

Inventor： 大塚 正志

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/312 ,  H01J1/316

CPC classification number: H01J1/30 ,  B82Y10/00 ,  G09G3/22 ,  G09G2300/08 ,  G09G2310/066 ,  H01J1/312

Abstract: 回路装置の駆動方法は、冷陰極電子放出素子（２１）と、ソース領域（１１ｓ）及びドレイン領域（１１ｄ）の一方の領域が、冷陰極電子放出素子の一の電極（２１１）に電気的に接続されたＭＯＳトランジスタ（１１）と、冷陰極電子放出素子の他の電極（２１２）に電気的に接続された第１電圧源（７１）と、ＭＯＳトランジスタが形成された半導体ウェル領域（１１ｗ）に電気的に接続された第２電圧源（７２）とを備える回路装置の駆動方法である。該回路装置の駆動方法は、冷陰極電子放出素子に電子放出部（２１ａ）が形成される際に、半導体ウェル領域及び前記一方の領域間におけるｐｎ接合部に順方向電流が流れるように、第１電圧源から第１電位信号が出力されると共に、第２電圧源から第１電位信号とは異なる第２電位信号が出力される電子放出部形成工程を備える。

Abstract translation: 一种电路装置的驱动方法，包括冷阴极电子发射元件（21），源极区（11s）和漏极区（11d）中的任一个电连接到一个电极的MOS晶体管（11） 211），与冷阴极电子发射元件的另一电极（212）电连接的第一电压源（71）和与半导体阱区域（11w）电连接的第二电压源（72） ），其中形成MOS晶体管。 电路装置的驱动方法包括以下步骤：在冷阴极电子发射元件内形成电子发射部分（21a），从第一电压源输出第一电位信号以及来自第二电压的第二电位信号 源，其不同于第一电位信号，以便允许正向电流在半导体阱区域和任一区域（源极或漏极）之间的pn结内流动。