本放熱基板（１）は、第１の金属ダイヤモンド複合層（１１）と、第２の金属ダイヤモンド複合層（１２）と、第１の金属ダイヤモンド複合層（１１）と第２の金属ダイヤモンド複合層（１２）との間に配置された芯材層（１０）と、を含み、第１の金属ダイヤモンド複合層（１１）および第２の金属ダイヤモンド複合層（１２）は、それぞれのダイヤモンド含有率が５０体積％未満であり、芯材層（１０）は、主面に平行な方向の熱膨張係数が４．５×１０ -6 Ｋ -1 以上１３×１０ -6 Ｋ -1 以下で、厚さ方向の熱伝導率が１４０Ｗ・ｍ -1 ・Ｋ -1 以上である。これにより、半導体素子を搭載または保持するために適した熱膨張係数と高い熱伝導率とを有する低価格の放熱基板が提供される。