公开(公告)号：WO2023090240A1

公开(公告)日：2023-05-25

申请号：PCT/JP2022/041845

申请日：2022-11-10

申请人： デンカ株式会社

发明人： 和田　光祐 ,  深尾　健司 ,  大島　和宏

IPC分类号： C09K5/14 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H05K7/20

摘要： 本発明の放熱グリースは、窒化ホウ素粒子を含み、２５℃の測定及び１ｓ－１のせん断速度で測定したときの粘度が３０００Ｐａ・ｓ以下である。本発明によれば、比重が低く粘度が低い放熱グリースを提供することができる。

公开(公告)号：WO2023085672A1

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：PCT/KR2022/016857

申请日：2022-11-01

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 이규환 ,  박민 ,  이해진 ,  예재흥 ,  정연경

IPC分类号： H05K7/20 ,  C09K5/14 ,  H01L23/373

摘要： 다양한 실시 예들에 따르면, 인쇄 회로 기판 구조체(200)는, 열 전도성 계면 물질을 수용하는 인쇄 회로 기판 구조체를 포함하는 전자 장치며, 베이스 플레이트(24), 상기 베이스 플레이트에 배치되는 제 1 부품(27), 상기 베이스 플레이트에 배치되고, 상기 제 1 부품으로부터 이격된 위치에 마련되는 제 2 부품(28), 상기 베이스 플레이트에 연결되고 상기 제 1 부품 및 제 2 부품을 둘러싸는 인터포저(23), 상기 인터포저에 연결되고 상기 제 1 부품 및 제 2 부품을 커버하는 커버 플레이트(22), 및 상기 베이스 플레이트 및 방열 플레이트 사이에 마련되고 상기 열 전도성 계면 물질을 수용 가능한 수용 파트(29)을 포함할 수 있다. 그 외에도 다양한 실시 예들이 가능할 수 있다.

公开(公告)号：WO2023071583A1

公开(公告)日：2023-05-04

申请号：PCT/CN2022/118838

申请日：2022-09-14

申请人： 北京比特大陆科技有限公司

发明人： 葛永博 ,  郝明亮 ,  李忠信 ,  刘洋 ,  胡海堂 ,  朱志豪 ,  皮特

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L25/18 ,  H05K1/18

摘要： 本公开是关于一种芯片模组、电路板以及电子设备。该芯片模组包括：芯片；散热金属片；导热层，位于所述芯片和所述散热金属片之间，其中，所述导热层包含的导热材料为：相变材料或导热膏。

公开(公告)号：WO2023069661A1

公开(公告)日：2023-04-27

申请号：PCT/US2022/047335

申请日：2022-10-20

申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY

发明人： WONG, Narumi Nagaya ,  PERKINSON, Collin Fisher ,  BALDO, Marc A.

IPC分类号： H01L31/055 ,  H01L23/31 ,  H01L23/14 ,  H01L23/373

摘要： Compositions and mechanisms for the transfer of spin-triplet excitons from a singlet exciton fission material (e.g., tetracene) to an inorganic semiconductor (e.g., n-doped silicon) are provided. The compositions include one or more interlayers, including a charge transfer interlayer (e.g., zinc phthalocyanine), and, optionally, a passivation interlayer (e.g., hafnium oxide, HfO2). The triplet transfer mechanism proceeds via the formation of a charge transfer intermediate state. The transition to the intermediate state is energetically favored by strategically positioned HOMO and/or LUMO levels of the charge transfer interlayer between the singlet fission layer and the inorganic semiconductor. The intermediate state is formed through a transition of either the electron or the hole of the triplet exciton in the charge transfer interlayer (depending, at least in part, on the relative positions of the energy levels) to the conduction or valence band of the inorganic semiconductor, respectively. Methods of forming the compositions are also disclosed.

公开(公告)号：WO2023067403A1

公开(公告)日：2023-04-27

申请号：PCT/IB2022/058224

申请日：2022-09-01

申请人： ARCELORMITTAL

发明人： BLANCO ROLDAN, Cristina ,  ALVAREZ-ALVAREZ, Abel ,  NORIEGA PEREZ, David ,  RODRIGUEZ GARCIA, Jorge ,  PEREZ RODRIGUEZ, Marcos ,  SUAREZ SANCHEZ, Roberto

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/373

摘要： The invention relates to a method for manufacturing a heat spreader comprising the steps of i. depositing an adhesive on a major surface of at least one graphite layer, to obtain at least one graphite layer coated by an adhesive layer, wherein ii. positioning said at least one graphite layer coated by an adhesive layer on top of each other so as to form a first stack of layers alternating graphite layer and adhesive layer iii. positioning a graphite layer having a thickness from 10 to 200 μm, on said first stack of layers so as to form a second stack of layers, having a graphite layer as top and bottom layers iv. compressing said second stack of layer with a pressure from 7 to 20 MPa to form a graphite-based laminate, v. heating said graphite-based laminate such that the solvent of the adhesive is removed.

公开(公告)号：WO2023063406A1

公开(公告)日：2023-04-20

申请号：PCT/JP2022/038304

申请日：2022-10-14

申请人： 積水化学工業株式会社

发明人： 土屋　賢人 ,  星山　裕希 ,  中島　奈未 ,  矢原　和幸

IPC分类号： H01L23/373 ,  C08J5/18 ,  C08K3/013 ,  C08K3/38 ,  C08L9/00 ,  C08L33/00 ,  H01L23/36

摘要： 本発明の熱伝導性樹脂シートは、パルスＮＭＲにおいて測定される１Ｈのスピン－スピン緩和の自由誘導減衰曲線を、緩和時間の短い順にＡ成分、Ｂ成分、及びＣ成分の３成分に由来する３つの曲線に波形分離して得たＣ成分の成分比が５％以上３５％以下、Ｃ成分の緩和時間が６００ミリ秒以下、Ｃ成分の成分比とＣ成分の緩和時間の積が５０００未満である。　本発明によれば、熱伝導性が高く、柔軟であると共に、タック性が低く、オイルブリードが抑制された熱伝導性樹脂シートを提供することができる。

公开(公告)号：WO2023046736A1

公开(公告)日：2023-03-30

申请号：PCT/EP2022/076198

申请日：2022-09-21

申请人： VALEO SYSTEMES DE CONTROLE MOTEUR

发明人： HODEBOURG, Gregory

IPC分类号： H01L23/427 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/473

摘要： La présente invention concerne un ensemble (100) électronique comportant un logement (20) électronique dans lequel sont disposés au moins un module (1) électronique et un élément (10) de refroidissement disposé sous le module (1) électronique, l'élément (10) de refroidissement étant disposé entre le module (1) électronique et une surface support (2) du logement (20) électronique, caractérisé en ce que au moins un élément conducteur de chaleur (7) est disposé dans l'épaisseur de l'élément (10) de refroidissement.

公开(公告)号：WO2023046289A1

公开(公告)日：2023-03-30

申请号：PCT/EP2021/076294

申请日：2021-09-24

申请人： HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. ,  STRASS, Achim

发明人： KORDASS, Timo ,  BORJA, Allan ,  HÖGERL, Jürgen ,  MAI, Chengle

IPC分类号： H01L23/373

摘要： A cooled power module package (100) comprises: a power module (110) with an upper metal layer forming an upper heat dissipation surface (111a); a heat sink (120) comprising a heat absorption surface (121b); a metal substrate (130) enclosed between the heat absorption surface and the upper heat dissipation surface. The metal substrate comprises first metal threads (132a) protruding from a first substrate side (131a) of the metal substrate towards the heat absorption surface. The first metal threads are arranged within a first cavity formed within a surface structure of the heat absorption surface of the heat sink. The metal substrate comprises second metal threads (132b) protruding from a second substrate side (131b) of the metal substrate towards the upper heat dissipation surface of the power module. The second metal threads are arranged within a second cavity formed within a surface structure of the upper heat dissipation surface of the power module.

公开(公告)号：WO2023023257A2

公开(公告)日：2023-02-23

申请号：PCT/US2022/040769

申请日：2022-08-18

申请人： MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED

发明人： CHEN, Bomy ,  SATO, Justin

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/433 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L23/556

摘要： An electronic device includes an integrated circuit package including a die mounted on a die carrier, a mold structure at least partially encapsulating the mounted die, and a heat transfer chimney formed on the die. The heat transfer chimney extends at least partially through the mold structure to transfer heat away from the die. The heat transfer chimney is formed from a thermally conductive compound including thermally conductive nanoparticles.

公开(公告)号：WO2023013579A1

公开(公告)日：2023-02-09

申请号：PCT/JP2022/029486

申请日：2022-08-01

申请人： デンカ株式会社

发明人： 丁　孝眞 ,  酒井　謙嘉 ,  永沢　基

IPC分类号： H01L23/373 ,  B22F3/24 ,  C22C1/05 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  C22C26/00 ,  H05K7/20

摘要： 本発明の銅－ダイヤモンド複合体（３０）は、銅を含有する金属マトリックス（１０）中に複数のダイヤモンド粒子（２０）が分散した、銅－ダイヤモンド複合体であって、画像式粒度分布測定装置を用いてダイヤモンド粒子（２０）の粒度分布を測定したとき、ダイヤモンド粒子（２０）の球形度分布の数平均が０．９０以上となるものである。