Invention Application
- Patent Title: 発光素子
- Patent Title (English): Light-emitting element
- Patent Title (中): 发光元件
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Application No.: PCT/JP2012/052642Application Date: 2012-02-06
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Publication No.: WO2013118248A1Publication Date: 2013-08-15
- Inventor: 谷 和樹 , 斎藤 慎一 , 小田 克矢
- Applicant: 株式会社日立製作所 , 谷 和樹 , 斎藤 慎一 , 小田 克矢
- Applicant Address: 〒1008280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 Tokyo JP
- Assignee: 株式会社日立製作所,谷 和樹,斎藤 慎一,小田 克矢
- Current Assignee: 株式会社日立製作所,谷 和樹,斎藤 慎一,小田 克矢
- Current Assignee Address: 〒1008280 東京都千代田区丸の内一丁目６番６号 Tokyo JP
- Agency: ポレール特許業務法人
- Main IPC: H01L33/34
- IPC: H01L33/34 ; H01S5/32
Abstract:
Ｇｅ発光層に電子を効率良く注入し、高効率で発光可能な発光素子を提供するために、絶縁膜２上に形成され、量子閉じ込め効果が発現するサイズに加工された単結晶Ｓｉのバリア層３と、バリア層３の両端にそれぞれ設けられたｐ型拡散層電極５とｎ型拡散層電極６と、電極５、６の間のバリア層３上に設けられた単結晶Ｇｅ発光部９とを有し、電極５、６の間に流れる電流の少なくとも一部は、バリア層３内を基板１に対して水平方向に流れる。
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IPC分类:
