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公开(公告)号：WO2011111436A1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：PCT/JP2011/051806
申请日：2011-01-28
CPC classification number: H01S5/3223 , H01L33/34 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01S5/0207 , H01S5/021 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/1231 , H01S5/4031 , H01L2924/00
Abstract: 貫通転位密度の小さいゲルマニウムを用いて高効率で発光するゲルマニウム発光素子を提供することである。二酸化シリコン上に形成されたゲルマニウムを用いることで、高品質なゲルマニウム発光層を持つゲルマニウム・レーザ・ダイオードを実現する。また、ｎ型の電極にシリコンを用いることで従来のｎ型ゲルマニウムで注入することができたキャリア密度の限界を超えるゲルマニウム・レーザ・ダイオードを提供することができる。
Abstract translation: 公开了使用具有低穿透位错密度的锗制造的锗发光元件，并能够高效地发光。 可以使用在二氧化硅上形成的锗来提供具有高质量锗发光层的锗激光二极管。 可以使用硅作为n型电极来提供具有高于可以通过常规n型锗注入的载流子密度极限的载流子密度的锗激光二极管。
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公开(公告)号：WO2020261619A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/JP2020/000711
申请日：2020-01-10
Abstract: 水溶性基材と、難水溶性化合物とを含有する粒子を含み、前記水溶性基材が、迅速水溶性化合物を含有し、前記難水溶性化合物がキナーゼ阻害剤であり、非晶質状態で前記水溶性基材内に存在することを特徴とする医薬組成物である。
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公开(公告)号：WO2016132928A1
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：PCT/JP2016/053428
申请日：2016-02-04
IPC: G03G9/08
CPC classification number: G03G9/08795 , G03G9/08 , G03G9/0804 , G03G9/0821 , G03G9/0825 , G03G9/08711 , G03G9/08755 , G03G9/08782 , G03G9/08786 , G03G9/08797 , G03G9/0926
Abstract: 少なくとも結着樹脂及び離型剤を含有するトナーであって、 透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた前記トナーの割断面画像における前記離型剤の形状が針状乃至糸状の形状であり、かつ平均アスペクト比が３１以上であり、 微小圧縮試験において２５０μＮ付与時の前記トナーの変位量が、７００ｎｍ以下であることを特徴とするトナーである。
Abstract translation: 提供了至少含有粘合剂树脂和脱模剂的调色剂，其特征在于，在使用透射电子显微镜（TEM）获得的调色剂的断面的图像中，脱模剂的形状 是针状或线状，脱模剂的平均纵横比为31以上，在微压缩试验中经受250μN的力时，调色剂的位移量为700nm以下。
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公开(公告)号：WO2013118248A1
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/JP2012/052642
申请日：2012-02-06
CPC classification number: H01S5/3223 , H01L33/34 , H01L33/38 , H01S5/0206 , H01S5/021 , H01S5/0424 , H01S5/1228 , H01S5/125 , H01S5/2272
Abstract: Ｇｅ発光層に電子を効率良く注入し、高効率で発光可能な発光素子を提供するために、絶縁膜２上に形成され、量子閉じ込め効果が発現するサイズに加工された単結晶Ｓｉのバリア層３と、バリア層３の両端にそれぞれ設けられたｐ型拡散層電極５とｎ型拡散層電極６と、電極５、６の間のバリア層３上に設けられた単結晶Ｇｅ発光部９とを有し、電極５、６の間に流れる電流の少なくとも一部は、バリア層３内を基板１に対して水平方向に流れる。
Abstract translation: 为了提供有效地将电子注入到Ge发光层中并且能够高效发光的发光元件，发光元件具有：形成在绝缘膜上的单晶Si势垒层（3） 2）并加工成尺寸，从而显示量子限制效应; 分别设置在阻挡层（3）的两端的p型扩散层电极（5）和n型扩散层电极（6） 以及设置在电极（5,6）之间的阻挡层（3）上的单晶Ge发光部（9）。 在电极（5,6）之间流动的电流的至少一部分在阻挡层（3）的内部流动，与基板（1）水平。
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公开(公告)号：WO2013111173A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/JP2012/000364
申请日：2012-01-23
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/02327 , H01L31/028
Abstract: 絶縁膜上に異なる半導体材料で並んでいる第1アンドープ半導体領域及び第２アンドープ半導体領域とで光吸収層と増倍層とが構成されたＡＰＤを採用することにより、光吸収層と増倍層（例えば、シリコンとゲルマニウム）の界面の結晶性が良好になり、結晶欠陥に起因した暗電流が低減できる。それにより、アバランシェフォトダイオードの受光感度を向上させることができる。また、受光層と増倍層のドーピング濃度を低くできるので、ダイオードの接合容量が低減可能になり、高速動作が可能になる。
Abstract translation: 通过采用由不同的半导体材料制成并配置在绝缘膜上的第一未掺杂半导体区域和第二未掺杂半导体区域构成光吸收层和倍增层的APD，在光的界面处的结晶性 吸收层和乘法层（例如硅和锗）变得令人满意，并且可以降低由晶体缺陷引起的暗电流。 因此，能够提高雪崩光电二极管的受光灵敏度。 此外，可以降低光接收层和倍增层的掺杂浓度，从而能够降低二极管的结电容并实现高速操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2013088490A1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：PCT/JP2011/078677
申请日：2011-12-12
CPC classification number: H01L33/34 , H01L31/035272 , H01L31/103 , H01L33/44 , H01S5/021 , H01S5/2214 , H01S5/3211 , H01S5/3219 , H01S5/3223 , H01L2924/01032 , H01L2924/10252
Abstract: 発光層あるいは光吸収層とクラッド層との界面における転位や結晶欠陥の発生を低減・防止し、発光効率が高い或いは低消費電力で信頼性の高いシリコン・ゲルマニウム半導体光素子を提供するために、シリコン・ゲルマニウム半導体光素子において、基板の上部に配置されるゲルマニウム発光層あるいは光吸収層１０とクラッド層１２との間に、ゲルマニウム発光層あるいは光吸収層１０とは導電性が異なり、非発光のゲルマニウム保護層１１を配置する。
Abstract translation: 提供了一种高度可靠的硅锗半导体光学元件，其减少/消除了在包层和发光层或光吸收层之间的界面处产生位错和晶体缺陷，并且具有高发光效率或低功耗 。 在本发明的硅锗半导体光学元件中，在设置在基板的上方的包覆层（12）和锗发光层或光吸收层（10）之间，设置锗保护层（11） 所述锗保护层具有不同于锗发光层或光吸收层（10）的导电性，并且不发光。
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公开(公告)号：WO2012160972A1
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：PCT/JP2012/061855
申请日：2012-05-09
Applicant: コニカミノルタホールディングス株式会社 , 渋谷 和樹
Inventor： 渋谷 和樹
CPC classification number: H02N2/0085 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/29 , H01L41/319
Abstract: 圧電素子用の下部電極を構成するＰｔ層について、ロッキングカーブの半価幅、表面の平均粗さ、および平均粒径を全て同時に規定することにより、特性の良好なＰｔ層を安定して成膜して、そのＰｔ層の上に、特性が良好な圧電薄膜を安定して成膜する。
Abstract translation: 在本发明中，相对于构成压电元件的下电极的Pt层，一次指定摇摆曲线的半值宽度，表面的平均粗糙度和平均粒径，由此 稳定地形成具有优异特性的Pt层，并且在Pt层上稳定地形成具有优异特性的压电薄膜。
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公开(公告)号：WO2012073816A1
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：PCT/JP2011/077170
申请日：2011-11-25
Applicant: 荏原ユージライト株式会社 , 西方 順一 , 村山 隆史 , 谷本 樹一 , 石川 久美子
IPC: C23F1/46
CPC classification number: C23F1/46
Abstract: エッチング液中から、エッチング性能に大きな影響を与える銅イオンを除去することで、当該エッチング液の安定化と、その寿命を伸ばすことができ、コストダウンと廃棄物の削減や、環境資源の保護につながるエッチング液の維持管理方法を提供することを目的とする。当該方法は、エッチングを行うことにより銅イオンが蓄積し、性能が低下するエッチング液を、エッチング槽から陽イオン交換膜で分けられた電解槽の陰極室に送り、電解する工程と、電解された陰極室の陰極液をエッチング槽に戻す工程とを含むエッチング液の維持管理方法であって、電解槽の陽極槽には酸溶液が入れられ、前記エッチング液中の銅イオン濃度を０.１ｇ／Ｌ～１０ｇ／Ｌの範囲に維持されるよう電解することを特徴とするエッチング液の維持管理方法である。
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种保持蚀刻液的方法，其能够通过从蚀刻液中除去铜离子来稳定蚀刻液并延长蚀刻液的寿命，所述铜离子大大影响蚀刻性能 从而降低成本和浪费，最终保护环境资源。 用于维持蚀刻液的方法包括：执行由于腐蚀而积累的铜离子而使性能劣化的蚀刻液从蚀刻槽传送到电解槽的负极室 由阳离子交换膜分离，进行电解; 以及负极室中的电解负极液体返回到蚀刻槽的工序。 维护蚀刻液的方法的特征在于，在电解槽的正极室中含有酸溶液，进行电解，使得蚀刻液中的铜离子浓度保持在0.1-10g的范围内 / L。
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公开(公告)号：WO2011093226A1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/JP2011/051105
申请日：2011-01-21
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/3223 , H01S5/021 , H01S5/0424
Abstract: 一般に市場に出回っている安価なＳＯＩウェハを用いて直接遷移化して発光するゲルマニウム発光素子、あるいはゲルマニウム単結晶に大きな伸長歪みを印加することなく、良好な発光特性を有するゲルマニウム発光素子、あるいはレーザ発振のためのしきい値電流を低減することが出来るゲルマニウム発光素子を提供する。（１００）面、もしくは（１１０）面、またはそれらと結晶学的に等価な面方位を表面に持つゲルマニウム層が絶縁体上に設けられた薄膜レーザ・ダイオード、あるいは、発光部として基板方向に垂直に形成された薄膜状のゲルマニウム・フィンを備え、該発光部は（１００）面または（１１０）面、もしくはそれと結晶学的に等価な面方位をを表面に持ち、一つまたは複数の発光層を有するゲルマニウム・レーザ・ダイオードであることを特徴とする。
Abstract translation: 公开了使用廉价的SOI晶片的锗发光元件，其在公开市场上可以直接转换和发光; 锗发光元件包括期望的发光特性，而不对锗单晶施加显着的长度失真; 或能够降低激光振荡的阈值电流的锗发光元件。 锗发光元件包括薄膜激光二极管，其中具有（100）面，（110）面的正面或其等效结晶值的面取向的锗层设置在绝缘体 身体; 或作为在基板方向上垂直形成的发光单元的薄膜锗翅片。 发光单元是包含一个或多个发光层的锗激光二极管，其具有（100）面，（110）面的正面或与其等效结晶值的面取向。
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公开(公告)号：WO2017150122A1
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：PCT/JP2017/004659
申请日：2017-02-09
IPC: G03G9/08
Abstract: トナー母体粒子と、外添剤とを含有するトナーであって、 前記トナー母体粒子が、結着樹脂と、離型剤と、シリカとを含有し、 前記トナー母体粒子の表面近傍領域における前記シリカの平均の存在比率（Ｘｓｕｒｆ）が７０％～９０％であり、 前記トナーを１８０℃に加熱したときの前記トナーの粒子一粒あたりの投影面積平均値Ｓ（１８０）と、前記トナーが３０℃の時の前記トナーの粒子一粒あたりの投影面積平均値Ｓ（３０）とが、下記式（１）を満たすトナーである。 １．４≦Ｓ（１８０）／Ｓ（３０）≦１．７ ・・・式（１）
Abstract translation: 和
的调色剂基础颗粒中，含有外部添加剂的调色剂，所述调色剂基础颗粒包含粘结剂树脂，脱模剂，和二氧化硅，所述调色剂基础 的丰度比（Xsurf）70％〜90的平均颗粒的表面区域附近的二氧化硅的％，每调色剂平均S（180的晶粒的投影面积在调色剂加热至180℃ ）并且，其中所述投影面积的平均值S（30％的调色剂的晶粒当调色剂为30℃）和，但是调色剂满足下式（1）。 1.4≦S（180）/ S（30）≦1.7···式（1）
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