公开(公告)号：WO2023006577A1

公开(公告)日：2023-02-02

申请号：PCT/EP2022/070504

申请日：2022-07-21

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

发明人： WANG, Heng ,  ILLEK, Stefan

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/30 ,  H01L33/04 ,  H01L33/14 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343

摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) angegeben, mit - einem ersten Halbleiterbereich (2) eines ersten Dotiertyps, der eine erste Materialzusammensetzung aufweist, - einem zweiten Halbleiterbereich (3) eines zweiten Dotiertyps, der eine zweite Materialzusammensetzung aufweist, - einem aktiven Bereich (4), der zwischen dem ersten Halbleiterbereich (2) und dem zweiten Halbleiterbereich (3) angeordnet ist, und - einem ersten Zwischenbereich (7), der zwischen dem ersten Halbleiterbereich (2) und dem aktiven Bereich (4) angeordnet ist, wobei - der aktive Bereich (4) mehrere Quantentopfschichten (5) und mehrere Barriereschichten (6) aufweist, die alternierend übereinander angeordnet sind, - die Barriereschichten (6) eine dritte Materialzusammensetzung aufweisen, - der erste Zwischenbereich (7) mindestens eine erste Blockierschicht (8) und mindestens eine erste Zwischenschicht (9) umfasst, und - die erste Blockierschicht (8) eine vierte Materialzusammensetzung umfasst und die erste Zwischenschicht (9) eine fünfte Materialzusammensetzung umfasst. Des Weiteren werden eine Laserdiode und eine lichtemittierende Diode angegeben.

公开(公告)号：WO2022264854A1

公开(公告)日：2022-12-22

申请号：PCT/JP2022/022817

申请日：2022-06-06

申请人： 豊田合成株式会社 ,  学校法人名城大学

发明人： 水谷　浩一 ,  奥野　浩司 ,  大矢　昌輝 ,  飯田　一喜 ,  上山　智 ,  竹内　哲也 ,  岩谷　素顕

IPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/24 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01S5/042 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343

摘要： 【要約】 【課題】　ｐ型のIII 族窒化物半導体の上にｎ型のIII 族窒化物半導体を成膜する場合に、ｐ型のIII 族窒化物半導体を不活性化することを抑制する半導体発光素子の製造方法を提供することである。 【解決手段】　半導体レーザー素子（１００）の製造方法は、ｎ型半導体層（１１２）の上に貫通孔（１２０ａ）を有するマスク（１２０）を形成する工程と、マスク（１２０）の貫通孔（１２０ａ）に露出するｎ型半導体層（１１２）の上に柱状半導体（１３０）を成長させる工程と、柱状半導体（１３０）と柱状半導体（１３０）との間の隙間を埋める埋込層（１４０）を形成する工程と、を有する。柱状半導体（１３０）を成長させる工程では、筒状ｐ型半導体（１３３）を成長させる。埋込層（１４０）を形成する工程では、スパッタリングまたは蒸着により、柱状半導体（１３０）と柱状半導体（１３０）との間の隙間を埋めるｎ型の埋込層（１４０）を成長させる。

公开(公告)号：WO2022194967A1

公开(公告)日：2022-09-22

申请号：PCT/EP2022/056889

申请日：2022-03-16

申请人： ROCKLEY PHOTONICS LIMITED

发明人： YU, Guomin ,  ZILKIE, Aaron John

IPC分类号： H01S5/12 ,  H01S5/028 ,  H01S5/22 ,  H01S5/10 ,  H01S5/02 ,  H01S5/32 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42

摘要： A method of preparing a distributed feedback laser. The distributed feedback laser comprises an active waveguide with a reflective facet. The method comprises: etching a grating into the distributed feedback laser; and etching an output facet into the active waveguide.

公开(公告)号：WO2022174927A1

公开(公告)日：2022-08-25

申请号：PCT/EP2021/054270

申请日：2021-02-22

申请人： HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. ,  BRENOT, Romain

发明人： GALLET, Antonin

IPC分类号： H01S5/50 ,  H01S5/10 ,  H01S5/16 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343

摘要： Described is a semiconductor optical amplifier (600, 900) comprising an active layer extending between an input (601, 901) and an output (602, 902) of the optical amplifier, the active layer having a noise suppression part (603, 903) operative to reduce noise of the optical amplifier and a second part (604, 904), the noise suppression part (603, 903) being adjacent to the input (601, 901) of the optical amplifier and having an epitaxial structure different to the second part (604, 904), the noise suppression part (603, 903) being configured to, during operation of the optical amplifier, present a gain that is blue-shifted by at least 20 nm compared to the second part (604, 904). This may allow the noise of the optical amplifier to be reduced, which may improve the performance of the device.

公开(公告)号：WO2022073093A1

公开(公告)日：2022-04-14

申请号：PCT/CA2020/051716

申请日：2020-12-11

申请人： NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA

发明人： EINABAD, Omid Salehzadeh

IPC分类号： H01S5/227 ,  H01S5/12 ,  H01S5/32

摘要： There is provided a method for fabricating a corrugated buried heterostructure laser, including patterning a dielectric layer coating a substrate having a direction to obtain a hollow corrugated structure. The hollow corrugated structure includes a central portion and regularly spaced-apart tabs laterally extending from the central portion and aligned with the direction. The method also includes, in a single metal organic chemical vapour deposition run, forming an active region in the hollow corrugated structure to obtain the corrugated buried heterostructure laser. The single run combines selective area growth, p-dopant diffusion and etching techniques. There is also provided a corrugated buried heterostructure laser including a substrate having a direction, a corrugated structure defined in the substrate and including a central portion and regularly spaced-apart tabs laterally extending from the central portion and aligned with the direction, and an active region grown in the corrugated structure.

公开(公告)号：WO2020025700A1

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：PCT/EP2019/070680

申请日：2019-07-31

申请人： OSRAM OLED GMBH

发明人： STEINER, André ,  RAFAEL, Christine ,  ALTIERI-WEIMAR, Paola

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32

摘要： Ein Halbleiterbauelement (10, 15) umfasst eine leitfähige Schicht (130) über einem Halbleiterkörper (100, 125) und eine an die leitfähige Schicht (130, 220, 312) angrenzende erste Stresskompensationsschicht (170). Die Stresskompensationsschicht weist eine definierte erste Verspannung auf.

公开(公告)号：WO2018060729A1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：PCT/GB2017/052931

申请日：2017-09-29

申请人： OCLARO TECHNOLOGY LIMITED

发明人： DAVIES, Samuel ,  KEARLEY, Mark ,  FARWELL, Selina

IPC分类号： H01S5/06 ,  H01S5/20 ,  G02F1/01 ,  H01S5/024 ,  H01S5/22 ,  H01S5/227 ,  H01S5/32 ,  G02B6/12

摘要： A waveguide structure including a waveguide having a thermally controllable section, and a method of manufacturing the structure. The waveguide structure comprises a plurality of layers. The layers comprise, in order: a substrate (306), a sacrificial layer (305), a lower cladding layer (303), a waveguide core layer (302), and an upper cladding layer (301). The lower cladding layer, waveguide core layer, and upper cladding layer form the waveguide, the waveguide has a waveguide core. The waveguide structure has a continuous via (307) passing through the upper cladding layer, waveguide core layer, and lower cladding layer and running parallel to the waveguide ridge (304) along substantially the whole length of the thermally controllable section. The waveguide structure also has a thermally insulating region (308) in the sacrificial layer extending at least from the via to beyond the waveguide ridge along the whole length of the thermally controllable section. The sacrificial layer comprises a sacrificial material outside of the thermally insulating region, and a thermally insulating gap (308) or thermally insulating material separating the lower cladding layer and substrate inside the thermally insulating region. The structure is manufactured by providing a wet etch to the sacrificial layer through the via in order to remove material from at least the thermally insulating region.

摘要翻译： 包括具有可热控制部分的波导的波导结构以及制造该结构的方法。 波导结构包括多个层。 这些层依次包括：衬底（306），牺牲层（305），下包层（303），波导芯层（302）和上包层（301）。 下包层，波导芯层和上包层形成波导，波导具有波导芯。 波导结构具有穿过上部覆盖层，波导芯层和下部覆盖层并沿着可热控制部分的整个长度平行于波导脊（304）延伸的连续通孔（307）。 波导结构还在牺牲层中具有沿着热可控部分的整个长度至少从通孔延伸超过波导脊的热绝缘区域（308）。 牺牲层包括在绝热区域外部的牺牲材料以及在绝热区域内隔离下部覆盖层和衬底的绝热间隙（308）或绝热材料。 该结构通过通过通孔向牺牲层提供湿法蚀刻来制造，以至少从绝热区域去除材料。

公开(公告)号：WO2017081010A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：PCT/EP2016/076986

申请日：2016-11-08

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

发明人： BACHMANN, Alexander ,  LAUER, Christian ,  FURITSCH, Michael

IPC分类号： H01S5/042 ,  H01S5/20 ,  H01S5/32

CPC分类号： H01S5/2036 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/18

摘要： Eine Halbleiterlaserdiode weist eine Schichtenfolge auf, die eine Mehrzahl in einer Wachstumsrichtung übereinander angeordneter Schichten umfasst. Die Halbleiterlaserdiode weist eine Spiegelfacette und eine Auskoppelfacette auf, zwischen denen ein sich in eine longitudinale Richtung erstreckender Resonator gebildet ist. Die Schichtenfolge umfasst eine aktive Schicht, in der ein aktiver Bereich ausgebildet ist. Die Schichtenfolge umfasst eine in Wachstumsrichtung oberhalb der aktiven Schicht angeordnete verspannte Schicht.

摘要翻译： 半导体激光二极管具有包括沿彼此的生长方向布置的多个层的层序列。 半导体激光二极管具有镜面和耦合输出面，耦合输出面之间形成沿纵向延伸的谐振器。 层序列包括其中形成有源区的有源层。 层序列包括在有源层上方沿生长方向排列的应变层。

公开(公告)号：WO2017060836A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：PCT/IB2016/055967

申请日：2016-10-05

申请人： KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  KING ABDULAZIZ CITY FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY

发明人： OOI, Boon Siew ,  SHEN, Chao ,  NG, Tien Khee ,  ALYAMANI, Ahmed ,  ELDESOUKI, Munir

IPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01S5/0265 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

摘要： Example apparatuses are provided for simultaneous generation of high intensity light and modulated light signals at low modulation bias operating characteristics. An example apparatus includes a semipolar or nonpolar GaN-based substrate, a reverse- biased waveguide modulator section, and a forward-biased gain section based on InGaN/GaN quantum-well active regions, wherein the forward-biased gain section is grown on the semipolar or nonpolar GaN-based substrate. Methods of manufacturing the apparatuses described herein are also contemplated and described herein.

摘要翻译： 提供了用于以低调制偏压操作特性同时生成高强度光和调制光信号的示例性装置。 示例性装置包括基于InGaN / GaN量子阱活性区域的半极性或非极性GaN基衬底，反向偏置波导调制器部分和正向偏置增益部分，其中正向偏置增益部分生长在 半极性或非极性GaN基衬底。 本文所述的制造装置的方法也在本文中考虑和描述。

公开(公告)号：WO2017055284A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：PCT/EP2016/073000

申请日：2016-09-27

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

发明人： GERHARD, Sven ,  LELL, Alfred ,  VIERHEILIG, Clemens ,  LÖFFLER, Andreas ,  EICHLER, Christoph

IPC分类号： H01S5/042 ,  H01S5/16 ,  H01S5/32 ,  H01S5/028 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01S5/168 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/16 ,  H01S5/162 ,  H01S5/166 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3214 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

摘要： Es umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge(2) mit einem n-leitenden n-Bereich (21), einem p-leitenden p-Bereich (23) und einer dazwischenliegendenaktive Zone (22) zur Erzeugung von Laserstrahlung. Zur Stromeinprägung befindet sich direkt an dem p-Bereich (23) eine für die Laserstrahlung durchlässige p-Kontaktschicht (3) aus einem transparenten leitfähigen Oxid. Direkt an der p-Kontaktschicht (3) ist eine elektrisch leitende und metallische p-Kontaktstruktur (4) angebracht. Die p-Kontaktschicht (3) ist ein Teil einer Mantelschicht, sodass die Laserstrahlung im Betrieb des Halbleiterlasers (1) bestimmungsgemäß in die p-Kontaktschicht (3) eindringt. Zwei Facetten (25) der Halbleiterschichtenfolge (2) bilden Resonatorendflächen für die Laserstrahlung. In wenigstens einem Stromschutzbereich (5) direkt an zumindest einer der Facetten (25) ist eine Stromeinprägung in den p-Bereich (23) unterdrückt. Der Stromschutzbereich weist in Richtung senkrecht zur zugehörigen Facette (25) eine Ausdehnung von mindestens 0,5µm und von höchstens 100 µm und zusätzlich von höchstens 20 % einer Resonatorlänge für die Laserstrahlung auf.

摘要翻译： 半导体激光器（1）包括具有n型的n型区域（21），p型的p型区域（23）和用于产生激光辐射的居间有源区（22）的半导体层序列（2）。 电流注入直接位于所述p-区（23）可透过由透明导电氧化物的激光辐射p接触层（3）。 直接在p型接触层（3）是一种导电性的金属和p接触结构（4）。 p接触层（3）是一包层的一部分，从而使半导体激光器的操作期间所述激光辐射（1），用于渗透到p型接触层（3）。 两个小平面（25）的半导体层序列（2）用于激光辐射形式谐振器端的。 在至少一个电流保护区域（5）直接在刻面中的至少一个（25）抑制了在p区（23）的电流注入。 过电流保护区域具有在沿垂直于相关联的小面（25）具有至少0.5微米的扩展，并且不超过100微米，并且另外至多20用于激光辐射的谐振器的％。