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公开(公告)号：CN118957714A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411013849.2
申请日：2024-07-26
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种电镀装置。该电镀装置包括：电镀槽，具有用于盛装药液的内腔以及与内腔连通的进液孔；及除泡机构，包括导流板、转轴、除泡蜗轮及弯头喷嘴；导流板位于内腔内，且与电镀槽可拆卸地连接，导流板与电镀槽具有进液孔的一侧内壁围合形成进液腔，转轴可转动地连接在导流板背离进液腔的一侧，除泡蜗轮安装在转轴上，导流板上具有贯穿导流板相对两侧的通液孔，弯头喷嘴安装在导流板上，且弯头喷嘴的进液口通过通液孔与进液腔连通，弯头喷嘴的出液口朝向除泡蜗轮喷出药液，以带动除泡蜗轮转动。
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公开(公告)号：CN118919448A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410974155.9
申请日：2024-07-19
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请提供了一种供液方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质，其中，方法包括：获取废液的回收量；根据废液的回收量确定新液的补给量；其中，新液的补给量和废液的回收量的差值符合预设区间；根据新液的补给量控制供液装置输送新液至指定设备。本申请提供的方案根据废液的回收量精确地计算出所需新液的补给量，解决了原先补给过量或补给不足的问题，实现了对供液过程的控制，提高了供液过程的稳定性，同时，补给量和回收量的差值在一定范围内，极大程度上降低了补给的误差，提高了供液的精度。
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公开(公告)号：CN118866764A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410940964.8
申请日：2024-07-12
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 本发明提出一种圆片表面温度控制设备和方法，用于塑封圆片的热处理，包括：固定载台，用于承载圆片和塑封料，固定载台上设有吸附孔；加热盘，设置为平行于固定载台，加热盘的工作温度Th高于塑封料的熔融温度；以及，冷却盘，设置为平行于固定载台，冷却盘的工作温度低于塑封料的熔融温度，冷却盘包括若干个同心的环形区域。该方案将热处理塑封圆片和其冷却过程简化至同一固定载台进行，无需进行传递圆片至冷盘冷却的过程，使工艺过程更简单可靠。通过设置以多个环形区域逐步受控冷却，配合环形区域逐步解除吸附，可以减缓塑封后的圆片翘曲问题，降低工艺过程的不良率，提高产量。
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公开(公告)号：CN118016580A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410194290.1
申请日：2024-02-21
申请人： 西安电子科技大学 , 合肥欧益睿芯科技有限公司 , 吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 本发明涉及一种晶圆预对准方法。该晶圆预对准方法包括以下步骤：a、将晶圆上料至预对准载台；其中，晶圆具有彼此相邻接的第一区域和第二区域，第二区域的透光率小于第一区域的透光率，晶圆的周侧边缘开设有与第二区域相邻接的定位缺口；b、视觉定位系统根据定位缺口处的光学信号与第二区域的光学信号存在的差异，识别到定位缺口并获取定位缺口的位置信息；c、预对准载台根据定位缺口的位置信息带动晶圆移动，直至晶圆到达预设标准位置。
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公开(公告)号：CN117984204A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410103306.3
申请日：2024-01-24
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司
IPC分类号： B24B27/00 , H01L21/67 , H01L21/304 , H01L21/306 , B24B7/22 , B24B41/00 , B24B37/10 , B24B37/34
摘要： 本发明涉及一种晶圆磨抛设备及磨抛加工方法。该晶圆磨抛设备包括：供料装置，用于提供晶圆；磨削装置，与供料装置沿第一预设方向布设，磨削装置用于对晶圆进行磨削加工；至少两个抛光装置，布置在供料装置与磨削装置之间，各个抛光装置沿所述第一预设方向布设，用于对晶圆进行化学机械抛光；及转移装置，布置在供料装置与磨削装置之间，用于在供料装置、磨削装置和各个抛光装置之间转移晶圆。如此，在同一时间段可选择性地对一个、两个甚至更多个晶圆进行化学机械抛光，从而能够协调转移装置在各个抛光装置上游和下游进行晶圆转移的节拍，大大提升了设备的工艺扩展性，能够适应多种生产工艺。
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公开(公告)号：CN117784539A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310649969.0
申请日：2023-06-02
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造设备改造技术领域，具体涉及一种多种材料衬底晶圆预对准系统，包括取片机械手、光纤传感模块、预对准平台以及CCD相机，所述取片机械手用于将晶圆传送至预对准平台上，光纤传感模块用于感测晶圆，当传感光纤检测到晶圆后，取片机械手停止向前输送并将晶圆放置在预对准平台，预对准平台旋转晶圆并利用CCD相机读取晶圆缺口位置，并最终将缺口旋转指指定位置，通过设置增益可调的光纤放大器，在测量透明度不同的晶圆时无需对传感器进行改造更换，只需要将光纤放大器的增益调节至相应范围即可，也无需反复调节传感器触发阈值。降低了改造成本。
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公开(公告)号：CN118658807A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410737658.4
申请日：2024-06-07
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种供液装置。该供液装置包括：储液组件，包括用于储存药液的药液桶；气动泵，气动泵的进液口通过第一管路与药液桶连通；及气液分离罐，气液分离罐的进液口通过第二管路与气动泵的出液口连通，气液分离罐的出液口连接有供液管路。如此，在气动泵的泵送作用下，药液桶内的药液通过第一管路、气动泵和第二管路进入到气液分离罐内进行气液分离，以排除药液内的气泡。经过气液分离之后的药液通过供液管路添加至工艺槽，从而确保添加至工艺槽内的药液不存在气泡，一方面避免对流量计的检测精度造成不良影响，以确保工艺槽内的药液配比满足工艺要求；另一方面确保工艺槽内不会产生泡沫，有利于提高对晶圆表面进行蚀刻的均匀性。
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公开(公告)号：CN118493240A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410455612.3
申请日：2024-04-16
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B47/00 , B24B37/34 , B24B37/27 , G05D16/20
摘要： 本发明涉及一种气压控制装置。该气压控制装置包括：底座，开设有正压输入口、负压输入口和多个出气口；多个气压控制组件，均安装在底座上，底座内部还开设有气流通道，每一气压控制组件通过气流通道与正压输入口和负压输入口连通，每一气压控制组件通过气流通道与对应的出气口连通；其中，每一气压控制组件用于将负压输入口的负压和/或正压输入口的正压引入至对应的出气口，并控制对应的出气口的气压大小。与现有技术相比，本申请中的气压控制装置在确保气压控制精度的前提下，本申请中的气压控制装置大大减少了管路连接，且结构更加紧凑，从而所需占用的空间较小，能够更好的满足在空间受限的情况下的安装需求。
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公开(公告)号：CN118218284A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410278231.2
申请日：2024-03-12
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种清洗装置及减薄机。该清洗装置包括：第一清洗机构，包括第一运动组件及安装在第一运动组件的驱动端的工作台清洗刷，工作台清洗刷位于工作台上方，第一运动组件能够驱动工作台清洗刷下降至与工作台接触，以使工作台清洗刷能够对工作台进行刷洗；及第二清洗机构，包括第二运动组件以及均安装在第二运动组件的驱动端上的晶圆清洗刷和喷头；第二运动组件能够驱动晶圆清洗刷和喷头运动至工作台清洗刷与工作台之间，以使喷头能够向工作台或工作台上的晶圆进行冲洗，且晶圆清洗刷能够对工作台上的晶圆进行刷洗。
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公开(公告)号：CN118181027A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410278094.2
申请日：2024-03-12
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种晶圆表面处理装置及减薄机。该晶圆表面处理装置包括：转盘，绕第一轴线可受控旋转；及处理组件，包括运动件、抛光头及形变体，运动件位于转盘的一侧，且沿转盘的径向可受控移动，抛光头活动连接在运动件朝向转盘的一侧，形变体设置在运动件上，且可受控地产生形变；其中，转盘朝向抛光头的一侧用于装载晶圆，形变体在产生形变时能够推动抛光头抵压在晶圆上。如此，在对晶圆表面进行处理时，由于形变体处于形变状态，在形变体施加的抵推力的作用下确保抛光头一直与晶圆保持抵压，避免出现由于抛光头与晶圆之间产生间隙或抵压力过小的情况，大大提高了对晶圆表面的处理效果，降低了晶圆表面处理装置的维护成本。
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