公开(公告)号：CN107851952B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201580080695.1

申请日：2015-06-05

申请人： I·B·彼得雷斯库-普拉霍瓦

发明人： I·B·彼得雷斯库-普拉霍瓦

IPC分类号： H01S3/063

摘要： 具有镜面保护的半导体激光器装置包括横向上的具有双波导的结构以及纵向上的主分段和端部分段，所述双波导由有源波导和分离的或相邻的陷波波导组成，所述端部分段的上包层的厚度朝向反射镜逐渐减小。在主分段中，场分布是非对称的，主要位于下包层。在端部分段中，场分布逐渐进一步向下薄层传输。沿着端部分段，基模限制因子Γ逐渐且显著减小。限制因子Γ的减小防止有源区在出口反射镜上的投影的退化，激光元件对退换最敏感。

公开(公告)号：CN107851952A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201580080695.1

申请日：2015-06-05

申请人： I·B·彼得雷斯库-普拉霍瓦

发明人： I·B·彼得雷斯库-普拉霍瓦

IPC分类号： H01S3/063

CPC分类号： H01S5/1082 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/125 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/343 ,  H01S2301/185

摘要： 具有镜面保护的半导体激光器装置包括横向上的具有双波导的结构以及纵向上的主分段和端部分段，所述双波导由有源波导和分离的或相邻的陷波波导组成，所述端部分段的上包层的厚度朝向反射镜逐渐减小。在主分段中，场分布是非对称的，主要位于下包层。在端部分段中，场分布逐渐进一步向下薄层传输。沿着端部分段，基模限制因子Γ逐渐且显著减小。限制因子Γ的减小防止有源区在出口反射镜上的投影的退化，激光元件对退换最敏感。