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公开(公告)号：CN107851952A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201580080695.1
申请日：2015-06-05
申请人： I·B·彼得雷斯库-普拉霍瓦
发明人： I·B·彼得雷斯库-普拉霍瓦
IPC分类号： H01S3/063
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/1014 , H01S5/125 , H01S5/2031 , H01S5/2086 , H01S5/22 , H01S5/3213 , H01S5/343 , H01S2301/185
摘要： 具有镜面保护的半导体激光器装置包括横向上的具有双波导的结构以及纵向上的主分段和端部分段，所述双波导由有源波导和分离的或相邻的陷波波导组成，所述端部分段的上包层的厚度朝向反射镜逐渐减小。在主分段中，场分布是非对称的，主要位于下包层。在端部分段中，场分布逐渐进一步向下薄层传输。沿着端部分段，基模限制因子Γ逐渐且显著减小。限制因子Γ的减小防止有源区在出口反射镜上的投影的退化，激光元件对退换最敏感。
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公开(公告)号：CN104737393B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201380052323.9
申请日：2013-04-15
申请人： 松下知识产权经营株式会社
发明人： 高山彻
CPC分类号： H01S5/34333 , H01S5/0206 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/3013 , H01S5/3201 , H01S5/3213 , H01S5/32341 , H01S5/3407 , H01S2301/173
摘要： 半导体发光元件包括：由GaN形成的衬底(11)；设置在衬底(11)上方的第一包覆层(12)；设置在第一包覆层(12)上方的量子阱有源层(13)；设置在量子阱有源层(13)上方的第二包覆层(14)；以及设置在衬底(11)与第一包覆层(12)之间的第一折射率修正层(15)。第一折射率修正层包括In1‑x‑yAlyGaxN(x+y＜1)层，x和y满足关系式x/1.05+y/0.69＞1、x/1.13+y/0.49＞1或x/1.54+y/0.24＞1，并且满足x/0.91+y/0.75≥1和x/1.08+y/0.91≤1。
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公开(公告)号：CN103959580B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201280051908.4
申请日：2012-06-22
申请人： 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC分类号： H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/34333
摘要： 本发明能够提供一种氮化物半导体发光元件，具有能够降低来自半导体隆脊的载流子的横向扩散的构造。在｛20－21｝面上的半导体激光器中，在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时，该二维空穴气引起p侧的半导体区域中载流子的横向扩散。另一方面，在c面上的半导体激光器中，在空穴能带中该异质结不产生二维空穴气。异质结HJ包含在半导体隆脊中时，在从半导体隆脊流出的载流子，不存在因二维空穴气的作用而产生的横向扩散。
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公开(公告)号：CN102792447B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201080047545.8
申请日：2010-09-16
申请人： 天空激光二极管有限公司
发明人： 詹姆斯·W·拉林 , 马修·施密特 , 克里斯蒂安·埃尔萨斯
IPC分类号： H01L29/15
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/2009 , H01S5/227 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3407 , H01S5/4025
摘要： 一种低压激光器件，所述低压激光器件具有为一种或多种选择波长的光发射而构造的有源区域。
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公开(公告)号：CN104737393A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380052323.9
申请日：2013-04-15
申请人： 松下知识产权经营株式会社
发明人： 高山彻
CPC分类号： H01S5/34333 , H01S5/0206 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/3013 , H01S5/3201 , H01S5/3213 , H01S5/32341 , H01S5/3407 , H01S2301/173
摘要： 半导体发光元件包括：由GaN形成的衬底(11)；设置在衬底(11)上方的第一包覆层(12)；设置在第一包覆层(12)上方的量子阱有源层(13)；设置在量子阱有源层(13)上方的第二包覆层(14)；以及设置在衬底(11)与第一包覆层(12)之间的第一折射率修正层(15)。第一折射率修正层包括In1-x-yAlyGaxN(x+y＜1)层，x和y满足关系式x/1.05+y/0.69＞1、x/1.13+y/0.49＞1或x/1.54+y/0.24＞1，并且满足x/0.91+y/0.75≥1和x/1.08+y/0.91≤1。
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公开(公告)号：CN104303381A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025897.7
申请日：2013-02-22
申请人： 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC分类号： H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/34333
摘要： 能够提供一种可减少为了得到所希望的光输出所需的工作电流的III族氮化物半导体激光元件。根据III族氮化物半导体激光元件(11)，将光谐振器的第一反射膜(43a)以具有小于60％的反射率的方式形成，并将光谐振器的第二反射膜(43b)以具有85％以上的反射率的方式形成。因而，能够避免阈值电流的增加引起的振荡特性的劣化，并且能够避免光谐振器内的光密度的空间的不均匀的发生。在两端面(26、28)的反射率过低时，由于镜面损耗的增加而阈值电流增加。在两端面(26、28)的反射率过高时，由于光谐振器内的光密度的空间的不均匀的生成而激光增益下降。由于该光密度不均匀(空间的烧孔效应)的发生，不仅是在I-L特性观察到扭曲的现象，而且也会使电力/光输出转换效率下降。
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公开(公告)号：CN104106185A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201380007558.6
申请日：2013-02-27
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H01S5/187
CPC分类号： H01S5/18377 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/187 , H01S5/3201 , H01S5/3213 , H01S5/3432 , H01S2301/176
摘要： 一种垂直共振腔面发射激光器(10)，其具备量子阱的活性层(50)、夹着该活性层(50)的第一包层(40)以及第二包层(60)、在第一包层(40)的与活性层(50)相反侧配置的第一多层膜反射层(30)、在第二包层(60)的与活性层(50)相反侧配置的第二多层膜反射层(80)、在第一多层膜反射层(30)的与第一包层(40)相反侧配置的第一电极(91)、以及在第二多层膜反射层(80)的与第二包层(60)相反侧配置的第二电极(92)。在第一包层(40)以及第二包层(60)的至少一方具备低活性能量层(42、62)，该低活性能量层(42、62)成为比用于形成活性层(50)的量子阱的锁光层的最小带隙小且比量子阱的带隙大的带隙。
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公开(公告)号：CN102545057A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110424175.1
申请日：2011-12-09
申请人： 罗姆股份有限公司
CPC分类号： H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3404 , H01S5/3436 , H01S2301/145 , H01S2301/173
摘要： 本发明提供一种适于高输出化的半导体激光元件。半导体激光二极管(70)包括：基板(1)；及半导体叠层结构体(2)，其通过结晶成长而形成在基板(1)上。半导体叠层结构体(2)包括：n型(Alx1Ga(1-x1))0.51In0.49P包覆层14及p型(AIx1Ga(1-x1))0.51In0.49P包覆层(17)；n侧Alx2Ga(1-x2)As导引层(15)及(p)侧Alx2Ga(1-x2)As导引层(16)，其等夹在这些包覆层(14)、(17)之间；以及活性层(10)，其夹在这些导引层(15)、(16)之间。活性层(10)由包含AlyGa(1-y)As(1-x3)Px3层的量子井层(221)与包含Alx4Ga(1-x4)As层的阻障层(222)交替重复叠层复数个周期而构成。
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公开(公告)号：CN101442094B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810176804.1
申请日：2008-11-19
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0021 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
摘要： 本发明“氮化物半导体发光元件的制造方法”，是一种能够减小p型电极的接触电阻率的氮化物半导体发光元件的制造方法。在GaN单晶衬底(1)上形成层叠有p型GaN接触层(11)等的半导体层叠结构。在p型GaN接触层上(11)形成具有Pd层(16)和Ta层(17)的p型电极(15)。在形成了p型电极(15)后，在含氧气氛中在400℃～600℃的温度进行热处理。在热处理后，在p型电极(15)上形成含Au的平头电极(18)。
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公开(公告)号：CN101133530B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200580039011.X
申请日：2005-11-15
申请人： 通用纳米光学有限公司
发明人： 法西利·艾凡诺维奇·夏维金
IPC分类号： H01S5/32
CPC分类号： H01S5/50 , H01S5/02284 , H01S5/028 , H01S5/2027 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/323 , H01S5/4006
摘要： 异质结构用于形成半导体注入式发射源、注入式激光器、半导体放大元件、半导体光放大器，其用在光纤通信和数据传输系统、光超高速计算和开关系统、医疗设备的开发、激光工业设备、倍频激光器中，以及用于充能固态和光纤激光器和放大器。提出了异质结构，注入式激光器、半导体放大元件、以及半导体光放大器，其本质特征在于异质结构的有源层和漏入区的改进、以及在形成从有源层泄露的可控发射的瞬态区域中提供注入式激光器、半导体放大元件、以及半导体光放大器的高效功能的异质结构层的位置、组分、折射率和厚度的组合选择。
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