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公开(公告)号：CN114952609B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202210430544.6
申请日：2022-04-22
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
IPC分类号： B24B37/26 , B24B37/22 , B24B37/04 , B24B37/005 , B24B49/00
摘要： 本发明公开了一种新旧抛光液含比可控的CMP抛光垫、抛光方法及其应用，所述抛光垫的抛光层至少包含：1）在所述抛光垫径向以折线形式相连的径向抛光液传送沟槽，所述径向抛光液传送沟槽每间隔至少4个周向同心圆沟槽角度进行一次偏折，每次偏折后的径向抛光液传送沟槽的宽度变窄、深度变深；2）以相邻的两道径向抛光液传送沟槽为侧边的至少4个周向同心圆沟槽组成的扇形区域。本发明的抛光垫利用复合型沟槽中径向沟槽的角度偏折和宽深变化来控制新旧抛光液在周向同心圆沟槽中的含比，进而提升抛光效果。
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公开(公告)号：CN113021181B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202110299539.1
申请日：2021-03-22
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： B24B37/26
摘要： 本发明公开了一种高去除速率、低划伤化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括一种具有连续径向沟槽和不连续圆周向沟槽形式、所述沟槽底部为非平面形状的抛光层。本发明的化学机械抛光垫各沟槽形式结构相互配合，具有高移除速率、低表面划伤的特点。
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公开(公告)号：CN112959212B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202110299881.1
申请日：2021-03-22
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
IPC分类号： B24B37/26
摘要： 本发明公开了一种带有优化沟槽的化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括抛光层，其具有环形抛光轨迹区、位于抛光轨迹区内的圆形中间区及抛光轨迹区外部的环形外缘区；以及位于抛光层表面的沟槽，包括圆周向沟槽及径向沟槽，所述径向沟槽呈放射状由最靠近抛光垫圆心方向的沟槽处沿半径方向向外延伸，至抛光轨迹区与环形外缘区交界处的沟槽处，由一条沟槽发散为至少两条放射状沟槽。本发明的沟槽能够在最大量存储抛光液的情况下不降低抛光碎屑的排出，从而能得到稳定的抛光速率，提高产品良率，延长抛光垫使用寿命。
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公开(公告)号：CN118721051A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411201493.5
申请日：2024-08-29
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及化学机械抛光垫技术领域，提供一种化学机械抛光垫的抛光层的制备方法和化学机械抛光垫，在抛光垫中采用本发明制备的抛光层，能够有效改善抛光垫抛光晶圆时的抛光速率不一致等问题。所述抛光层的制备步骤包括：（1）将包括聚氨酯预聚体、固化剂和部分膨胀的聚合物膨胀微球的混合料浇注于模具的浇注腔内，部分膨胀的聚合物膨胀微球经加热能二次膨胀；所述模具具有温度调节功能，并且沿着模具的浇注腔的横截面具有多个温度调节区域；（2）调节各个温度调节区域的温度以使至少两个所述温度调节区域的温度不同；（3）将混合料进行包括硫化的后处理，得到抛光层，且所述抛光层的各个抛光层区域之间的密度极差为0.05‑0.3g/cm3，硬度极差为5‑10D。
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公开(公告)号：CN114378715B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202011106090.4
申请日：2020-10-16
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种化学机械抛光用抛光垫，该抛光垫在抛光轨迹区域内具有凸起的研磨表面。本发明抛光垫凸起的研磨表面能够使抛光层更紧密的与抛光元件中央部分接触，从而抵消抛光元件在抛光过程中因边缘位置的线速度较大而造成抛光元件各部位研磨速率不均匀的现象，降低边缘效应的产生。
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公开(公告)号：CN113021181A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110299539.1
申请日：2021-03-22
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： B24B37/26
摘要： 本发明公开了一种高去除速率、低划伤化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括一种具有连续径向沟槽和不连续圆周向沟槽形式、所述沟槽底部为非平面形状的抛光层。本发明的化学机械抛光垫各沟槽形式结构相互配合，具有高移除速率、低表面划伤的特点。
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公开(公告)号：CN118700038A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411201485.0
申请日：2024-08-29
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及化学机械抛光垫技术领域，提供一种化学机械抛光垫的抛光层及其制备方法和应用，基于本发明的制备方法制备的抛光层，能有效改善抛光过程中Profile的Edge速率，利于改善晶圆各处抛光速率的一致性。所述制备方法包括如下步骤：配制用于制备各个所述抛光层区域的多种浇注料；提供模具，所述模具的浇注腔包括多个与各个所述抛光层区域相适配的浇注区域；将所述多种浇注料分别浇注于相对应的所述浇注区域中，经固化和后处理，得到所述包括多个密度和硬度不同的抛光层区域的抛光层。
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公开(公告)号：CN116787323A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210264570.6
申请日：2022-03-17
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明提供一种化学机械抛光垫缓冲层的制备方法，包括以下步骤：a）将聚氨酯树脂、添加剂溶解在溶剂中配制成浆料；b）将浆料以一定厚度均匀涂布在无纺布上，并在第一凝固浴、第二凝固浴中分步固化成型；c）将无纺布分离并水洗烘干得到缓冲层。本发明还提供了缓冲层及含其的抛光垫在化学机械抛光中的应用，可提高抛光垫在抛光时的表面平坦度。
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公开(公告)号：CN112757153B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110257516.4
申请日：2021-03-09
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种多结构体化学机械抛光垫、制造方法及其应用，包括：主结构体，表面改性的次级结构体，保护结构体以及将主结构体与表面改性的次级结构体粘接起来的上连接体，和将表面改性的次级结构体与保护结构体粘接起来的下连接体。本发明表面改性的次级结构体具有优异的断裂伸长率、拉伸强度等力学性能，其厚度也更为均匀，且与连接体的粘接剥离强度更为优异，使得由所述表面改性的次级结构体制成的化学机械抛光垫的组合性能更佳。
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公开(公告)号：CN114378715A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011106090.4
申请日：2020-10-16
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种化学机械抛光用抛光垫，该抛光垫在抛光轨迹区域内具有凸起的研磨表面。本发明抛光垫凸起的研磨表面能够使抛光层更紧密的与抛光元件中央部分接触，从而抵消抛光元件在抛光过程中因边缘位置的线速度较大而造成抛光元件各部位研磨速率不均匀的现象，降低边缘效应的产生。
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