-
公开(公告)号：CN113021181B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202110299539.1
申请日：2021-03-22
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： B24B37/26
摘要： 本发明公开了一种高去除速率、低划伤化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括一种具有连续径向沟槽和不连续圆周向沟槽形式、所述沟槽底部为非平面形状的抛光层。本发明的化学机械抛光垫各沟槽形式结构相互配合，具有高移除速率、低表面划伤的特点。
-
公开(公告)号：CN113977453B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202111312061.8
申请日：2021-11-08
摘要： 本发明公开了一种提高抛光平坦度的化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫的抛光层表面包含有两种不同微孔尺寸的区域：具有孔径1～50μm的I区小孔区和具有孔径为200～1000nm的II区微孔区。本发明的化学机械抛光垫具有特殊孔径分布的微孔，可以保证在更先进制程、更窄线宽的抛光条件下，得到最佳的表面平整度以及不产生较大的划伤。
-
公开(公告)号：CN113977453A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111312061.8
申请日：2021-11-08
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种提高抛光平坦度的化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫的抛光层表面包含有两种不同微孔尺寸的区域：具有孔径1～50μm的I区小孔区和具有孔径为200～1000nm的II区微孔区。本发明的化学机械抛光垫具有特殊孔径分布的微孔，可以保证在更先进制程、更窄线宽的抛光条件下，得到最佳的表面平整度以及不产生较大的划伤。
-
公开(公告)号：CN113021181A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110299539.1
申请日：2021-03-22
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： B24B37/26
摘要： 本发明公开了一种高去除速率、低划伤化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括一种具有连续径向沟槽和不连续圆周向沟槽形式、所述沟槽底部为非平面形状的抛光层。本发明的化学机械抛光垫各沟槽形式结构相互配合，具有高移除速率、低表面划伤的特点。
-
公开(公告)号：CN118809434A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310358044.0
申请日：2023-04-06
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种可以延长使用寿命的CMP抛光垫、制备方法及其应用，所述CMP抛光垫包含抛光顶层、上粘结层、缓冲中层、下粘结层以及支撑性底层，其中，所述缓冲中层表面包含纵向和横向的沟槽以及其分割出的方形突起区域，所述方形突起区域包含四区域拼接纤丝层块，所述四区域拼接纤丝层块由两种不同性质的等腰直角三角形纤丝层块斜边相对组合拼接，并且两种纤丝层块粘贴时存在间隙。本发明的抛光垫利用对两种纤丝层块的厚度和压缩比等的控制，使两种不同性质的纤丝层块在抛光中实现分段作用，进而延长CMP抛光垫的使用寿命(>40h)。
-
公开(公告)号：CN118700037A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411201482.7
申请日：2024-08-29
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及化学机械抛光垫技术领域，提供一种制备化学机械抛光垫的抛光层的方法和化学机械抛光垫，采用本发明的方法来制备抛光层，可以提高生产效率和良率。所述方法包括如下步骤：提供模具，所述模具包括底座和设于所述底座上的模具圆环，所述模具圆环的内壁和所述底座限定出浇注腔；将用于制备所述抛光层的浇注料通过n台浇注机同时浇注于所述模具的所述浇注腔内，其中n≥2；并且相邻两台所述浇注机的浇注口在所述浇注腔的底部的投影与所述浇注腔的底部的中心的连线之间的夹角为360o/n；进行所述浇注的过程中，使所述底座保持水平，并使所述模具以所述浇注腔的底部的中心为圆心按照60‑180°/min的角速度做圆周运动。
-
公开(公告)号：CN118456278A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410921714.X
申请日：2024-07-10
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及化学机械抛光领域，提供一种终点检测窗口、化学机械抛光垫及其应用。采用带有本发明提供的终点检测窗口的化学机械抛光垫进行化学机械抛光，可以有效改善抛光终点检测准确性，能够有效改善抛光一致性。所述终点检测窗口包括以下组分的反应产物：组分a，含有未反应的NCO基团的异氰酸酯封端的预聚体；组分b，含有活泼氢基团的固化剂；组分c，小分子异氰酸酯；其中，所述小分子异氰酸酯的相对分子质量小于1000，并且大于制备所述预聚体所用的异氰酸酯的分子量；所述组分c的用量占所述组分a、所述组分b和所述组分c总质量的3.5‑20wt%。
-
公开(公告)号：CN118024153A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211368657.4
申请日：2022-11-03
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
IPC分类号： B24D11/00
摘要： 本发明公开了一种pH值自适应的化学机械抛光垫、制备方法及其应用，所述化学机械抛光垫至少包括抛光层、粘结层、缓冲层及离型层，所述抛光层硬度及压缩率会随着抛光液的pH值发生改变，所述抛光层的硬度及压缩率表现出差异性分布，具体地，在碱性抛光液中，随着抛光液pH值的增大，所述抛光层硬度相差0.1~10D，压缩率相差0.1~10%。采用本发明的化学机械抛光垫进行抛光可以改善半导体器件表面上的划痕及表面缺陷的特性，进一步提高抛光速率。
-
公开(公告)号：CN116985031A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310303549.7
申请日：2023-03-27
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种化学机械抛光垫、制备方法及其应用，所述的抛光垫至少包括抛光顶层、缓冲层及贴合层，所述的抛光垫内部性能包括硬度和压缩偏移量会随着抛光浆料的注入而发生变化，当酸性值达到一定程度后，所述抛光顶层的硬度及压缩偏移量表现出差异性分布，具体地，在酸性抛光液中，随着抛光液pH值的减小，所述抛光顶层硬度相差0.1～10D，压缩偏移量降低0.01～0.5mil。本发明的化学机械抛光垫可以改善在强酸性抛光液中半导体表面上的划痕及表面缺陷的特性，进一步提高抛光速率。
-
公开(公告)号：CN113334243B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110616763.9
申请日：2021-06-03
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种化学机械抛光垫、制备方法及其应用，所述抛光垫至少包括抛光层、粘结层及缓冲层，所述抛光层硬度及压缩率沿竖直剖面方向上呈现梯度变化趋势，所述抛光面与远离抛光面的背面之间硬度差为0.1～2D，压缩率差为0.1～2％。本发明的抛光垫通过预聚体中加入空心微球与实心微球的质量比等工艺调控实现抛光层硬度及压缩率在垂直方向上的差异分布，得到的抛光垫兼具高的研磨速率及研磨平坦性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
113 条记录 (耗时 0.119 秒)
