公开(公告)号：CN105280264A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510277947.1

申请日：2015-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄成宇 ,  文庚奭 ,  曹永真 ,  孙崙喆 ,  李气汶 ,  丁度源

IPC: H01B1/02

CPC classification number: C01B19/002 ,  B22F5/006 ,  B22F2001/0033 ,  C01P2002/20 ,  C01P2002/70 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/90 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/289 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C30B29/46 ,  H01B1/06 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L31/022466

Abstract: 本发明公开导电材料、透明膜、电子器件和制备导电材料的方法。所述导电材料包括：选自过渡金属、铂族元素、稀土元素、及其组合的第一元素；具有比所述第一元素的原子半径小10％至比所述第一元素的原子半径大10％的原子半径的第二元素；和硫属元素，其中所述导电材料具有层状晶体结构。

公开(公告)号：CN105280264B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201510277947.1

申请日：2015-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄成宇 ,  文庚奭 ,  曹永真 ,  孙崙喆 ,  李气汶 ,  丁度源

IPC: H01B1/02

Abstract: 本发明公开导电材料、透明膜、电子器件和制备导电材料的方法。所述导电材料包括：选自过渡金属、铂族元素、稀土元素、及其组合的第一元素；具有比所述第一元素的原子半径小10％至比所述第一元素的原子半径大10％的原子半径的第二元素；和硫属元素，其中所述导电材料具有层状晶体结构。