公开(公告)号：CN105280264A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510277947.1

申请日：2015-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄成宇 ,  文庚奭 ,  曹永真 ,  孙崙喆 ,  李气汶 ,  丁度源

IPC: H01B1/02

CPC classification number: C01B19/002 ,  B22F5/006 ,  B22F2001/0033 ,  C01P2002/20 ,  C01P2002/70 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/90 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/289 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C30B29/46 ,  H01B1/06 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L31/022466

Abstract: 本发明公开导电材料、透明膜、电子器件和制备导电材料的方法。所述导电材料包括：选自过渡金属、铂族元素、稀土元素、及其组合的第一元素；具有比所述第一元素的原子半径小10％至比所述第一元素的原子半径大10％的原子半径的第二元素；和硫属元素，其中所述导电材料具有层状晶体结构。

公开(公告)号：CN105321591A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510275760.8

申请日：2015-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文庚奭 ,  金相壹 ,  金世润 ,  朴喜正 ,  李孝锡 ,  崔在荣

IPC: H01B1/10 ,  H01B1/06 ,  C01B19/04 ,  H01L51/52

CPC classification number: C01B19/007 ,  C01B19/04 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/06 ,  H01L21/02562 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/54

Abstract: 公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Ru、Os、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag、或者Au，和Ch为硫、硒、碲、或其组合。化学式1：MeCh2。

公开(公告)号：CN110246689B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201910170975.1

申请日：2019-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤哲 ,  郭灿 ,  文庚奭 ,  梁大珍 ,  郑太远

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 公开了陶瓷电介质及其制造方法和陶瓷电子组件及电子设备，所述陶瓷电介质包括包含钡(Ba)和钛(Ti)的块状电介质、陶瓷纳米片、以及所述块状电介质和陶瓷纳米片的复合电介质，所述陶瓷电子组件包括所述陶瓷电介质。

公开(公告)号：CN105321591B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201510275760.8

申请日：2015-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文庚奭 ,  金相壹 ,  金世润 ,  朴喜正 ,  李孝锡 ,  崔在荣

IPC: H01B1/10 ,  H01B1/06 ,  C01B19/04 ,  H01L51/52

Abstract: 公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Ru、Os、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag、或者Au，和Ch为硫、硒、碲、或其组合。化学式1MeCh2。

公开(公告)号：CN108335908B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201810052471.5

申请日：2018-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭灿 ,  金玄植 ,  卢钟旭 ,  文庚奭 ,  朴贤哲 ,  孙仑喆 ,  梁大珍 ,  丁度源 ,  曹永真

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/10 ,  H01G4/30 ,  H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C7/105 ,  H01C7/108

Abstract: 公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。

公开(公告)号：CN110246689A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910170975.1

申请日：2019-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤哲 ,  郭灿 ,  文庚奭 ,  梁大珍 ,  郑太远

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 公开了陶瓷电介质及其制造方法和陶瓷电子组件及电子设备，所述陶瓷电介质包括包含钡(Ba)和钛(Ti)的块状电介质、陶瓷纳米片、以及所述块状电介质和陶瓷纳米片的复合电介质，所述陶瓷电子组件包括所述陶瓷电介质。

公开(公告)号：CN108335908A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810052471.5

申请日：2018-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭灿 ,  金玄植 ,  卢钟旭 ,  文庚奭 ,  朴贤哲 ,  孙仑喆 ,  梁大珍 ,  丁度源 ,  曹永真

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/10 ,  H01G4/30 ,  H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C7/105 ,  H01C7/108

Abstract: 公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。

公开(公告)号：CN109928746B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201811220408.4

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文庚奭 ,  朴贤哲 ,  郭灿 ,  金玄植 ,  梁大珍 ,  曹永真

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01G4/12 ,  H01G4/10 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及陶瓷电介质、其制造方法、陶瓷电子组件和电子设备。陶瓷电介质包括多个半导体晶粒，所述半导体晶粒包括包含钡(Ba)、钛(Ti)和稀土元素的半导体氧化物。陶瓷电介质还包括位于相邻的半导体晶粒之间且包括受体元素的绝缘性氧化物，所述受体元素包括锰(Mn)、镁(Mg)、铝(Al)、铁(Fe)、钪(Sc)、镓(Ga)、或其组合。

公开(公告)号：CN109928746A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811220408.4

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文庚奭 ,  朴贤哲 ,  郭灿 ,  金玄植 ,  梁大珍 ,  曹永真

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01G4/12 ,  H01G4/10 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及陶瓷电介质、其制造方法、陶瓷电子组件和电子设备。陶瓷电介质包括多个半导体晶粒，所述半导体晶粒包括包含钡(Ba)、钛(Ti)和稀土元素的半导体氧化物。陶瓷电介质还包括位于相邻的半导体晶粒之间且包括受体元素的绝缘性氧化物，所述受体元素包括锰(Mn)、镁(Mg)、铝(Al)、铁(Fe)、钪(Sc)、镓(Ga)、或其组合。

公开(公告)号：CN105280264B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201510277947.1

申请日：2015-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄成宇 ,  文庚奭 ,  曹永真 ,  孙崙喆 ,  李气汶 ,  丁度源

IPC: H01B1/02

Abstract: 本发明公开导电材料、透明膜、电子器件和制备导电材料的方法。所述导电材料包括：选自过渡金属、铂族元素、稀土元素、及其组合的第一元素；具有比所述第一元素的原子半径小10％至比所述第一元素的原子半径大10％的原子半径的第二元素；和硫属元素，其中所述导电材料具有层状晶体结构。