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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101814580A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010143473.9
申请日：2005-03-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/057 , H01L51/0017 , H01L51/0021
Abstract: 本发明提供一种垂直场效应晶体管的制作方法。该方法能高度再现且可低成本地制作垂直有机场效应晶体管。此外，该方法并不需要使用光刻和遮蔽掩膜。在垂直场效应晶体管中，在衬底上形成源电极，并形成绝缘层和间断栅电极。然后，形成电荷载流子阻挡层、有机半导体材料和漏电极。使用纳米颗粒来形成栅电极。
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公开(公告)号：CN1551698B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200410028419.4
申请日：2004-03-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L51/52
Abstract: 一种具有空穴势垒层和/或电子势垒层的显示器，借此空穴势垒层和/或电子势垒层设置在显示器的发射体层和第一电极层或第二电极层之间。空穴势垒层的最高被占据的分子轨道的能量小于发射体层的最高被占据的分子轨道的能量，和/或电子势垒层的最低未被占据的分子轨道的能量大于发射体层的最低未被占据的分子轨道的能量。通过安排空穴势垒层和/或电子势垒层的分子轨道的能级，可以产生势垒，阻止不期望的电荷载流子在显示器的再次发射模式操作期间沿相反方向的注入。
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公开(公告)号：CN101814580B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010143473.9
申请日：2005-03-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/057 , H01L51/0017 , H01L51/0021
Abstract: 本发明提供一种垂直场效应晶体管的制作方法。该方法能高度再现且可低成本地制作垂直有机场效应晶体管。此外，该方法并不需要使用光刻和遮蔽掩膜。在垂直场效应晶体管中，在衬底上形成源电极，并形成绝缘层和间断栅电极。然后，形成电荷载流子阻挡层、有机半导体材料和漏电极。使用纳米颗粒来形成栅电极。
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公开(公告)号：CN1667805B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200510065522.0
申请日：2005-03-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/335 , H01L29/772 , H01L51/00 , G09F9/30
CPC classification number: G09F9/30 , H01L21/00 , H01L21/28 , H01L21/8238 , H01L21/84 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/772 , H01L29/786 , H01L29/80 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/057 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种垂直场效应晶体管及其制作方法和含有它的显示装置。该方法能高度再现且可低成本地制作垂直有机场效应晶体管。此外，该方法并不需要使用光刻和遮蔽掩膜。在垂直场效应晶体管中，在衬底上形成源电极，并形成绝缘层和间断栅电极。然后，形成电荷载流子阻挡层、有机半导体材料和漏电极。使用纳米颗粒来形成栅电极。
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公开(公告)号：CN1674320B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200510055145.2
申请日：2005-03-17
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L21/31604 , H01L51/0036
Abstract: 本发明公开了一种有机场效应晶体管、一种制造该有机场效应晶体管的方法、以及一种包括该有机场效应晶体管的平板显示器件。该有机场效应晶体管包括有机半导体层、栅电极和载荷子阻挡层。该载荷子阻挡层置于栅电极和有机半导体层之间，且包含半导体材料。
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