公开(公告)号：CN104425617B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410429498.3

申请日：2014-08-27

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 竹胁利至 ,  宫本广信

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/475 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/80

摘要： 改进氮化物半导体材料制成的功率MISFET的可靠性。应变松弛膜布置在聚酰亚胺膜和栅极电极之间，以抑制从聚酰亚胺膜施加在电子供给层上的应力，并抑制在电子供给层和沟道层中产生的应力应变。作为结果，抑制沟道层中的沟道电子浓度的变化，以防止功率MISFET的阈值电压或通态电阻波动。

公开(公告)号：CN109148565A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810825765.7

申请日：2018-07-25

申请人： 深圳大学

发明人： 刘新科 ,  王佳乐 ,  胡聪

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L29/80 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/80

摘要： 本发明公开了一种结型场效应管及其制备方法，该方法包括：衬底、衬底上自下而上排布的n型缓冲层、n+型SiC通道层，且n+型SiC通道层表面的两端分别设置有P型源极接触层，且两端的P型源极接触层之间设置有n型再生长沟道层，该n型再生长沟道层的两端部分覆盖在相邻的P型源极接触层上，该P型源极接触层上设置有源极接触电极，n型再生长沟道层上设置有栅极欧姆接触电极，衬底的底面设置有漏级电极。相对于现有技术，在结型场效应管中使用SiC，使得结型场效应管具备导通电阻小、开关损耗小、击穿电压大、且高温稳定性好等优点。

公开(公告)号：CN1324708C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN03801340.1

申请日：2003-09-08

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 浅野哲郎 ,  榊原干人 ,  平井利和

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/861 ,  H01L29/80 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L24/48 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0288 ,  H01L29/66098 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明提供一种保护元件。微波FET所具有的内在肖特基结(接合)电容或PN结电容小，这些结的抗静电能力弱。但是，在微波器件中通过连接保护二极管增加了寄生电容，但导致高频特性的恶化，存在不能采取该方法的问题。本发明在PN结、肖特基结或具有电容的被保护元件的2端子间并联连接由第1N+型区域-绝缘区域-第2N+型区域构成的保护元件。由于可在邻近的第1、第2N+区域间放电，所以可不增加寄生电容而衰减整个FET工作区域中的静电能量。

公开(公告)号：CN1572026A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN03801340.1

申请日：2003-09-08

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 浅野哲郎 ,  榊原干人 ,  平井利和

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/861 ,  H01L29/80 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L24/48 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0288 ,  H01L29/66098 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明提供一种保护元件。微波FET所具有的内在肖特基结(接合)电容或PN结电容小，这些结的抗静电能力弱。但是，在微波器件中通过连接保护二极管增加了寄生电容，但导致高频特性的恶化，存在不能采取该方法的问题。本发明在PN结、肖特基结或具有电容的被保护元件的2端子间并联连接由第1N+型区域－绝缘区域－第2N+型区域构成的保护元件。由于可在邻近的第1、第2N+区域间放电，所以可不增加寄生电容而衰减整个FET工作区域中的静电能量。

公开(公告)号：CN1147935C

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN00135726.3

申请日：2000-12-18

申请人： 黄敞 ,  杨樱华 ,  黄迪惠

发明人： 黄敞 ,  杨樱华 ,  黄迪惠

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/80 ,  H01L27/092

摘要： 互补偶载场效应晶体管特征是设置不同的N、P掺杂区，并在Z＝Lz处形成窄截面沟道。源端、漏端与接触端的设置位置为二维结构。本发明避免光刻技术制约，用常规半导体工艺把有效沟道长度减短至5纳米，电源电压降低到0.65V，每个晶体管可具有3至12个沟道，形成场效应管的互补反相器及矩阵片上系统，输出电流可达到10A，还可形成复杂、高速、低功耗的逻辑电路以及高频、低功耗的微波电路及片上系统。

公开(公告)号：CN109417037A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040595.5

申请日：2017-06-30

申请人： 流慧株式会社

发明人： 谷川幸登 ,  人罗俊实

IPC分类号： H01L21/365 ,  C01G55/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L29/24 ,  C01G55/00 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/70 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/02 ,  H01L33/26 ,  H01L35/22

摘要： 本申请提供了具有良好的p-型半导体特性的新型且有用的氧化物半导体膜，以及制造该氧化物半导体膜的方法。根据本发明，通过使包含周期表第9族金属(铑、铱或钴等)和/或周期表第13族金属(铟、铝或镓等)以及p-型掺杂剂(镁等)的原料溶液雾化形成喷雾；随后，利用载气将喷雾运载至基材表面附近；之后在氧气气氛下在基材表面附近通过使喷雾发生热反应，在该基材上形成氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN102246312B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN200980149820.4

申请日：2009-11-19

申请人： 美光科技公司

发明人： 钱德拉·穆利

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L21/337 ,  H01L27/06 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L27/098 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/385 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/8086

摘要： 根据本发明技术，提供一种JFET装置结构及其制作方法。具体来说，提供包含具有源极(84)及漏极(86)的半导体衬底的晶体管(80)。所述晶体管(80)还包含形成于所述半导体衬底中所述源极(84)与所述漏极(86)之间的经掺杂沟道(88)，所述沟道(88)经配置以在所述源极(84)与所述漏极(86)之间传递电流。另外，所述晶体管(80)具有：栅极(90)，其包括形成于所述沟道(88)上方的半导体材料；及电介质间隔物(92)，其位于所述栅极(90)的每一侧上。所述源极(84)及所述漏极(86)在空间上与所述栅极(90)分离，使得所述栅极(90)不在所述漏极(86)及源极(84)上方。

公开(公告)号：CN101595566A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200880003380.7

申请日：2008-01-29

申请人： 惠普开发有限公司

发明人： T·I·卡明斯

IPC分类号： H01L29/78 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L51/0508 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/73 ,  H01L29/80 ,  H01L51/0048 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762

摘要： 一种电子器件(10、10’、10”、10”’、100、100’、100”、1000)包括第一导电类型的主纳米线(18)，以及从主纳米线(18)向外延伸的第二导电类型的次纳米线(24)。第二导电类型的掺杂区(26)从次纳米线(24)延伸到主纳米线(18)的至少一部分中。

公开(公告)号：CN106920835A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201710207338.8

申请日：2017-03-31

申请人： 李思敏

发明人： 李思敏

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/80

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/66409 ,  H01L29/80

摘要： 本发明涉及一种没有多晶硅发射极的联栅晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有N型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接发射极金属层，其特点是：所述基极金属层与浓基区汇流条的上表面相连接，所述浓基区上面与发射区连接。本发明的优点是：能够提供更均匀的电流分布，具有较强的抗冲击能力，具有更好的一致性，而且成本更低。

公开(公告)号：CN106449767A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610587483.9

申请日：2016-07-22

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 中山达峰 ,  宫本宏信 ,  增本一郎 ,  三宅慎一 ,  川口宏

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/808 ,  H01L29/80 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/78

摘要： 本发明改进了半导体器件的特性。半导体器件具有包含杂质的电位固定层和栅极电极。漏极电极和源极电极形成在栅极电极的相对侧。中间层绝缘膜形成在栅极电极和漏极电极之间及栅极电极和源极电极之间。漏极电极之下电位固定层部分中的去激活元素浓度高于源极电极之下电位固定层部分中的去激活元素浓度。栅极电极和漏极电极之间的中间层绝缘膜部分的膜厚度不同于栅极电极和源极电极之间的中间层绝缘膜部分的膜厚度。