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公开(公告)号：CN1603114B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200410092123.9
申请日：2004-09-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/0005 , B41M5/506 , B41M5/52 , Y10S428/917 , Y10T428/24851 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供一种用于喷墨打印的基板，该基板包括基础基板上的光致抗蚀剂层结构，还提供一种该基板的制造方法。该基板具有高表面张力变化和轻微的厚度变化，且制造成本低。该基板包括由氟化烃或聚硅氧烷制成的位于光致抗蚀剂层结构之上的不连续的有机层结构。
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公开(公告)号：CN101814580B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010143473.9
申请日：2005-03-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/057 , H01L51/0017 , H01L51/0021
Abstract: 本发明提供一种垂直场效应晶体管的制作方法。该方法能高度再现且可低成本地制作垂直有机场效应晶体管。此外，该方法并不需要使用光刻和遮蔽掩膜。在垂直场效应晶体管中，在衬底上形成源电极，并形成绝缘层和间断栅电极。然后，形成电荷载流子阻挡层、有机半导体材料和漏电极。使用纳米颗粒来形成栅电极。
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公开(公告)号：CN1667805B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200510065522.0
申请日：2005-03-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/335 , H01L29/772 , H01L51/00 , G09F9/30
CPC classification number: G09F9/30 , H01L21/00 , H01L21/28 , H01L21/8238 , H01L21/84 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/772 , H01L29/786 , H01L29/80 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/057 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种垂直场效应晶体管及其制作方法和含有它的显示装置。该方法能高度再现且可低成本地制作垂直有机场效应晶体管。此外，该方法并不需要使用光刻和遮蔽掩膜。在垂直场效应晶体管中，在衬底上形成源电极，并形成绝缘层和间断栅电极。然后，形成电荷载流子阻挡层、有机半导体材料和漏电极。使用纳米颗粒来形成栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100474098C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN03155002.9
申请日：2003-07-23
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： M·雷德克
CPC classification number: G09G3/002 , G02F2/02 , H01L27/3244 , H01L51/52 , H04N9/31
Abstract: 一种不需要彩色滤光器、光损失低、轻巧且体积小的显示装置，以及一种应用所述显示装置显示图像的方法，该显示装置包括一基底，在基底的一侧设置子像素。每个子像素包含两个相对的电极和一个发射体层，并将发射体层插入两个电极之间。发射体层接收从激发光源发射出的光的光，并能够照射光致发光。从发射体层发射的光致发光的光可以通过电极形成的电场来可控地熄灭。
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公开(公告)号：CN1674320B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200510055145.2
申请日：2005-03-17
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L21/31604 , H01L51/0036
Abstract: 本发明公开了一种有机场效应晶体管、一种制造该有机场效应晶体管的方法、以及一种包括该有机场效应晶体管的平板显示器件。该有机场效应晶体管包括有机半导体层、栅电极和载荷子阻挡层。该载荷子阻挡层置于栅电极和有机半导体层之间，且包含半导体材料。
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公开(公告)号：CN101814580A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010143473.9
申请日：2005-03-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/057 , H01L51/0017 , H01L51/0021
Abstract: 本发明提供一种垂直场效应晶体管的制作方法。该方法能高度再现且可低成本地制作垂直有机场效应晶体管。此外，该方法并不需要使用光刻和遮蔽掩膜。在垂直场效应晶体管中，在衬底上形成源电极，并形成绝缘层和间断栅电极。然后，形成电荷载流子阻挡层、有机半导体材料和漏电极。使用纳米颗粒来形成栅电极。
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公开(公告)号：CN1551698B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200410028419.4
申请日：2004-03-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L51/52
Abstract: 一种具有空穴势垒层和/或电子势垒层的显示器，借此空穴势垒层和/或电子势垒层设置在显示器的发射体层和第一电极层或第二电极层之间。空穴势垒层的最高被占据的分子轨道的能量小于发射体层的最高被占据的分子轨道的能量，和/或电子势垒层的最低未被占据的分子轨道的能量大于发射体层的最低未被占据的分子轨道的能量。通过安排空穴势垒层和/或电子势垒层的分子轨道的能级，可以产生势垒，阻止不期望的电荷载流子在显示器的再次发射模式操作期间沿相反方向的注入。
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公开(公告)号：CN100520866C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510073744.7
申请日：2005-05-20
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/5203 , G02F2001/136295 , H01J9/02 , H01J11/12 , H01J11/22 , H01J11/34 , H01L51/0096 , H01L51/52 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供包括基材、和包括多个导体的电极层的显示器，其中在基材与电极层之间插入硅烷衍生物层以增加基材与电极层之间的粘接强度。本发明还提供这种显示器的制造方法。
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