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公开(公告)号：CN112310092B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202011187190.4
申请日：2020-10-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体技术领域。本发明提出了一种利用浮栅极闪存存储单元中的浮栅极多晶硅作为电阻的半导体结构及其制备方法。具体的，在本发明提供的半导体结构的制备方法中，在存储区中预留出电阻区，在形成逻辑区中第一栅极堆叠结构时在电阻区中形成暴露出浮栅层或者栅间介质层的接触孔，最后通过接触孔中的导电插塞将电阻区中的浮栅层引出，从而形成利用电阻区的浮栅层形成高电阻，从而实现提高单位面积的电阻值。
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公开(公告)号：CN113327848B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202110591283.1
申请日：2021-05-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/06 , H10B41/30
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公开(公告)号：CN112397518B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202011353399.3
申请日：2020-11-26
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H10B41/30 , H01L21/336 , H01L29/788
摘要： 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明提供的半导体结构的制备方法中，在浮栅层通过硬掩膜层遮蔽起来的情况下，对浅沟槽隔离结构进行离子注入和退火处理，从而使注入到浅沟槽隔离结构中的杂质离子扩散到浮栅层中，即，在实现对浮栅层进行掺杂的同时，降低了掺杂离子聚集在浮栅层低端的浓度，进而抑制了浮栅层多晶硅的晶粒增大，避免了浮栅层与隧穿氧化层的界面所包含的能谷数量减小，最终降低了存储单元在擦除操作时的操作时间，提高了擦除效率。
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公开(公告)号：CN110828497B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201911133006.5
申请日：2019-11-19
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种垂直栅CMOS图像传感器及制造方法，位于外延层上的转移管以及该转移管一侧、外延层中的光电二极管；转移管的垂直栅伸入外延层中并延伸至光电二极管所在的深度；位于外延层上、转移管另一侧的复位管；该复位管栅极两侧的外延层中分别设有N+区；其中一个与转移管相邻的N+区域形成浮动扩散点；转移管的垂直栅靠近所述光电二极管的区域呈凸面，靠近所述浮动扩散点的区域呈凹面。本发明形成靠近光电二极管区域易于收集的凸面，以及靠近浮动扩散点附近易于形成电子聚集效果的凹面，可以尽最大面积收集电子，朝浮动扩散点转移时集中转移，降低损失。从而实现电子从转移的多面性到收集的聚集性的全面改善。
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公开(公告)号：CN113363274A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110607036.6
申请日：2021-05-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种图像传感器及其制造方法，在所述的图像传感器的制造方法中，在每个像素单元区的衬底中形成第一掺杂区之前，先在每个所述像素单元区的衬底中形成第一隔离结构，可降低衬底表面在后续的工艺中所积累的电荷，避免后续形成的掺杂区中的离子被耗尽，从而抑制图像传感器中的暗电流。进一步的，栅极结构至少覆盖部分所述第一隔离结构，可加快导电沟道(位于栅极结构下方)的导通，图像传感器在感光积分时，可提高光生电子传输速率，由此提高像素单元区的电荷转移速率，从而降低了像素单元区中的电子转移的热扩散的影响。
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公开(公告)号：CN108376682B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810063032.4
申请日：2018-01-23
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/423
摘要： 本发明公开了一种闪存，在闪存单元阵列中，在半导体衬底表面包括由场氧化层隔离出的有源区，各有源区呈条形结构并平行排列，多晶硅浮栅位于有源区的顶部并通过第一栅氧化层隔离。在有源区的宽度方向上，在多晶硅浮栅的侧面和对应的有源区的侧面为光刻对齐的条件下会形成由场氧化层被刻蚀消耗引起的多晶硅浮栅的宽度扩展，各多晶硅浮栅的两侧面设置有凸凹结构，凸凹结构的凸部和凹部在位置上互相对应设置使多晶硅浮栅的侧面间距得到扩展。本发明能降低相邻的多晶硅浮栅之间的互相干扰，有利于增加漏极电压，提高编程速度；还能增加控制栅和浮栅之间的耦合率，有利于进一步降低栅极电压；能有利于闪存单元的尺寸的进一步的缩减。
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公开(公告)号：CN108735752B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201810428572.8
申请日：2018-05-07
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/11531 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种闪存单元结构的制备方法，包括：提供具有P阱的一衬底，于P阱的上表面制备形成相互间隔的第一浮栅结构和第二浮栅结构；对中心区和外围逻辑区内的P阱暴露出的上表面进行N型离子注入；刻蚀中心区内的P阱暴露出的上表面一预设厚度；对刻蚀后的中心区内的P阱暴露出的上表面进行N型离子注入形成源极，并对外围逻辑区内的P阱暴露出的上表面进行轻掺杂形成漏极；步骤S5，于第一浮栅结构和第二浮栅结构邻近外围逻辑区的侧面形成侧墙；能够使形成的源极可以与沟道有效连接，降低源极端的电阻，从而降低源极有源区损失不稳定导致的擦除电流变化较大的问题，提高与擦除相关的性能。
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公开(公告)号：CN112310092A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011187190.4
申请日：2020-10-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11531
摘要： 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体技术领域。本发明提出了一种利用浮栅极闪存存储单元中的浮栅极多晶硅作为电阻的半导体结构及其制备方法。具体的，在本发明提供的半导体结构的制备方法中，在存储区中预留出电阻区，在形成逻辑区中第一栅极堆叠结构时在电阻区中形成暴露出浮栅层或者栅间介质层的接触孔，最后通过接触孔中的导电插塞将电阻区中的浮栅层引出，从而形成利用电阻区的浮栅层形成高电阻，从而实现提高单位面积的电阻值。
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公开(公告)号：CN109904164B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910172994.8
申请日：2019-03-07
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/11521
摘要： 本发明提供了一种掩膜版、闪存器件及其制造方法，所述闪存器件的制造方法包括：提供一形成有多条平行的有源区以及与所述有源区平行的初始接触区的衬底；在所述衬底上形成有横跨于所述初始接触区和所有所述有源区上的栅极结构；掩蔽所述初始接触区以及所述栅极结构一侧的有源区，形成源极；掩蔽所述源极，形成漏极和源极接触区；形成覆盖于所述源极、漏极和源极接触区上的介质层；以及，形成与所述源极接触区电接触的源极接触插栓以及与所述漏极电接触的漏极接触插栓于所述介质层中。通过本发明的技术方案，使得在闪存器件的尺寸缩小的同时，还能改善源极接触插栓的开态问题和漏极接触插栓的漏电问题，进而使得闪存器件的性能得到提高。
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公开(公告)号：CN111785750A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010884876.2
申请日：2020-08-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种背照式图像传感器。所述背照式图像传感器中对应于像素区和光学黑体区，半导体基底中分别形成有多个第一沟槽隔离和多个第二沟槽隔离，第一沟槽隔离和第二沟槽隔离均从半导体基底的背面沿远离所述背面的方向延伸且具有相同的深度，而第一沟槽隔离的宽度小于所述第二沟槽隔离的宽度。第一沟槽隔离可以隔离照射到像素区的各像素的入射光，并有助于使入射光发生折射以增加入射光的光程，增加图像传感器的量子效率，而光学黑体区中，较宽的第二沟槽隔离可以有效阻挡来自像素区的散射光进入光学黑体区，有助于提高背照式图像传感器的成像质量和色阶覆盖范围。
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